光刻胶与光刻工艺技术.pdf

上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 1 第第第第12121212章章章章 光刻光刻光刻光刻I I I I 光刻胶与光刻胶与光刻胶与光刻胶与光刻光刻光刻光刻工艺技术工艺技术工艺技术工艺技术 微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小区域内 然后把 这些区域连起来以形成器件和VLSI电路 确定这些区域图形的工艺是由光刻来完成的 也 就是说 首先在硅片上旋转涂覆光刻胶 再将其曝露于某种光源下 如紫外光 电子束或 X 射线 对抗蚀层进行选择性的曝光 完成这项工作需利用光刻机 掩模版 甚至电子 束光刻时的数据带 曝光后的硅片经过显影工艺就形成了抗蚀剂图形 显影后仍保留在硅 片上的抗蚀剂保护着其所覆盖的区域 已去除抗蚀剂的部分必须进行一系列增加 如淀积金 属膜 或去除 如腐蚀 工艺 以将抗蚀图形转印到衬底表面 下面三章详细地叙述了VLSI的光刻工艺 第一章是抗蚀剂的特性和VLSI制造中的光 刻工艺技术 这个讨论仅限于光学曝光所用的抗蚀剂 第二章讨论的是曝光工具 也即描 述了光学光刻机和光掩膜 第三章讲述了先进的光刻技术 包括电子束 离子束和X 射 线图形形成技术 抗蚀剂基本术语抗蚀剂基本术语抗蚀剂基本术语抗蚀剂基本术语 光刻工艺基本步骤如图1所示 抗蚀剂 PR 作为一层薄膜涂覆到基片上 如硅上面的二 氧化硅上 再通过掩膜版曝光 掩膜版要保持干净 并含有要转印到衬底上的不透明图形 以便在PR层上复制 PR经曝光后的区域有时变成可溶于显影液性的 有时变成不溶于显 影液性的 如果曝光后变得可溶于显影液 则在抗蚀剂上产生掩膜的正性图形 这种物质 就称为正性抗蚀剂 反之 若未曝光区溶于显影液 就产生负性图形 就是负性抗蚀剂 显影后 未被抗蚀剂覆盖的SiO2层就被腐蚀掉 这样就在氧化层上复印了掩膜版图形 在这步工艺中抗蚀剂有两个作用 首先必须对曝光有反应 以把掩膜版图形复印 到抗蚀剂上 其次余留的抗蚀剂在后面的工艺中必须保护下面的衬底 正如抗蚀剂的名字 一样 这种物质具有抵抗腐蚀的能力 尽管半导体生产中使用正性和负性两种抗蚀剂 但由于正性抗蚀剂具有较高的分辨能 力 故VLSI中全部选用正性抗蚀剂 正因如此 本章几乎所有的讨论都限于正性抗蚀剂和 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 2 它的工艺 传统的正性光学光刻工艺和抗蚀剂能适应于0 8 1 5 的VLSI生产 到了亚 微米阶段 由于曝光中产生的衍射效应 必须发展分辨率更高的技术来代替光学光刻 通常 抗蚀剂的使用者并不过多关心抗蚀剂复杂的化学成分 而对其性能较关心 本 章主要讨论其性能 通常的光致抗蚀剂由三种成分组成 a 基体材料 也叫树脂 作为粘合剂 确定了 膜的机械特性 b 增感剂 也叫阻化剂 是一种感光的化合物 PAC c 溶剂 不同于显 影液溶剂 使抗蚀剂保持液态 但涂在衬底上时会挥发掉 基体材料通常对入射辐射无反 应 也就是说 照射下不发生化学变化 但提供了有粘附力和耐腐蚀性的保护层 也确定 了抗蚀剂的其它薄膜特性 如厚度 折射性和热流稳定性 增感剂是抗蚀剂中对光化学辐射有反应的成分 词语 光化学的 与引起光化学变化的 辐射能量特性有关 尤其是在可见光和紫外光区间 增感剂给抗蚀剂提供耐显影剂特性和 辐射吸收特性 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 3 光致抗蚀剂材料参数光致抗蚀剂材料参数光致抗蚀剂材料参数光致抗蚀剂材料参数 前面已经指出 抗蚀剂有两基本功能 1 精确图形形成 2 刻蚀时保护衬底 抗 蚀剂本身所拥有的一系列材料特性影响了这些功能的实现 这些材料参数可分为三类 a 光学性质 包括分辨率 感光灵敏度和折射率 b 机械及化学性质 包括固体成分含量 粘度 附着力 抗蚀能力 热稳定性 流动特性及对环境气氛如氧气的敏感度 c 有关 加工和安全的性能 包括清洁 颗粒含量 金属杂质含量 工艺宽容度 贮藏寿命 闪点 及安全极限浓度 TLV 毒性的测量 这一节里讨论这些参数 了解这些参数有助于正确地 选择与使用光刻胶 同时也给出了测量大多数参数值的方法 分辨率分辨率分辨率分辨率 光刻工艺的分辨率在第十三章中有正规定义 是根据光刻曝光设置的调节转换功能和 