ATmega16寄存器.docx

状态寄存器SREGITHBVNZCI：全局中断触发禁止位，为中断总控制开关。T：通用标志位，用户自定义。H：半进位标志位。S：符号标志位。V：溢出标志位。N：负数标志位。Z：零标志位。C：进/借位标志位。堆栈指针寄存器高8位SPHSP10SP9SP8堆栈指针寄存器低8位SPHSP7SP6SP5SP4SP3SP2SP1SP0通用中断控制寄存器GICRINT1INT0INT2IVSELIVCEINT1：外部中断1使能。INT0：外部中断0使能。INT2：外部中断2使能。IVSEL：中断向量表选择。当IVSEL=0时，中断向量区的位置定义在FLASH的开始处；当IVSEL=1时，定义在引导程序载入区的起始处。IVCE：中断向量表转移允许位。必须在IVCE位被写入1后的4个时钟周期内，修改IVSEL。4个时钟周期后，或IVSEL位写入后，IVCE位由硬件自动清零。通用中断标志寄存器GIFRINTF1INTF0 INTF2INTF1：外部中断1标志位。响应中断后，硬件清除。也可软件向该位写“1”清除。INTF0：外部中断0标志位。响应中断后，硬件清除。也可软件向该位写“1”清除。INTF2：外部中断2标志位。响应中断后，硬件清除。也可软件向该位写“1”清除。T/C中断屏蔽寄存器TIMSKOCIE2TOIE2TICIE1OCIE1AOCIE1BTOIE1OCIE0TOIE0OCIE2：T/C2输出比较匹配中断使能位。TOIE2：T/C2溢出中断使能位。TICIE1：T/C1输入捕获中断使能位。OCIE1A：T/C1输出比较A中断使能位。OCIE1B：T/C1输出比较B匹配中断使能位；TOIE1：T/C1溢出中断使能位。OCIE0：T/C0输出比较中断使能位。TOIE0：T/C0溢出中断使能位。T/C中断标志寄存器TIFROCF2TOV2ICF1OCF1AOCF1BTOV1OCF0TOV0TIFR寄存器中的各个中断标志是与TIMSK中的使能位一一对应。FLASH控制状态寄存器SPMCSRSPMIERWWSBRWWSREBLBSETPGWRTPGERSSPMENSPMIE：SPM中断允许当SPMIE位被置位，若状态寄存器中的I位也被置位时，SPM完成中断即被使能。只要SPMCSR寄存器中的SPMEN位被清零（程序存储器操作完成），SPM中断服务将被执行（避免轮询占用较多机时）。RWWSB：RWW区忙标志当开始对RWW区进行自编程（页擦除或页写入）操作时，RWWSB位将被硬件置位，RWWSB一旦被置位，对RWW区的读操作将被禁止。在自编程操作完成后，向RWWSRE位写入1，会将RWWSB位清除。此外，如果开始一个页读取操作，也会将RWWSB位清零。RWWSRE：读RWW区允许当启动对RWW区自我编程（页擦除或页写入）操作时，RWWSB位被硬件置1，禁止对RWW区的读操作。在自我编程操作完成后（SPMEN=0），同时将RWWSRE位和SPMEN位置为1，在其后的4个时钟周期内的SPM指令将使RWW区重新开放。自我编程过程中（SPMEN=1），不能开放对RWW区的读操作。如果在加载Flash期间对RWWSRE位进行写操作，Flash的加载操作将被放弃，加载的数据也将丢失。BLBSET：引导锁定位设置如果该位与SPMEN位被同时置位，紧接其后4个时钟周期内执行SPM指令将根据寄存器R0中数据对引导锁定位进行设置，而寄存器R1的数据和Z寄存器中的地址则被弃置。在引导锁定位设置操作完成后，或在其后4个时钟周期内没有执行SPM指令时，BLBSET位将自动清零。在BLBSET和SPMEN位被置位后的3个时钟周期内，执行LPM指令可将锁定位（LOCK-Bits）或熔丝位（Fuse）（由Z寄存器的Z1、Z0位确定）内容读入目的寄存器Rd中。PGWRT：页写入若该位与SPMEN位被同时置位，紧接其后4个时钟周期内的SPM指令将执行页写入功能，将临时缓冲器中存储的数据写入Flash。写入页的地址取自Z指针中的高位部分，而寄存器R1和R0中数据则被弃置。页写入完成后，或在以后4个时钟周期内没有执行SPM指令时，PGWRT位将被自动清零；如果被写入页位于NRWW区，MCU将在整个页写入期间处于暂停状态。PGERS：页擦除若该位与SPMEN位被同时置位，紧接其后4个时钟周期内的SPM指令将执行页擦除功能，页地址从Z指针中的高位部分取出。