HRTEM高分辨率标定-4.doc

带轴挺正的，直接标就行，而且是低指数，可以按照标准普标定。那需要查查pdf 卡片了，还有就是，有没有第二相，或者有序空位，都会差生周围的弱斑点，取向有微小的变化，一般大变形的样品会出现衍射斑点拉长。再有就是结晶生长的样品，生长的过程中也取向会形成略小的差别，就会形成你上面的衍射，要成多晶的话，需要有很多个取向随机的晶粒，你这个显然不是。用DM软件测量面间距有两种方法，一是在像中直接测量，这种方法测量方向必须严格垂直于要测的晶面，一般不常用。另外一种方法就是在FFT中测量相应的斑点，因为HRTEM与相应FFT有对应关系，FFT一个斑点代表HRTEM中的相应一组面。方法是将像做FFT，然后用ROI Tool中虚直线工具准确连接相应斑点到中心斑，然后在软件菜单Analysis中里选Calibate，就会有正空间面间距显示。FFT中点少说明像的分辨率或质量不高。希望能得到高人指点啊，最好上面2种方法都介绍一下啊？非常感谢USTB版主帮我做了这次TEM实验，标定后也请教了USTB版主。感谢版主！两张SAED图，左图经111方向旋转19.5度后得到右图，如果按照图中的标定，两张图可以自洽，可是图中的1/2位置的弱点不好解释，能不能解释成超晶格？晶体结构参数如下：物质：(Bi0.7La0.3)FeO3space group: C222lattice parameters: a=5.5504,b=5.5498,c=3.949, 90,90,90,以下是XRD图谱中出现的d值H K L 2Theta/deg d/? I/rel._ _ _ 0 0 1 22.497 3.949 50.661 1 0 22.639 3.92451 1001 1 1 32.129 2.78367 95.212 0 0 32.23 2.7752 23.640 2 0 32.233 2.7749 23.642 0 1 39.663 2.27058 30.010 2 1 39.666 2.27042 300 0 2 45.924 1.9745 10.82 2 0 46.227 1.96226 21.281 1 2 51.789 1.76384 32.882 2 1 51.997 1.75727 32.583 1 0 52.064 1.75517 16.241 3 0 52.069 1.75502 16.242 0 2 57.213 1.60885 13.110 2 2 57.215 1.60879 13.113 1 1 57.406 1.60389 26.021 3 1 57.411 1.60377 26.012 2 2 67.207 1.39183 18.394 0 0 67.439 1.3876 4.560 4 0 67.448 1.38745 4.560 0 3 71.632 1.31633 4.043 1 2 71.917 1.31181 16.031 3 2 71.921 1.31175 16.024 0 1 72.088 1.30913 7.980 4 1 72.096 1.30901 7.973 3 0 72.149 1.30817 7.961 1 3 76.228 1.248 14.38我觉得可以说是超晶格，不过最好有高分辨图。肯定不对.如果大点是(111)那小点就是1/2(111)很滑稽.应该是超结构斑点，如果知道(Bi0.7La0.3)FeO3 space group: C222的具体原子位置可以算一下看看，或者再做高分辨确认一下。超晶格1970年美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念他们设想如果用两种晶格匹配很好的材料交替地生长周期性结构，每层材料的厚度在100nm以下，如图所示，则电子沿生长方向的运动将会产生振荡，可用于制造微波器件他们的这个设想两年以后在一种分子束外延设备上得以实现。一个双超晶格可见，超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜，事实上就是特定形式的层状精细复合材料。超晶格又分以下几种1.组分超晶格：在超晶格结构中，如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄膜堆垛而成的 叫做组分超晶格2.掺杂超晶格：在同一种半导体中，用交替地改变掺杂类型的方法做成的新型人造周期性半导体结构的材料。掺杂超晶格的优点：任何一种半导体材料只要很好控制掺杂类型都可以做成超晶格；多层结构的完整性非常好，由于掺杂量一般比较小，杂质引起的晶格畸变也较小，掺杂超晶格中没有像组分超晶格那样明显的异质界面；掺杂超晶格的有效能量隙可以具有从零到位调制的基体材料能量隙之间的任何值，取决于各分层厚度和掺杂浓度的选择。3.多维超晶格4.应变超晶格1、量子阱量子阱是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。量子阱的最基本特征是，由于量子阱宽度(只有当阱宽尺度足够小时才能形成量子阱)的限制，导致载流子波函数在一维方向上的局域化。2、多量子阱在由2种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构中，如果势垒层足够厚，以致相邻势阱之间载流子波函数之间耦合很小，则多层结构将形成许多分离的量子阱，称为多量子阱。3、超晶格（耦合的多量子阱）如果势垒层很薄，相邻阱之间的耦合很强，原来在各量子阱中分立的能级将扩展成能带(微带)，能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及势垒的厚度有关，这样的多层结构称为超晶格。具有超晶格特点的结构有时称为耦合的多量子阱。孪晶孪晶是指两个晶体（或一个晶体的两部分）沿一个公共晶面（即特定取向关系）构成镜面对称的位向关系，这两个晶体就称为孪晶，此公共晶面就称孪晶面。孪晶界可分为两类，共格孪晶界(coherent twin boundary)和非共格孪晶界(incoherent twin boundary)，如上图所示。共格孪晶界就是孪晶面在孪晶面上的原子同时位于两个晶体点阵的结点上，为两个晶体所共有，属于自然地完全匹配是无畸变的完全共格晶面，它的界面能很低，约为普通晶界界面能的1/10，很稳定，在显微镜下呈直线，这种孪晶界较为常见。如果孪晶界相对于孪晶面旋转一角度，即可得到另一种孪晶界非共格孪晶界。此时，孪晶界上只有部分原子为两部分晶体所共有，因而原子错排较严重，这种孪晶界的能量相对较高，约为普通晶界的1/2。孪晶的形成与堆垛层错有密切关系。依孪晶形成原因的不同，可分为形变孪晶、生长孪晶和退火孪晶等。正因为孪晶与层错能密切相关，一般层错能高的晶体不易产生孪晶。孪晶，英文叫twinning，孪晶其实是金属塑性变形里的一个重要概念。孪生与滑移是两种基本的