与光刻胶匹配性定义的 然而 该词并不很正规 在工业中却广泛应用 以指定在合理的 生产变化情况下复制最小尺寸像的能力 这样为了建立亚微米特性器件 就必须具有亚微 米分辨率的光刻工艺 用这种观点定义线宽也是很有用的 线宽是水平距离 L 即线条的截面图中光刻胶 材料与气流边缘之间的距离 这是在光刻胶 衬底界面上指定高度处 图2 由于可以用 不同的测量方法 如SEM或光学 测量同一线条的线宽 这些线条可以是在截面图中不同高 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 4 度处 故很容易确定获得线宽的技术 如SEM线宽或光学线宽 线宽测量技术在线宽测量 中讨论 线宽测量是显影后检测一节的一部分 光刻工艺的分辨率受工艺多方面的限制 包括 1 硬件 如光的衍射 镜头色差和 设备的机械稳定性 b 光刻胶的光学特性 c 工艺特性 如适当烘烤 显影 后烘 刻 蚀 硬件对分辨率的限制在第十三章中讨论 本章的光刻胶处理部分讨论光刻工艺对分辨 率的限制 本节将讨论材料特性对分辨率的影响 材料特性包括反差 溶胀和热流等 光 刻胶材料的反差和溶胀对曝光和显影步骤有影响 热流则在后烘和干刻工艺中影响分辨率 这里讨论反差和溶胀 后烘部分再详细说明光刻胶处理中的热流 分辨率分辨率分辨率分辨率 反差反差反差反差 理论上讲 光刻胶的反差直接影响分辨率 光刻胶的侧壁墙角墙角墙角墙角和线宽控制 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 5 反差由一叫 的数值来表示 对于反差概念的描述性说明最好把正胶和负胶分开考虑 对于负胶 在一定照射剂量下 反差与交叉网络形成的速度有关 所以如果一种负胶与其 它相比具有较高的交叉连接速度 则它就具有较高的反差 对于正胶 一定辐射剂量下 反差就与断链作用和溶解度变化有关 光刻胶的反差和感光灵敏度通常都通过不同辐射剂量下曝光一定厚度的光刻胶层测 量的 然后确定显影后保留的膜层厚度 注意 测量光刻胶溶解性的方法在光刻工艺 显 影中讨论 用这些数据绘制了响应 或感光灵敏度曲线 见图3 对于负性胶 只有在临 界剂量 图3a的Dg1 时才能观察到交链 由凝胶形成即可看出 所以在这个剂量下还没有形 成图形 更高剂量时 凝胶增长的结果是图形膜层厚度增加 这种现象一直持续到图形膜 层厚度等同于曝光前 即在图3a的Dg0 光刻胶层厚度 负胶的反差值 n 为反应曲线与剂量 坐标交点的斜率 见方程2a 对于正性胶 随着辐射剂量的增加 光刻胶厚度减小 直到薄膜完全除去 即达到临 界剂量Dc 测量技术相同 除了溶剂一点都不腐蚀未曝光的光刻胶 曝光处的薄层厚度值 可以测量出来 并归一化为曝光与显影前的厚度 用残余厚度值画出了图3b 正胶的反差 p可以从反应曲线线性部分的外推斜率绝对值得出 见方程2b 反差也可以用下列式子计算 既然 n和 p都从反应曲线的线性部分斜率得出 而通常 斜率可由下式得到 Slope Y2 Y1 X2 X1 1 这里 Y2 1 0 Y1 0 X2 LgDg0 和X1 LgDgi 负性胶 Y2 0 Y1 1 0 X2 LgDc 和 X1 LgD0 正性胶 那么 n log10 Dg0 Dgi 1 2a p log10 Dc D0 1 2b 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 6 具有较高反差值的光刻胶具有较好的分辨率 图4说明了这一点 理想的曝光工艺只传递 曝光辐射给要产生图形的光刻胶区 其余部分则没有传到能量 实际曝光时 由于衍射和 散射 能量是以发散的方式传播的 如图4所示 然后能量到达光刻胶层 以正胶为例 显 影中 曝光能量大于Dc处的光刻胶完全溶解掉 由于实际的光刻胶并没有无限的反差 就 有一些曝光能量小于Dc但大于D0的区域存在 这些区域局部溶解 这样 显影后的光刻胶 断面就有斜坡 光刻胶的反差值越高 其断面越垂直 由于是在光刻胶与衬底界面之上指 定高度处测量线宽 且光刻胶断面并不垂直 光刻胶线宽就不够精确代表掩模版尺寸 此 外 刻蚀后实际线宽尺寸必须控制 由于干法刻蚀工艺通常腐蚀光刻胶材料到某种程度 图 2 不够垂直的光刻胶断面将在被刻蚀层上导致更宽线条的腐蚀 所以会降低分辨率 光刻胶厚度降为零的那点的光刻胶断面角度已由King推导出来 是直接与 和光刻 胶厚度成比例的 