晶体三极管电流放大作用教案[1].doc

晶体管的电流放大作用教案课 题晶体管的电流放大作用授课班级物电07级8班课 型课堂讲授授课日期2010年5月15日教 材模拟电子技术基础第四版教学目标知识目标：1、掌握晶体三极管的放大条件、放大作用。 2、掌握晶体管内部载流子的运动及电流分配关系。能力目标：培养学生的观察能力和自主思考能力。教学手段 课堂讲授教学过程教学内容及教师活动学生活动教学方法一、课前复习1.晶体三极管的结构在进入新课之前我们先复习一下上节课所学习的内容，从图1.3.1我们来看回顾一下晶体管的结构 （a） (b)图1.3.1 （a）NPN型硅管的结构 （b）NPN型硅管的就够示意图晶体管由“三极三区两结”组成，这三级分别为发射极、集电极、基极，三区分别为发射区（掺杂浓度高）、集电区（面积很大）、基区（薄、掺杂浓度很低），两结是发射结和集电结。2.晶体管的符号我们在来复习一下晶体管的符号 NPN型 PNP型 图1.3.2复习上一节课知识教师提问二、引入新课我们都知道当在很大很吵闹的场合讲话的时候都会用到麦克风，为什么麦克风可以让我们的声音变大以至于让更多的人听得清楚呢？这节课就让我们来学习晶体管最重要也是最常用的功能-晶体管的电流放大作用。 + - 图1.3.3 基本共射放大电路下面我们先来看一个基本放大回路图1.3.3在这个图中，基极和发射极同在的这个回路是输入回路，集电极和发射极同在的这个回路叫输出回路。我们来看，发射极它既在同时存在于输入回路与输出回路，即输入回路和输出回路公用一个发射极，所以这个电路叫做基本共射放大电路。 由这图我们可以看出，要想晶体管工作于放大状态，就必须满足以下几个外部条件：1、发射结正偏 2、集电结反偏 3、VccVbb(VbVe、VcVb，我们可以得出：VcVbVe，即有：VccVbb)。 （一）、晶体管内部载流子的运动接下来我们从晶体管的内部载流子的运动情况来分析一下它的放大作用。如图1.3.4所示。 图1.3.41.当发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流由于发射结加的是正向电压，又因为发射区杂质浓度高，所以大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区。与此同时，空穴也从基区向发射区扩散，但由于基区杂质浓度低，所以空穴形成的电流非常小，可忽略掉。可见，扩散运动形成了发射极电流。2.扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成了基极电流由于基区很薄，杂质浓度很低，集电结又加了反向电压，所以扩散到基区的电子中只有极少部分与空穴复合，其余部分作为基区的非平衡少子达到集电结。又由于电源的作用，电子与空穴的复合运动将源源不断的进行，形成了基极电流。3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流由于集电结加反向电压切其节面积比较大，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电结到达集电区，形成漂移电流。与此同时，集电区与基区的平衡少子也参与漂移运动，但他的数量很小，可以忽略不计。可见，在集电极电源的作用下，漂移运动形成集电极电流。（二）、晶体管的电流分配关系如图1.3.4中标注所示：我们设由发射区向基区扩散的电子电流为,基区向发射区扩散所形成的空穴电流为,基区内复合运动所形成的电流为，基区内非平衡少子漂移至集电区所形成的电流为，平衡少子在集电区与基区之间的漂移运动所形成的电流为。从图1.3.4我们可以看出如下的电流关系： （1.3.1） （1.3.2） （1.3.3） 由以上关系我们可以得出三个极之间的外部电流关系： （1.3.4）这个电流关系就是晶体管内部的载流子运动的结果。三、课堂小结我们再来回顾一下这节课所学习的主要内容，这节课需要重点掌握的是晶体管放大的外部条件和它的电流分布关系以及需要理解内部载流子运动情况。同学们课后要做的事就是假设在基本共射放大电路的输入端加入一个输入电压U1然后再去分析它的电流分配情况。板书设计： 1.3.2 晶体管的电流放大作用 一、 晶体管放大的外部条件：1、发射结正偏 2、集电结反偏 3、二、晶体管内部载流子的运动 1.当发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流 2.扩