在页擦除完成后，或在以后4个时钟周期内没有执行SPM指令时，PGERS位将被自动清零。如果被擦除页位于NRWW区，MCU将在整个页擦除期间处于暂停状态。SPMEN：FLASH程序存储器操作使能位当SPMEN位和RWWSR、BLBSET、PGWRT以及PGERS等4个标志位中的一个被同时置位时（即SPMCSR寄存器的低5位的设置值为10001、01001、00101和00011之一时，其他组合无效），那么紧接其后的4个时钟周期内，将允许SPM指令对程序存储器进行特定的操作。如果仅仅只是SPMEN位设置为1，接下来的SPM指令只是把R1：R0中的值写入到由Z指针寻址的临时缓冲页中（填写临时缓冲页功能）。此时地址指针寄存器Z的地位Z0被弃置。在SPM指令完成后，或者置位SPMEN后的4个时钟 周期内没有执行SPM指令的操作，SPMEN位将被自动清零。在页擦写和页写入的操作过程中，SPMEN位将一直保持为1，直到操作完成。TWI控制寄存器TWCRTWINTTWEATWSTATWSTOTWWCTWENTWIETWINT：TWI中断标志位。TWEA：TWI应答允许位。清除TWEA位，将使器件暂时“脱离”TWI总线。TWSTA：TWI启动信号状态位。当要将器件设置为串行总线上的主器件时，必须置位TWSTA。TWI接口硬件将检查总线是否空闲。如果总线空闲，将在总线上发出一个启动信号（START）。但是如果总线并不空闲，TWI将等到总线上一个停止（Stop）新年好被检测到后，再发出一个新的启动信号，以获得总线的控制权而成为主控器件。当起始信号发出后，TWSTA位将由硬件清零。TWSTO：TWI停止信号状态位当芯片作为主控器时，设置TWSTO位为1，将在总线上发出一个停止信号。当停止信号发出后，TWSTO位将被自动清零。当芯片作为从控器时，置位TWSTO位用于从错误状态恢复。此时，TWI接口并不发出停止信号，但硬件接口模块返回到正常的初始未被寻址的从控器模式，并释放SCL和SDA线为高阻状态。TWWC：TWI写冲突标志位在TWINT位为0时，试图向TWI数据寄存器TWDR写数据，TWWC位将被置位。在TWINT位为1时，写TWDR寄存器将自动清零TWWC标志位。TWEN：TWI允许位。TWEN位用于激活TWI接口和使能TWI接口操作当TWEN被置位时，TWI接口模块将I/O引脚PC0和PC1切换成SCL和SHA引脚，并使能滑速控制器和尖峰滤波器；如果该位被清零，TWI接口模块将关闭，所有TWI传输将被禁止。TWIE：TWI中断使能位。MCU控制寄存器MCUCRSM2SESM1SM0ISC11ISC10ISC01ISC00ISC11、ISC10、ISC01、ISC00：外部中断1:0中断方式控制位。INT10中断方式ISCx1ISCx0中断方式00INTx的低电平产生一个中断01连续两次采样检测到INTx的下降沿或上升沿，产生一个中断请求10连续两次采样检测到INTx的下降沿，产生一个中断请求11连续两次采样检测到INTx的上升沿，产生一个中断请求如果选择INT02脉冲边沿触发中断的方式，那么脉宽大于下表给出的最小脉冲时的脉冲变化将触发中断，过短的脉冲不能保证触发中断。如果选择INT01为低电平触发中断，中断请求（低电平）在被响应之前要一直保持有效。改变ISCx时，可能触发中断。建议首先将GICR中的该中断屏蔽位清零，再修改ISCx位（此时导致GIFR中的INTFx置位），重新使能中断之前，必须对INTFx写入逻辑“1”将其清除。异步外部中断特性符号参数最小值典型值最大值单位tINT异步中断的最小脉冲宽度TBD50TBDnsMCU控制状态寄存器MCUCSRJTDISC2JTRFWDRFBORFEXRTFPORFISC2：外部异步中断INT2有效触发沿选择位。ISC2=0，下降沿触发；ISC2=1，上升沿触发。修改方式同MCUCR中的ISCx。T/C0控制寄存器TCCR0FOC0WGM00COM01COM00WGM01CS02CS01CS00T/C0计数器TCNT0T/C0(8位)振荡器标定参数寄存器OSCCAL片上调试寄存器OCDR特殊I/O功能寄存器ADTS2ADTS1ADTS0ACMEPUDPSR2PSR10T/C1控制寄存器ATCCR1ACOM1A1COM1A0COM1B1COM1B0FOC1AFOC1BWGM11WGM10T/C1控制寄存器BTCCR1