理想光刻胶具有无限的反差 并具有如图4a所示的反应曲线 实际光刻 胶的响应曲线如图4b所示 正性光学有机抗蚀剂具有较高的反差值 p 2 2 负性光刻胶 n 1 5 基于Ge Se硫属化物玻璃的无机抗蚀剂具有比正性或负性有机抗蚀剂 6 8 31高得 多的反差 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 7 反差除了用于计算抗蚀剂的墙角墙角墙角墙角外 在预测给定曝光系统下的最小特征尺寸方面也很有 用 定义了一个词语 叫关键的抗蚀剂调制转换函数 CMTFresist CMTFresist I100 I0 I100 IO 3 这里I100是100 膜去除的最小曝光量 I0是最大的零曝光量 一曝光系统要能充分复 印一特写 对该特征尺寸的调制转换功能MTF 第十三章中定义 必须大于或等于所用光刻 胶的CMTFresist 了解光刻胶的反差很有用 反差与CMTFresist之间的关系如图5所示 这种关系定义为 CMTFresist 101 1 101 1 4 这样 如果对各种特征尺寸的曝光系统的MTF已知 则利用 值和图5就可预测该系 统可有效复印的最小特征尺寸 MTF为1大致对应完美的图象转换 1986年的投影光刻机 其1 m的MTF值为0 6 见第十三章 由图5可知 为2的正性胶可以用这样的投影光刻机 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 8 得到1 0 m的满意的图象 反差值也对光刻图象的线宽范围有影响 这将在光刻工艺 曝 光中讨论 分辨率分辨率分辨率分辨率 溶胀溶胀溶胀溶胀 邻近效应邻近效应邻近效应邻近效应 光刻胶厚度光刻胶厚度光刻胶厚度光刻胶厚度 显影过程中 随显影液溶剂渗透入光刻胶 其体积膨胀 光刻胶上图形特征尺寸就有 改变 大多数负性胶都会有这种膨胀现象 如果特征尺寸小于3 m 这就会导致特征尺寸 与指定尺寸相比有很大改变 因此 负性胶不适于这种特征尺寸 正性胶 低分子量 不发 生这种膨胀 是由于正胶和负胶中已讨论的其显影中不同的溶解机制 正胶和负胶的分辨率都受邻近效应的影响 在正胶和负胶中 单独的线条都很容易分 辨 尤其是正胶 评价一特殊光刻胶的分辨率时 最难于分辨的特征值是基本的水准基点 减小光刻胶厚度可以提高分辨率 相反地 由于正胶比负胶有更高的反差值和更小的 膨胀 它就可以用于较厚的保护层 且仍可提供相等的分辨率 这样 如果可以获得相同 的分辨率 更厚的保护层有利于提供较好的台阶覆盖和缺陷保护 以及更大的干刻抗蚀力 灵敏度灵敏度灵敏度灵敏度 光学光刻胶的灵敏度定义为 在光刻胶中引起特定程度化学反应所需的输入能量 用 单位面积的光子量计算 这使得显影后产生想要的光刻图形 对于光化学反应 用光效率 或生产量 来表示 定义为 absorbedphotonsofNumber eventsinducedphotoofNumber 5 由敏化剂分子的光裂变作用的正胶必须具有高的 值 以便有高的灵敏度 分解后 灵敏度是最重要的参数 需要高灵敏度这个特性 是由于随着分辨率要求的提高 辐射波 长移入UV区 在这个区间 光源亮度严重减小 光分子的有效率也减小 也即 吸收更多 的是通过它们的能量 由于总的输入能量是光源亮度 时间和对准光学的吸收效率的结果 第一和第三个因子的减小可以通过长时间曝光补偿 这导致每小时硅片产能较小 这就需 要增加曝光工具的数量 灵敏度增加的光刻胶可以减小曝光时间 应该注意 在PR工艺中 使用了先进的光刻机 这样 灵敏度已不成为产能的限制因素 也就是说 这些工序 如 对准 聚焦 装卸硅片 占去了有效时间 限制了产能 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 9 在光的灵敏度参数讨论中发现有好几处工艺工程师感兴趣的 第一个包括光刻胶与曝 光工具的能量源之间的匹配 这个信息是由光谱响应曲线提供的 这曲线是测量了光刻胶 对照在光刻胶上的光源发射的光谱的反应而得的 光谱 响应曲线 图6a 给出了曝光光源有 效性的表示 如果在光源强发射范围内有很强的吸收 则相应的曝光时间就缩短了 暗指高 的灵敏度 光谱 响应曲线并不提供关于曝光时间的定量信息 光刻胶的吸收比也是很重要的因素 所以照在光刻胶上的杂光 如黄光和绿光周围的光 将 引起最小的曝光效果 进一步 在光化学波长 通常想要获得未曝光光刻胶上不超过40 