R.S.T测试内存颗粒的方法.doc

01234567 89ABCDEF 01234567 89ABCDEF 01234567 89ABCDEF 01234567 89ABCDEF 1 2 3 4 5 6 7 8 闪动的一排测试数字代表内存8颗粒的测试情况。 从左至右，0-7代表第一区域，8-F代表第二区域;0-7代表第三区域,8-F代表第四区域;依次代表内存条的8颗颗粒。DDR8位与16位的单面测法:. 0-7(1 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第1颗粒已经损坏. 8-F(2 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第2颗粒已经损坏. 0-7(3 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第3颗粒已经损坏. 8-F(4 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第4颗粒已经损坏. 0-7(5 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第5颗粒已经损坏. 8-F(6 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第6颗粒已经损坏. 0-7(7 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第7颗粒已经损坏. 8-F(8 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第8颗粒已经损坏注意:DDR的颗粒排列循序是1-2-3-4-5-6-7-8如果你是128M的双面DDR内存,如以上显示界面图:1-16M -16-32M -32-48M -48-64M-从1M到64M的上面的4根虚线上出现乱码的话,说明这根内存的的第一面的颗粒有问题(判断哪个颗粒的好坏按照以上的说明) 64-80M -80-96M -96-112M-112-128M-从64M到128M的上面的4根虚线上出现乱码的话,说明这根内存的的第二面的颗粒有问题(判断哪个颗粒的好坏按照以上的说明) 意:在内存的PCB板上的两边标着1与92的代表第一面，93与184的代表第二面。1-128M的8根虚线是用来区分两面区域的作用.SD的8位与16位的单面测法:. 0-7(1)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第8颗粒已经损坏. 8-F(2)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第4颗粒已经损坏. 0-7(3)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第7颗粒已经损坏. 8-F(4)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第3颗粒已经损坏. 0-7(5)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第6颗粒已经损坏. 8-F(6)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第2颗粒已经损坏. 0-7(7)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第5颗粒已经损坏. 8-F(8)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第1颗粒已经损坏（注： PCB板上从1到84为第一面，颗粒的排列顺序从1到84为8-7-6-5-4-3-2-1，切记注意）4.通过以上的介绍，说明SD的双面是跟DDR的是一样的。但是颗粒的好坏判断要按照 它们的排列循序来判断。5.PCB板的短路或者虚焊的测法:如果在8根虚线上都出现乱码，说明这根内存的PCB板有问题6.点不亮的内存的测试方法: 很多内存短路或者颗粒损坏后都不能点亮，点不亮的可以用一根好的内存去带