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電子實習二極體齊納二極體一、單選題(題 每題分 共分)( ) 1. 在P型半導體中，載子的狀況是 (A)只有電洞 (B)只有電子 (C)有多數電子及少數電洞 (D)有多數電洞及少數電子。( ) 2. 在本質半導體中，摻入下列何項雜質元素，即可成為P型半導體？ (A)磷 (B)硼 (C)砷 (D)銻。( ) 3. 下列有關二極體特性的敘述，何者不正確？ (A)溫度上升時，切入電壓隨之降低 (B)溫度上升時，逆向飽和電流隨之增加 (C)擴散電容(diffusion capacitance)效應主要是在逆向偏壓時發生 (D)逆向偏壓愈大時，則空乏區電容(depletion capacitance)愈小。( ) 4. 下列有關二極體的敘述，何者正確？ (A)在順偏時，擴散電容與流過之電流量無關 (B)空乏區電容隨外加逆向偏壓之增加而減少 (C)當外加逆向電壓增加時，空乏區寬度將減少 (D)在固定之二極體電流下，溫度愈高，則二極體之順向壓降愈高。( ) 5. 使用三用電表之電阻檔測量二極體，假設二極體的順向電阻為R1及逆向電阻為R2，若二極體為良好，則下列敘述何者正確？ (A)R1的值非常小，R2的值非常大 (B)R1的值非常小，R2的值亦非常小 (C)R1的值非常大，R2的值非常小 (D)R1的值非常大，R2的值亦非常大。( ) 6. ( ) 7. 在室溫下，未加偏壓之PN二極體在PN接面附近的狀況為 (A)P型半導體帶正電，N型半導體帶負電 (B)P型半導體帶負電，N型半導體帶正電 (C)P型及N型半導體皆不帶電 (D)P型及N型半導體所帶之電性不固定。( ) 8. 如圖之二極體在流通1 mA電流時，兩端的電壓差為0.7V，若=1且VT=25 mV，則vD為(計算時可參考底下的自然對數表)： (A)0.7V (B)0.73V (C)0.76V (D)0.79V。( ) 9. ( )10. 在矽半導體材料中，摻入三價的雜質，請問此半導體形成何種型式？半導體內部的多數載子為何？此塊半導體之電性為何？ (A)N型半導體；電子；電中性 (B)N型半導體；電子；負電 (C)P型半導體；電洞；電中性 ()P型半導體；電洞；正電。( )11. ( )12. 下列有關PN接面二極體的敘述，何者有誤？ (A)矽二極體的障壁電壓（barrier potential）較鍺二極體高 (B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄 (C)溫度上升時，障壁電壓上升 (D)溫度上升時，漏電流上升。( )13. 在本質半導體中，摻入五價雜質元素，則成 (A)P型半導體 (B)N型半導體 (C)PN二極體 (D)J型半導體。( )14. 在本質半導體加硼則成 (A)P型半導體 (B)N型半導體 (C)J型半導體 (D)I型半導體。( )15. P型半導體所加之雜質為 (A)二價 (B)三價 (C)四價 (D)五價。( )16. 障壁電勢乃是其區域內有 (A)電子 (B)電洞 (C)正離子及負離子 (D)正負電壓。( )17. PN接面接順向偏壓時，空乏區寬度 (A)不變 (B)變大 (C)變小 (D)不一定。( )18. 純半導體中最常使用的材料為鍺(Ge)和矽(Si)，兩者皆為幾價元素？ (A)3價 (B)4價 (C)5價 (D)2價。( )19. 下列敘述何者正確？ (A)電源正端接P，負端接N，稱為逆向偏壓 (B)P端接負，N端接正，稱為順向偏壓 (C)外加逆向偏壓時，空乏區的寬度加大 (D)外加順向偏壓時，空乏區的寬度維持不變。( )20. 二極體若加順向偏壓則 (A)障壁電壓降低，空乏區寬度減小 (B)障壁電壓增加，空乏區寬度減小 (C)障壁電壓增加，空乏區寬度增加 (D)障壁電壓降低，空乏區寬度增加。( )21. 二極體施以逆向電壓時，仍然有小量電流，是因 (A)多數載子的流動所導致 (B)少數載子的流動所導致 (C)主、副載子同時流動所導致 (D)以上皆非。( )22. 所謂理想二極體，下列敘述何者錯誤？ (A)順向時視為短路，逆向時視為開路 (B)順向電阻等於零，逆向電阻無限大 (C)無順向電壓降，無逆向電流 (D)順向電壓等於零，逆向電流無限大。