的吸收比 当吸收比百分数超过这个值时 光刻胶厚度上的曝光梯度降低了像的纵断面 这是由于光刻胶的最上层吸收了大部分的光 另一方面 如果吸收比太低 曝光时间就长 得不切实际 光化学吸收比是必须考虑的光刻胶灵敏度参数的次要方面 这个特性定义为未曝光光 刻胶和曝光光刻胶吸收比的差 图6b表示了S 1400 正胶相对波长的光化学吸收比 灵敏 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 10 的光刻胶必须在辐射光谱范围内具有高的光化学吸收比 也就是说 通过未曝光光刻胶的 光应该被强烈吸收 曝光和光化学变化之后 这种材料就可为进一步的辐射透射 如果这 些发生了 入射光就可有效地通过光刻胶的上层 这是首先曝光过的 然后被下面未曝光 的光刻胶材料吸收 如果根据可接受的光谱响应和光化学吸收特性确定了几种选用光刻胶 再对它们的灵 敏度进行定量比较 由用于确定抗蚀剂反差的特性曲线 图3 也可得到定量的抗蚀剂灵敏度 数据 对于正胶 D0p要求是曝光过的正胶区完全溶解 未曝光光刻胶仍不可溶 如果几种 光刻胶的D0p值已知 也就可以得到灵敏度的定量比较 对灵敏度有一些现实限制 如果灵敏度太高 则光刻胶在室温下就会发生热反应 保 存期太短 此外 灵敏度太高 曝光时每个像点只需很少的光子 由于每个像点的撞击光 子数有个统计波动 这就导致曝光均匀性的问题 至于低灵敏度限制 早已讨论过 受产 能控制 抗蚀能力和热稳定性抗蚀能力和热稳定性抗蚀能力和热稳定性抗蚀能力和热稳定性 抗蚀能力是指抗蚀剂在图形转换过程中耐刻蚀的能力 抗蚀剂通常对大多数的湿法刻 蚀具有很好的抗蚀能力 对大多数干法刻蚀工艺则并不如此 庆幸的是 线型酚醛树脂或 苯醌双叠氮化物这两种常规正性光学抗蚀剂对种种干法刻蚀具有一定的抗蚀能力 由于分 子内具有很强的主链和侧链键 故对干法刻蚀有很强的抗蚀能力 正胶的这种优点是以减 小辐射灵敏度为代价获得的 已经研究了其他方法来减小常规正胶的灵敏度 例如采用含 氟的聚合物增强对氯基等离子体的抗蚀性 或采用聚硅氧烷增强对氧等离子体的抗蚀性 多数的X 射线和电子束抗蚀剂的干法刻蚀能力比光学正性抗蚀剂差 一些干法刻蚀工艺的处理温度比湿法刻蚀高 因此 用于这些应用的抗蚀剂应该在处 理温度下具有热稳定性 由于要求抗蚀剂能忍受200 或更高 就导致要研制用于这些高 温的光刻胶 附着力附着力附着力附着力 半导体工艺中在各种衬底上淀积光致抗蚀剂 这些衬底包括金属膜 如Al Au Ti 绝 缘体 如SiO2 PSG Si3N4 以及半导体表面 在抗蚀剂工艺和刻蚀中 抗蚀剂都必须附着 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 11 在这些表面 要与多晶硅 金属和磷高掺杂的二氧化硅层粘附良好是最大的问题 粘附差 导致严重的侧蚀 线条变宽 或有可能图形全部消失 湿法刻蚀技术要求抗蚀剂层与下面 的衬底粘附得很好 提高抗蚀剂层与衬底之间的粘附力有多种技术 包括 a 涂胶前脱 水坚膜 b 使用粘附促进剂 如六甲基乙硅烷 HMDS 和气相涂增粘剂 见光刻工艺 脱 水坚膜和涂增粘剂 c 高温后烘 干刻对粘附要求降低 但必须记住 要有足够的粘附 以能经受得住刻蚀步骤 随着特征尺寸的缩小 这将变得更难以达到 固体成分含量和粘度固体成分含量和粘度固体成分含量和粘度固体成分含量和粘度 固体成分含量是指烘焙后溶剂全部蒸发掉 抗蚀剂 液态 以固体形式存留下来的百分 比 固体成分含量用原始液态物质以干性物质存留的百分数表示 测量固体成分含量的工 艺规程在ATMStd F6684中 固体成分含量很重要 因为它影响了涂胶的厚度和抗蚀剂流 动性 光致抗蚀剂固体成分含量是时间的函数 正性抗蚀剂中增感剂会随时间而分解 形 成沉淀物 从抗蚀剂中滤掉 导致净的固体成分含量发生变化 抗蚀剂粘度依赖于固体成分含量和温度 而且是确定淀积抗蚀剂层厚度的两关键因素之一 另一是旋转速度 正因如此 在涂胶和旋转过程中必须严格控制固体成分含量和抗蚀剂 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 12 温度 以获得能重复的薄层厚度 如 100 厚度均匀性 动态粘度单位是泊 等于1达因 秒 cm 光致抗蚀剂的粘度用厘泊 cp 0 01泊 表示 一些抗蚀剂供应商以动粘度形式提供粘 度信息 也即动态粘度除以抗蚀剂密度 