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1 国产半导体器件的命名方法二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 74 规定，由五部分组成。第一部分：用数字表示器件电极的数目。第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。第四部分：用数字表示器件序号。第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 1 所示。表 5 1 国产半导体器件的命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分符号意义字母意义字母意义字母意义意义意义2二极管AN 型，锗材料P普通X低频小功率(fa3MHz ， Pc3MHz ， Pc1W)DP 型，硅材料L整流堆3三极管APNP 型，锗材料N阻尼管D低频大功率(fa1W)BNPN 型，锗材料K开关管CPNP 型，硅材料F发光管A高频大功率(fa3MHz ， Pc1W)DNPN 型，硅材料S隧道管E化合物材料U光电管T可控硅CS场效应管BT特殊器件2 日本半导体器件的命名方法日本半导体器件命名型号由五部分组成。第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。 1 表示二极管， 2 表示三 极管。第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号。第五部分：表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表 5 2 所示。表 5 2 日本半导体器件的命名第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分序号意义符号意义序号意义序号意义序号意义O光电二极管 或三极管S已在日本电子工业协会注 册登记的 半导体 器件APNP 高频晶体管多 位数 字该器件在日本电子工业协会的注册登记号ABCD该器件为原型号产品的改进产品BNP 低频晶体管CNPN 高频晶体管1二极管DNPN 低频晶体管2三极管或有三个电极的其他器件EP 控制极可控硅GN 控制极可控硅HN 基极单结晶管JP 沟道场效应管3四个电极的器件N 沟道场效应管M双向可控硅3 美国半导体器件的命名方法美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。第一部分为前缀。第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分。第五部分为后缀。这五部分符号及意义如表 5 3 所示。表 5 3 美国半导体器件的命名第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示器件的类别用数字表示 PN 结数目美国电子工业协会注册标志美国电子工业协会登记号用字母表示器分挡序号意义序号意义序号意义序号意义序号意义JAN 或 J军用品1二极管N该器件是在美 国电子工业协会注册登记的半导 体器件多位数 字该器件在美国电子工业协的注册登记号ABCD同一型号器件的不同挡别半导体三极管型号组成部分的符号及其意义如下。第一部分:用3表示为三极管第二部分:用汉语拼音宇母表示器件的材料及极性，如表一所示。表一半导体三极管使用材料和极性的符号及意义第三部分:三极管的类型，用汉语拼音字母表示，见表二。表二
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