( )23. 矽二極體比鍺二極體有 (A)較低的切入電壓 (B)較低的PIV值 (C)較寬的溫度範圍 (D)較大的漏電流。( )24. 矽或鍺二極體，溫度每增加多少度時，其逆向飽和電流將增加一倍？ (A)10 (B)20 (C)30 (D)40。( )25. 二極體規格中，逆向峰值電壓簡稱為 (A)PR (B)VR (C)r % (D)PIV。( )26. 一PN接面之障勢係由接面兩端之電荷建立，該電荷為 (A)主要載子 (B)副載子 (C)固定之施體及受體離子 (D)自由電子。( )27. 擴散電流之產生乃是 (A)半導體內載子濃度不同 (B)半導體內出現外加電壓 (C)半導體內出現溫度差 (D)以上皆非。( )28. 一般二極體的雜質和本質濃度比約為 (A)1：108 (B)1：109 (C)1：103 (D)1：102。( )29. 下列何者為半導體？ (A)矽 (B)鋁 (C)砷 (D)硼。( )30. 將硼元素摻進純矽晶體內，則成為 (A)N型 (B)P型 (C)I型。( )31. 在P型半導體中，傳導電流的載子主要是 (A)電子 (B)離子 (C)電洞 (D)質子。( )32. P型矽或鍺半導體 (A)導電性良好 (B)含有多量的電子 (C)含有多量的電洞。( )33. P型矽材料中主要電荷載子是電洞，其傳導電流時 (A)只有電子傳導 (B)只有電洞傳導 (C)電子、電洞都有傳導 (D)不是電子也不是電洞傳導。( )34. N型半導體中的少數載子(minority)是 (A)電子 (B)離子 (C)電洞 (D)質子。( )35. 整個N型半導體是呈現 (A)負電性 (B)正電性 (C)電中性 (D)視雜質(impurity)原子序而定。( )36. N型半導體中，主要載子濃度與施體離子的正電荷濃度關係是 (A)主要載子濃度大得多 (B)大約相等 (C)施體離子濃度大得多 (D)不一定。( )37. 當P型及N型半導體接觸時，即會產生一空乏層(depletion layer)，而P型半導體之空乏層內應有 (A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子。( )38. 半導體PN接合面，在P型之空乏區出現 (A)正電性 (B)負電性 (C)中性 (D)以上皆非。( )39. 對於PN二極體之空乏區如未加上偏壓時，有如下敘述：(1)空乏區應含有不動之正離子(2)空乏區應含有自由電子(3)空乏區根本沒有自由電洞。請問下列何者為錯？ (A)只有(1) (B)只有(2) (C)只有(3) (D)(1)及(3)。( )40. PN接面二極體的接合面兩側空乏區中 (A)有自由電子 (B)有自由電洞 (C)有正負離子 (D)什麼都沒有。( )41. PN二極體接面附近所形成接觸電勢(contact potential)的極性是 (A)視偏壓而定 (B)視溫度而定 (C)P端正，N端負 (D)P端負，N端正。( )42. 在PN二極體中，較容易產生電子流的方向是 (A)由P型至N型區 (B)由N型至P型區 (C)兩方向都很容易 (D)兩方向都很難。( )43. ( )44. PN接面的反向電阻隨溫度升高而 (A)加大 (B)減小 (C)不變 (D)先增大再減小。( )45. 矽質二極體在常溫下，其切入電壓(cutin voltage)約為 (A)0.2V0.3V (B)0.5V0.7V (C)1.2V1.5V (D)以上皆非。( )46. 一般PN二極體兩端順向電壓隨溫度變化的情形是 (A)2.5 (B)+25 (C)+2.5 (D)25 mV/。( )47. 下列敘述何者正確？ (A)在本質(Intrinsic)半導體中加入微量的5價元素則形成P型半導體 (B)N型半導體的多數載子為電洞 (C)P型半導體的少數載子為自由電子 (D)本質半導體中所加入之3價元素稱為施體(Donor)。( )48. 下列何種元素摻入純質半導材料中可將純質半導體的電特性轉變為P型半導體？ (A)磷 (B)砷 (C)銻 (D)硼。( )49. 對於二極體，下列敘述何者正確？ (A)用在檢波時，要工作在非線性區 (B)串聯可增加最大電流 (C)並聯可增最大逆向電壓 (D)施加逆向偏壓愈大，則空乏區寬度變小。( )50. 對於半導體之敘述何者錯誤？ (A)所謂N型半導體是在本質半導體中摻雜3價的元素 (B)N型半導體中的多數載子為電子 (C)當加以順向偏壓於PN接面時，空乏區會變窄 (D)當PN接面加以逆向偏壓時，仍有少數載子的流動，稱之為逆向飽和電流。( )51. 下列敘述對二極體而言何者為錯誤？ (A)可做整流工作 (B)可做放大工作 (C)可應用於檢波電路 (D)可應用於截波電路。( )52. 對N型半導體而言，下列敘述何者為正確？ (A)多數載體為電洞 (B)少數載體為電洞 (C)所摻雜質為三價元素 (D)少數載體為電子。( )53. 下列哪一項不做為二極體的材料？ (A)鍺 (B)雲母 (C)矽 (D)砷化鎵。( )54. 在N型半導體中，傳導電流的載子(carrier)主要是 (A)電子 (B)離子 (C)電洞 (D)分子。( )55. N型半導體於鍺或矽中加入之雜質為 (A)三價 (B)四價 (C)五價 (D)以上各價均可能。( )56. 下列有關矽與鍺二極體之比較何者正確？ (A)矽二極體的逆向峰值電壓遠高於鍺二極體 (B)矽二極體的可工作溫度遠低於鍺二極體 (C)矽二極體的臨界電壓低於鍺二極體 (D)矽二極體的反向飽和電流高於鍺二極體。( )57. 形成N型半導體要在本質半導體中加入微量 (A)二價 (B)三價 (C)四價 (D)五價 元素。( )58. 齊納二極體通常是工作於 (A)順向電壓 (B)零電壓 (C)逆向低電壓 (D)逆向崩潰電壓。( )59. 齊納二極體常應用於 (A)放大 (B)濾波 (C)整流 (D)穩壓 電路。( )60. ( )61. ( )62. ( )63. 使用三用電表的歐姆檔測試二極體順向特性時，其指針LV=0.6V，LI=2.4mA，則該二極體之內阻應為 (A)60 (B)120 (C)250 (D)400。( )64. 利用三用電表歐姆檔測試二極體二端，結果指針均不動，此時表示此二極體 (A)短路 (B)開路 (C)正常 (D)無法判定。( )65. 二極體逆向飽和電流是由何產生？ (A)多數載子 (B)因熱能產生的少數載子 (C)因熱能產生的多數載子 (D)因熱能產生的多數及少數載子。( )66. ( )67. 某電晶體之ICEO為2A及值為50，則ICEO約為 (A)50 (B)80 (C)100 (D)120 A。( )68. 利用歐姆表測試一二極體兩端，結果指針均指示在無限大位置，表示此二極體 (A)短路 (B)開路 (C)正常 (D)無法判定。( )69. 稽納二極體常應用於 (A)放大電路 (B)整流電路 (C)濾波電路 (D)穩壓電路。( )70. 測量電晶體特性好壞下列何者和儀表配合示波器測定較適宜？ (A)三用電表 (B)信號產生器 (C)電晶體特性曲線描繪器 (D)電子電壓表。( )71. 利用三用電表R檔測試鍺二極體之LV刻度值約為 (A)0.20.3V (B)0.60.7V (C)1.21.5V (D)1.82V。( )72. 以三用電表歐姆檔測試二極體二端，倘若不論正、負兩測試棒如何調換，其指針均偏轉至低電阻時，則表示此二極體 (A)短路 (B)開路 (C)正常 (D)無法判定。( )73. 利用三用電表的歐姆檔測試矽二極體之順向特性時，LI刻度為10mA，LV刻度為0.7V，則此二極體內阻為多少？ (A)50 (B)60 (C)70 (D)80 。( )74. 一般二極體之V-I特性曲線，水平軸通常代表 (A)電壓 (B)電流 (C)不一定 (D)以上皆非。( )75. 半導體是一種由幾價元素所形成的材料？ (A)3價 (B)4價 (C)5價 (D)6價。( )76. N型半導體是在矽或鍺晶體中摻雜微量的 (A)硼（B） (B)磷（P） (C)鎵（Ga） (D)銦（In）。( )77. P型半導體是在矽或鍺晶體中摻雜微量的 (A)磷（P） (B)砷（As） (C)鎵（Ga） (D)銻（Sb）。( )78. 何謂PN接面二極體的順向偏壓？ (A)P型半導體接電源的正極，N型半導體接電源的正極 (B)P型半導體接電源的負極，N型半導體接電源的正極 (C)P型半導體接電源的負極，N型半導體接電源的負極 (D)P型半導體接電源的正極，N型半導體接電源的負極( )79. 當PN接面二極體施加逆向偏壓後，空乏區的寬度會變 (A)窄 (B)不變 (C)寬 (D)以上皆非。( )80. 