抗蚀剂密度为g cm3 动力粘度单位为厘沲 cSt 根据ASTMStd F6684测量粘度 由于固体成分含量和粘度有关 可通过固体成分含 量与粘度的关系曲线建立检查新来抗蚀剂样品的依据 涂胶过程中有效的粘度也是抗蚀剂 中分子量分布的函数 并且必须引入一技术如凝胶渗透来确定分子量分布 图7表示了 AZ1300正胶的固体成分含量与粘度的关系 大多数抗蚀剂制照商可以提供几乎任何粘度 的抗蚀剂 而且粘度值在预定值的 0 2cSt之内 颗粒和金属含量颗粒和金属含量颗粒和金属含量颗粒和金属含量 抗蚀剂材料的纯度是一极其重要的指标 最主要的纯度包括抗蚀剂中的颗粒和金属含 量 为了满足无粒子材料的严格要求 抗蚀剂供应商已经建立了一极其严格的过滤和封装 步骤 由超净包装提供的过滤过的产品有很高的纯度 尽管已是这样纯净 有些用户仍选择过滤抗蚀剂 他们认为过滤和包装后随着抗蚀剂 的老化 仍会有颗粒产生 例如 涂胶中空气就会导致产生颗粒 一般过滤的程度越高 价钱也越贵 采用一独立过滤器顺流过深度过滤器的两极过滤系统被认为是最好的内部过 滤 抗蚀剂通过过滤器隔膜同时伴有干燥的惰性气体 如氮气 这种系统的颗粒除去可以 达到0 1 m的水平 金属含量是指材料中钠和其他金属的含量 由于它们在抗蚀剂中可以导致连续的污染 和器件的恶化 所以期望金属的含量很低 尤其是钠 小于0 5ppma 这些低含量的钠 和 钾 是用原子能的吸收分光光度计测量的 闪点和闪点和闪点和闪点和TLV额定值额定值额定值额定值 抗蚀剂在液态时通常都是易燃品 闪点是抗蚀剂着火的温度 在这个温度 气体密度 高到足以引起抗蚀剂气体以明火的形式点燃 这个温度值是由卖主提高的 这样运输和处 理抗蚀剂的步骤就可确定 典型的闪点是大于30 安全极限浓度 TLV 是毒性额定值 它指明了在一工作日中 工人可以安全承受的物 质的最大外界浓度 百万分之一 在工业材料的危险性中 N I Sax对TLV额定值进行了更 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 13 广泛的讨论 主要集中在溶剂从抗蚀剂中析出 许多抗蚀剂卖主正在用毒性更小的物质来 代替传统的溶剂成分之一如溶纤剂醋酸脂 工艺宽容度工艺宽容度工艺宽容度工艺宽容度 一致性和贮藏一致性和贮藏一致性和贮藏一致性和贮藏寿命寿命寿命寿命 使产品工艺维持在指定范围内的工程师设置了关于光致抗蚀剂的工艺范围的储存 也 就是说 想要的抗蚀剂应该能在生产的工艺波动中生产出在指定限制下的关键尺寸 由于 工艺参数很容易变化 因此通常要求最大范围的抗蚀剂处理步骤是 a 适度的坚膜 时间和 温度 b 曝光 时间 光源功率 抗蚀剂厚度 c 聚焦 硅片平整度 d 显影 时间 适度坚 膜 显影液浓度 显影液温度 显影方式和曝光时间 一般负性胶的工艺范围比正性胶大 一旦工艺确定 重要的是不再改变 所以 抗蚀剂的另外一个关键特征是如果是同样 的工艺状态 则用同样的方式处理 这就要求供应的抗蚀剂具有批与批之间的一致性 大 多数制造商提供的抗蚀剂 其灵敏度在 5 范围内波动 可以承受曝光能量 20 的波动 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 14 抗蚀剂中的一些成分可以经受随时间和温度的变化 由于这些变化 如自聚合作用 引起聚合物或凝胶的形成和抗蚀性速度的变化 负性胶的贮藏寿命通常比正性胶短 这些 变化表明了增感剂的分解 然而 在极关键应用中 六个星期后许多正性胶就该再过滤 以去除分解的增感剂沉淀物 新来的材料预过滤 遵守正确的装运和储存规程以及条件 21 在制造商标明的储存期限之前用完 必须定期监视时间码 和使用前过滤 这应该 会使与变质有关的问题降到最低程度 光学光致抗蚀剂材料类型光学光致抗蚀剂材料类型光学光致抗蚀剂材料类型光学光致抗蚀剂材料类型 正性光学抗蚀剂正性光学抗蚀剂正性光学抗蚀剂正性光学抗蚀剂 用于微电子的正性胶是由三种成分组成的 即基体 增感剂和溶剂 它的特性是随光敏感 成分的光化学变化而改变的 从可溶的阻化剂变为可溶的增强剂 正性胶的基体成分是低 分子量线型酚醛树脂 它形成了抗蚀剂层的特性 专门术语 线型酚醛树脂 或 新胶膜 描述 了这些树脂当初开发的目的 生产的大量线型酚醛树脂主要用于胶合板的粘结等 只有很 少一部分是用于光致抗蚀剂原料 线型酚醛树脂溶于或散于液态基体 举例来说 如果一 