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模拟CMOS集成电路设计课程试卷(A)卷考试形式 闭 卷 年 月院系:电子信息学院 年级 专业 学号: 姓名 成绩 1 以NMOS为例,简要说明何谓沟道长度调制效应。(10%)2 MOS管的跨导对于由MOS管构成的电路性能有重大的影响,试分析MOS管工作与饱和区时,以下三种情况下,跨导随着某一个参数变化,而其他参数保持恒定时的特性,画出相应曲线。(1)W/L 不变时,gm 与 (VGS-VTH ) 的变化曲线;(2)W/L 不变时,gm 与 ID 的变化曲线;(3)ID 不变时,gm 与 (VGS-VTH ) 的变化曲线;(共15)3对于下图所示的电路,画出IX 和晶体管跨导关于VX 的函数曲线草图,VX 从0变化到1.5 V 。 (10)4假定以下电路中的MOS管都工作于饱和区,计算该电路的低频小信号电压增益,输入阻抗以及输出阻抗,假定0,0。(10)5试分析以下所示电路的高频率响应特性(1)求传递函数H(S);(2)求输入阻抗;(3)求输出阻抗;(10)6求以下电路的输入参考热噪声电压,假定0,0。(15)7. 下图为带有反馈系统的一级运算放大器,试分析以下电路:(20)(1)判断反馈的类型;(2)求该反馈系统的环增益;(3)求闭环时的小信号增益;(4)求闭环时的输入和输出阻抗。8. 试画出带隙基
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