北工大 考研范围 半导体物理.doc

学院（系所）名称：电子信息与控制工程学院考试科目名称及代码考试内容及范围说明821 自动控制原理1、自动控制系统概述2、控制系统的数学描述方法控制系统的微分方程，非线性系统的线性化，传递函数，结构图与结构图化简。3、控制系统的时域分析二阶系统时域分析，高阶系统时域分析，稳定性分析，稳态误差分析。4、根轨迹分析法根轨迹作图的基本法则，根轨迹图的绘制，控制系统的根轨迹法分析。5、频率分析法典型环节的频率特性，开环频率特性作图，频域稳定性判据，开环频率特性分析。6、控制系统的校正方法根轨迹法校正设计，频率法串联校正设计，参考模型法校正设计，频率法反馈校正设计。7、非线性系统分析相平面分析法，描述函数法。8、采样控制系统分析基础开环脉冲传递函数，闭环脉冲传递函数，采样系统的稳定性分析。822 信号与系统1、信号的时域分析2、系统的时域分析3、信号的频域分析4、系统的频域分析5、连续信号与系统的复频域分析6、离散信号与系统的复频域分析7、系统的状态变量分析823 半导体物理1、常见半导体（Si，Ge，GaAs）的晶体结构、能带结构和物理性质2、纯净半导体、掺杂半导体中电子状态，热平衡载流子浓度，以及相关温度特性；3、载流子迁移率，电场作用下载流子漂移运动，半导体导电性，相关温度特性，以及霍尔效应；4、非平衡载流子的复合-产生机理，载流子寿命，以及扩散运动特性，载流子连续性方程；5、同质PN结特性、电流-电压特性、电容特性、击穿特性；6、MOS结构特性、表面状态、电容-电压特性；7、金属半导体接触特性，异质结相关概念；423半导体物理北京工业大学2007年硕士研究生入学考试大纲200092科目代码：423专正门参考书：（书名、作者、出版社、出版年份）112室刘恩科等，“半导体物理学”国防工业出版社，1989 课业内容： 彰武一、 半导体的晶体结构和缺陷彰武常见半导体材料（Si、Ge和GaAs）的晶体结构和物理性质；半导体材料中的常见点、线、面缺陷。 济二、 半导体中的电子状态济布洛赫定理；空穴、电子速度、加速度和有效质量；满带与不满带的电子性质；表面存在对电子态的影响；常见半导体材料（Si、Ge和GaAs）能带结构的特点；电子回旋共振实验和回旋共振有效质量；施主和受主，补偿，深能级及其影响。院三、 平衡载流子浓度专态密度有效质量；非简并掺杂半导体室温附近的载流子浓度；掺杂半导体载流子浓度与温度的关系；掺杂半导体费米能级与掺杂浓度和温度的关系；简并情况及其特点。112室四、 半导体的导电性336260 37常见半导体材料中主要的载流子散射机构与掺杂浓度和温度的关系；电导率；迁移率；电导率有效质量；迁移率随温度和掺杂浓度的变化；霍尔效应。业五、 非平衡载流子 正门确定常用半导体材料中过剩载流子寿命的主要复合机构；常用半导体材料中过剩载流子寿命与掺杂浓度及温度的关系；描述载流子运动的基本方程；准费米能级；爱因斯坦关系。网络督察六、 同质pn结 专突变结、缓变结、接触电势差；空间耗尽层；理想pn结IV特性；正反偏置理想pn结能带图、载流子分布图；实际pn结、理想pn结IV特性的差别及原因；势垒电容；pn结击穿的主要机制。 kaoyangj七、 MOS结构 48号SiSiO2系统中主要电荷和电子态；表面电场效应；理想MOS的CV特性、功函数差；PMOS和NMOS在不同栅压下，表面的状态能带图和表面势条件；氧化层电荷；界面态对CV特性的影响；