哪一種二極體使用在電源電路中，擔任將交流電壓（AC）轉換為直流電壓（DC）的重要角色？ (A)整流二極體 (B)發光二極體 (C)稽納二極體 (D)變容二極體。( )81. 哪一種二極體具有穩壓功能？ (A)整流二極體 (B)發光二極體 (C)稽納二極體 (D)變容二極體。( )82. 一般而言，矽質二極體的障壁電壓約為 (A)0.2 (B)0.4 (C)0.6 (D)1.2 V。( )83. 一般而言，鍺質二極體的障壁電壓約為 (A)0.2 (B)0.6 (C)0.8 (D)0.9 V。( )84. 二極體在直流電路中所扮演的角色就是一個開關，所以 (A)當順向偏壓時，二極體導通。當逆向偏壓時，二極體不導通 (B)當順向偏壓時，二極體不導通。當逆向偏壓時，二極體不導通 (C)當順向偏壓時，二極體導通。當逆向偏壓時，二極體導通 (D)當順向偏壓時，二極體不導通。當逆向偏壓時，二極體導通。( )85. 稽納二極體一般皆工作於 (A)順向偏壓 (B)逆向偏壓 (C)順向偏壓與逆向偏壓 (D)以上皆非。( )86. 當整流二極體的逆向偏壓超過崩潰電壓時，整流二極體可能會 (A)具有放大功能 (B)變成稽納二極體 (C)變成發光二極體 (D)燒毀。( )87. 發光二極體的符號為 (A) (B) (C) (D)( )88. 如圖符號為 (A)稽納二極體 (B)整流二極體 (C)通道二極體 (D)發光二極體。( )89. 發光二極體(LED)導通時順向電壓降約為 (A)0.3 (B)0.7 (C)1.6 (D)5 V。( )90. 二極體反向偏壓時，空乏區寬度 (A)不變 (B)變大 (C)變小 (D)不一定。( )91. 半導體之電中性是指 (A)無自由電荷 (B)無主要載子 (C)有等量的正電荷與負電荷 (D)無電荷存在。( )92. 在N型半導體裡，電洞的濃度將隨溫度的升高而 (A)增加 (B)減少 (C)對數關係增加 (D)無關。( )93. 當溫度升高時，一般金屬導體之電阻值增加，矽半導體在溫度上升時，其電阻值 (A)下降 (B)上升 (C)不變 (D)成絕緣體。( )94. N型矽或鍺半導體 (A)為絕緣體 (B)含有多量電洞 (C)是不良的導電體 (D)含有多量的電子。( )95. 二極體不能做下列哪一項工作？ (A)整流 (B)檢波 (C)放大 (D)偏壓。( )96. LED發光顏色與下列何者有關？ (A)外加電壓大小 (B)外加電壓頻率 (C)材料能帶間隙 (D)通過電流大小。答 案 一、單選題 1. D 2. B 3. C 4. B 5. A 6. A 7. B 8. C 9. B 10. C 11. D 12. C 13. B 14. A 15. B 16. C 17. C 18. B 19. C 20. A 21. B 22. D 23. C 24. A 25. D 26. C 27. A 28. A 29. A 30. B 31. C 32. C 33. C 34. C 35. C 36. B 37. C 38. B 39. B 40. C 41. D 42. B 43. B 44. B 45. B 46. A 47. C 48. D 49. A 50. A 51. B 52. B 53. B 54. A 55. C 56. A 57. D 58. D 59. D 60. B 61. C 62. D 63. C 64. B 65. B 66. C 67. C 68. B 69. D 70. C 71. A 72. A 73. C 74. A 75. B 76. B 77. C 78. D 79. C 80. A 81. C 82. C 83. A 84. A 85. B 86. D 87. B 88. A 89. C 90. B 91. C 92. A 93. A 94. D 95. C 96. C 解 析 一、單選題2. P型半導體為本質半導體中摻入三價元素。7. 當P型及N型的兩個半導體結合時，結合面就產生一條很窄的區域稱為空乏區，在空乏區內無自由電子及電洞，僅存有正、負離子(P型區為負離子，N型區為正離子)。8. (1)ID=IO(1)IO1mA=IOIO=e-28Ma(2)10mA= e-28mA= mA=ln10=2.303 VD=30.30325mV=757.58mV0.76V9. VR