膜层只包含线型酚醛树脂 即没有抑制树脂溶解的增感剂 这样的膜 假设已经足够烘焙 将很快溶于显影液 如以150 s的速度 正性胶中的感光剂 PAC 是重氮挥发油苯醌 这种物质是能感光的 但在液态显影剂 溶液中难以溶解 它也阻止线型酚醛树脂溶于显影液 即作用是抑制溶解 未曝光的正性 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 15 胶层以10 20 s的速度溶于显影液 一般树脂与PAC的比率是1 1 这些抗蚀剂的溶剂一 般是n 丁基醋酸脂 二甲苯和溶纤剂醋酸纤维素的混合物 图8是化学成分和在重氮苯醌 线型酚醛树脂材料中发生的反应的总结17 重氮苯醌在 曝光前是溶解抑制剂 曝光则发生化学分解 这就导致分子重排和水解 形成最终产物羧 酸 羧酸光化产品易溶于基体的溶剂 溶解增强剂 所以 薄膜曝光后 抑制剂发生了完 全的光分解 材料就溶于液态显影剂中 其溶解速率等于或大于只含线型酚醛树脂的材料 如约1000 2000 s对150 s 另一方面 未曝光的几乎不溶于显影液 小于可溶性的100 倍 这种溶解度差异是正性胶形成图象的基本原理 图6a表示了典型的重氮挥发油苯醌和通常的线型酚醛树脂的紫外光吸收光谱 挥发 油苯醌敏化剂在365nm 405nm 和低于436nm内 水银发射线有强烈的吸收 表1列出了其 他族的正性胶 叫SHIPLEYS 1400系列的一些典型的电学和物理学特性 由于正性胶具有较高的分辨率 1 m VLSI中主要应用正性胶 显影剂不能渗入未曝 光区 基于此 能力提高了 结果 曝光后仍能保持其所拥有的尺寸 甚至在浸入显影液 后 负胶中显影液渗入曝光区和未曝光区 在未曝光区 这种渗透导致薄层溶解 但尽管 在曝光区几乎不溶解 溶剂的渗透引起溶胀和尺寸改变 这就降低了负胶的分辨率 此外 正胶的抗干法刻蚀能力有所改变 其热稳定性也比负胶好 抗蚀剂供应商也提供用户特定 的正性胶 以与指定的光刻系统匹配 该系统以前是用负胶的 在步进PR工艺中 这里产 能是由对准 调焦和硅片输送表示的 尽管正胶慢于负胶 较低的灵敏度并不明显降低产 能 然而 多种大批供应的正胶 性能上也存在一些差别 事实上 下列特性的一种或多 种就意味着由特定的抗蚀剂表现 不过用户必须确定对于各自的应用哪种抗蚀剂优点最明 显 这些特性包括 抗蚀剂的批与批之间的一致性 优良的分辨率 宽的工艺宽容度 与 氧化层和金属以及其他表面的良好粘附 粘度范围可调 降低了对反射和外形的灵敏度 驻波无影响 低金属离子含量 光刻机效用 承受高 如200 工艺温度能力 铝干刻抗蚀 力 低的颗粒数 高反差 步间极微的线宽变化 显影中极小的未曝光层损失 高照相速 度 较好的厚度均匀性 无溶纤剂醋酸纤维素 以及满足OSHA安全性和TLV要求 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 16 负性光学光致抗蚀剂负性光学光致抗蚀剂负性光学光致抗蚀剂负性光学光致抗蚀剂 在历史上负胶曾广泛用于微电子工业 直到VLSI分辨率要求达到2 m后才被代替 显影中负胶的溶胀使得它不适于小于3 m的关键尺寸 然而光刻中负胶具有来自好几个特 性的长久优势 事实上 可以预见 由于这些优势 负胶仍将在许多较低分辨率光刻工艺 中有广泛的应用 尤其是在一些老的硅片生产线上 在这些线上更换掩模以适用正胶的费 用太昂贵 与正胶相比 负胶优点包括以下这些 1 对一些衬底表面更好的粘附力 2 更快的照相速度 这允许更高的曝光产能 这样降低制造成本 3 在显影剂稀度和温度 方面稍宽的工艺宽容度 4 较低的费用 大约正胶的三分之一 光学负胶 象正胶一样 是三种成分的材料 尽管它们的化学特性和感光行为完全不 同 形成图像的成分是环化合成橡胶树脂 它对辐射不敏感 但易溶于非极性有机溶剂 如甲苯和二甲苯 感光成分 PAC 是二芳基叠氮化物 环化橡胶基体的典型化学结构和通 常使用的PAC如图9所示 也应该指出的是 在用到硅片表面之前 负胶是液态的 溶于 芳族溶剂 大多数光学负胶曝光后变得不可溶 也就是光化学反应产生了三维分子网交链 这不 溶于显影液 与交链分子产生相关的光化学变化如图9所示17 最重要的光反应是氮从芳基 叠氮化物的激发态演变为非常活跃的中间化合物 叫nitrene 活性的nitrene可以发生各种 反应 产生更稳定的分子 在一些情况下 产生聚合物 聚合物链接或交链 在投影式光刻中 光总是沿投影光学发散 在负胶的最上面交链了一薄层 这一薄层 能变得无用和特性之间的断层 导致吐渣效应 已经观察到大约有1 的散射光就能引起这 种不需要的机理 和破坏精细 如1 m 图形的像 注意到在正胶中 这种散射光仅仅导致 抗蚀剂厚度略有减小 并不产生吐渣18 在一些负胶中 如果在有氧的场合下曝光 敏化剂就会分解而不发生聚合物交链 反 应则保持但限制在靠近自由表面的薄层中 所以仍可溶于显影液 这会降低薄抗蚀剂层 如 0 5 m 的厚度 导致在后面的刻蚀中没有足够的保护层 所以 推荐采用保护抗蚀剂表 面在氮气气氛中曝光这种方法来减弱这种效果 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 17 正胶的图像反转正胶的图像反转正胶的图像反转正胶的图像反转 已经发展了一种有趣且有用的技术 这允许正胶中的像的明暗反转 这样就象负胶一 样起作用 对这种工艺 有好几种迷人的应用 首先 在要求明场和正胶的VLSI工艺中有 一些掩模层 然而与明场相比 优先选择暗场掩模版 这是因为减小了光的散射效应 并 且颗粒易于落在掩模版的暗区 因而不会影响图形 在第十三章已讨论了明场和暗场掩模 版 进行像反转的能力允许在整个工艺中使用正胶和暗场掩模版 像反转另一可能应用是 这种情况 即已用正胶工艺生产新产品 但是由于更换掩模费用太昂贵 就用现存的掩模 版来生产旧产品 采用了像的反转工艺就可以使用正胶和负版 首先报道的图像反转工艺包含正胶中加入了一种物质作为添加剂 这种物质允许溶解 增强剂 羧酸 热剥蚀以在抗蚀剂的初始曝光后形成一代用的茚19 茚不溶于水基 作用是 溶解抑制剂 对抗蚀剂再一次曝光 大流量曝光 导致先前未曝光区 上面仍留有感光化合 物 重氮苯醌 变为能溶于显影液 这样 在显影中 由于代用茚的存在 受到第一次曝光 的区域以较慢的速度溶解 最后仍留有初始光刻胶厚度的75 留下 但是由于加入了一种 材料到抗蚀剂中会导致沾污和一致性问题 所以这种工艺并没有得到广泛应用 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 18 把引起反转的物质引入抗蚀剂的另一方法已得到了发展 且已广泛应用 图10 这就是 初始曝光后抗蚀剂层必须得到胺蒸汽 胺通过抗蚀剂扩散 与曝光过的抗蚀剂表面上的羧 酸光合产物发生反应 这是与原始的像反转工艺相同的化学方法 这个工序在真空烘烤室 内进行 这允许胺蒸汽均匀传递到抗蚀剂上 温度均匀控制在 1 5 蒸汽处理后再进行 UV光高剂量的曝光 抗蚀剂用常规方式显影 据说工艺提供的分辨率等同于正胶图像可获得的 而且关键尺寸控制得好 反差令人 满意 还有足够的焦深 也有可能允许控制得图像其斜率与膜厚的关系与常规正胶工艺不 一般 甚至可提供超过90o的墙角 反转墙角 这个特征在金属去除工艺中将很有用 多层抗蚀剂工艺多层抗蚀剂工艺多层抗蚀剂工艺多层抗蚀剂工艺 当抗蚀剂层交叉时 局部的厚度会有改变 这是因为穿过上面台阶的抗蚀剂比下面覆 盖硅片区的抗蚀剂薄得多 这样 曝光过程中 要么薄的抗蚀剂过度曝光 要么厚的抗蚀 剂曝光不足 显影后 跨越台阶的抗蚀剂图形的线宽就有变化 最上面的窄 对台阶高度 接近线宽尺寸 如对线宽或间距1 m或更小 时的线 尺寸上的这种变化就不允许 此外 厚抗蚀剂层中的驻波效应降低了最小分辨率 最后 反射衬底也降低了厚膜的分辨率 见台 阶中的线宽变化 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 19 使用薄抗蚀剂层可以缓和驻波和反射衬底这两个问题 但不能克服台阶覆盖限制 然 而 薄像层下的厚的平坦化层可以降低上述这些问题的影响 采用这些下伏的平坦化层的 方法 叫多层抗蚀剂工艺 MLR 这是由于需要两层或多层以完成21 在MLR工艺中 先在硅片上溅射一层有机层 比下垫的厚 使得硅片光滑和更加平 坦 前烘底层后 淀积一薄像层 一些情况下 在淀积像层之前 在厚度上淀积第三种薄 的转换层 如二氧化硅 这样薄的顶层就能建立一高分辨率的图形 下一步 这些就会精 确的转移到下层上 采用刻划的像层作为覆盖层曝光掩模板 或作为制平坦化层的刻蚀掩 模板 利用MLR工艺可以制出分辨率小于0 5 m的图形 然而MLR工艺的优点是以增加复杂性为代价的 这导致产能减小 缺陷增加 成本 也增加 在可以容忍范围内增加的复杂性和缺陷密度依赖于对准工具的完备和整个器件工 艺 这一节将描述三层抗蚀剂的工艺 a 移动的整合掩模工艺 或PCM b 有机的三 层工艺 c 采用一无机抗蚀剂 Ag2Se GexSe1 x 作为像层的两层工艺 PCM是最简单的MLR系统 是唯一的据说已在1985年的VLSI生产模式中使用的22 在这个工艺中 厚的下垫抗蚀剂层 如PMMA 对深紫外敏感 用于平坦化表面 然后在 PMMA上淀积薄的抗蚀剂层 它对近紫外敏感 但不透过深紫外 上面一层通常是刻划图形的 用于PMMA的整合深紫外掩模 然后对PMMA大流量曝 光 采用深紫外 接着显影 PCM工艺的分辨率和三层工艺的分辨率相同 这是由于它们 采用同样的像抗蚀剂层 GexSe1 x层工艺的分辨率高是由于它的边缘锐化效应 干法刻蚀 时PMMA的不稳定性是PCM工艺的限制因素 为了提高干法刻蚀中的耐久性 常常在 PMMA上保留像抗蚀剂 这通常称为CAPPED结构 PCM工艺另一特点是可以在常规光刻 设备上进行 对PMMA的大量曝光采用深紫外光 另一方面 在PMMA 光学抗蚀剂层界面 的膜界面层会引起曝光和显影问题 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 20 在三层抗蚀剂工艺中 图11 再次使用厚的有机层来部分平坦化表面23 这层材料采用常规 的正性光学光致抗蚀剂 聚酰亚胺和聚砜 然后淀积一薄层二氧化硅 自旋或PECVD 作为 底层的刻蚀掩模 最后涂了像抗蚀剂层 并用常规方式 如近紫外曝光和湿法显影 形成图 形 为了将驻波效应和衬底反射减至最小 下面涂了保护层以增加它的光学密度 见抗蚀剂 工艺 曝光 对二氧化硅和下面的层采用干刻 这是各向异性地 它精确地把图形从薄的 像层转移到下面的较厚层上 三层工艺的主要缺点是增加了复杂性 在Ge Se双层工艺中 发挥了硫属化物玻璃的高反差和高分辨率优点 见无机抗蚀剂 一节 这些材料用于双层结构的像层 底层是厚的聚合物 如AZ2400抗蚀剂 这个工艺 是三种MLR工艺中分辨率最高的 但也是显影最复杂的 由于它的显影能力比较小 通常 采用X 射线或电子束光刻 反差增强层反差增强层反差增强层反差增强层 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 21 对于三层抗蚀剂工艺 提高用投影式对准器获得的最大分辨率的一种可选技术 是采 用可漂白的顶层 叫反差增强层 CEL 24 分辨率改善的代价是增加工艺复杂性 延长曝光 时间和显影时间 注意 使用CEL 曝光时间增加了三倍 但光刻光刻光刻光刻时间仅增加15 CEL层组成原料是前烘后旋转涂到有抗蚀剂保护的硅片上的 其厚度为1000 3000 通 常这层是不透光的 但在对准工具的光源下曝光后 变为透光的 当从投影式光刻的像掩 模聚焦到硅片上 不透光的CEL层受到了高强度光照射的区就转化为透光的 这在CEL上 建立了窗口 通过窗口 光可以照射和对抗蚀剂曝光 不透明的CEL区仍吸收相关的弱衍 射光 由于CEL与抗蚀剂直接接触 作用类似在接触式光刻中的薄掩模板 正如第十三章 中已讨论的 接触式光刻比投影式光刻的分辨能力高 此外 由于CEL是作为相关的薄层 应用的 它具有固有的高分辨能力 这样 使用CEL就可发挥投影式光刻的优点 而没有 接触式光刻的限制 另外 与PCM工艺不同 CEL工艺没有界面层的问题 CEL的存在提 高了有效到达抗蚀剂上的光照的反差 正是由这个事实导出了CEL这个名字 上海矽裕电子科技有限公司 TEL 021 51385583 真空吸笔真空吸笔真空吸笔真空吸笔 理片机理片机理片机理片机 倒片机倒片机倒片机倒片机 金属片架金属片架金属片架金属片架 取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟取舟器石英舟 取舟器取舟器取舟器取舟器 外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩外延石英钟罩 定制工具定制工具定制工具定制工具 净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品净花及防静电用品 22 曝光后和显影前 CEL完全剥离 这要求在喷雾式显影剂中附加一喷嘴 利用喷嘴在 剥离溶液中喷 抗蚀剂工艺 显影 然后在正常的显影开始之前进行旋转甩干步骤 CEL 去胶操作