RENA一次清洗作业规程.doc

文件编号版本状态A/0文件名称RENA二次清洗工艺操作规程页 码1/6编制/日期：审核/日期：批准/日期：1 目 的 去除硅片表面的磷硅玻璃；去掉硅片背面及周边p-n结。2 适用范围 适用于125、156多晶硅片二次清洗工位。3 责 任3.1 本工艺说明由电池事业部工艺人员制定修改。3.2 本工位员工需严格依工艺文件操作。3.3 质量部负责按文件要求对工艺检查、监督。4 设 备 RENA清洗机、冷却系统。5 环境要求 温度202，洁净度一万级。6 工具 125125片盒(PVDF材料)、156156片盒(PVDF材料)、围裙、长袖防护手套、防护面具、防毒面具、洁净服、PE手套、乳胶手套、汗布手套、一次性口罩。7 原 辅 料 16M.cm去离子水（DI water）、硝酸(65.068.0%)、氢氟酸(48.050.0%)、氢氧化钾溶液(45%)、硫酸(98.0%)、压缩空气、自来水。8 工艺参数槽位配比温度速度自动补液循环流量刻蚀HF: 16.5 LHNO3: 104 LH2SO4:90LDI Water: 149 L821.10.2m/minHNO3:0.25L/333片HF:0.080.20L/500片2545 L/min吹干压缩空气/1.10.2m/min/25 Nm3/ h漂洗DI Water:80L常温1.10.2m/min/58 L/min碱洗KOH:4.75LDI Water:70L2051.10.2m/minKOH:11.5L/hDIWater:1015L/h3500L/h漂洗DI Water:60L常温1.10.2m/min/58 L/min酸洗HF：39 LDI Water：396 L常温1.10.2m/minHF:1.2L/hDI Water：6L/h4700L/h漂洗DI Water:60L常温1.10.2m/min/58 L/min吹干压缩空气/1.10.2m/min/25 Nm3/ h备注156多晶：制绒槽每150万片换液一次；其它槽位每10万片换一次。125多晶：制绒槽每150万片换液一次；其它槽位每15万片换一次。文件编号版本状态A/0文件名称RENA二次清洗工艺操作规程页 码2/69 二次清洗9.1 操作规程9.1.1 开机准备9.1.1.1 机器准备9.1.1.1.1 打开电控柜电源，然后打开主机及PLC电源。9.1.1.1.2 打开灯，开关位于灰色的电气箱“0”“1”，并打开机器上的显示器。9.1.1.1.3 打开冷却系统，外围冷却水温不能高于18,进出水压差不少于3 kg.9.1.1.2 配液9.1.1.2.1 将各工艺槽内的碎片清理干净，并清洗配液箱和各工艺槽（点击各槽位控制界面的“System Rinsing”按钮）。9.1.1.2.2 进入相应槽位的控制界面，点击相应配液按钮，系统将按照工艺参数自动配液。9.1.1.2.3 配液过程中如发现储液柜中药品用完(此时系统会报警)，应及时换好。9.1.2 物料准备9.1.2.1 戴好手套，手套的戴法为：内层汗布手套 + 中间层乳胶手套 + 外层汗布手套。9.1.2.2 从硅片周转车中取出硅片，并整齐地放在上料台。如有跟踪单或流程卡，将其一起取出放在跟踪片处。9.1.2.3 在跟踪单或流程卡上记录要求填写的内容（如：时间、碎片、返工片等）。9.1.3 开机9.1.3.1 开始登录程式。点击屏幕右上角的“login”。9.1.3.2 填入帐号和密码，按“Login，进入操作界面，并选择手动模式（Manual mode）。9.1.3.3 把产量清0，待各工艺槽准备好后（屏幕上显示Ready，为绿色），将滚轮关掉。9.1.3.4 将手动模式切换为自动模式，并点击屏幕右下方的“start”，即完成开机。9.1.4 上料9.1.4.1 确保滚轮速度、温度正常后（屏幕上各槽位状态显示Ready，为绿色），按减薄量监控方法测减薄量，如果减薄量未达到要求需要工艺人员调整工艺参数直至达到减薄量要求方可上片。9.1.4.2 从片盒中取出原硅片，逐片放在轨道上，每次取片不超过50片。9.1.4.3 每道硅片之间距离应保持15mm20mm，距离太大容易造成黑边。9.1.4.4 上片时如发现硅片表面粘有偏磷酸、指纹或其它各种颜色的斑点等污染物，应挑出并送还前道工序。文件编号版本状态A/0文件名称RENA二次清洗工艺操作规程页 码3/69.1.4.5 每放1500片时需更换手套，出入车间时需换手套。9.1.5 机器自动生产 9.1.5.1 清洗流程刻蚀吹干漂洗碱洗漂洗去PSG漂洗吹干9.1.5.2 过程中每隔1小时观察刻蚀槽和HF酸液面，刻蚀槽液面不应爬到硅片上表面， HF酸液面必须将硅片完全浸泡，各喷淋槽喷淋口无堵塞。9.1.5.3 刻蚀槽和碱洗槽的温度超出工艺规定范围时立即停止生产，待温度恢复正常后再上片。 9.1.5.4 出现喷淋管口堵塞时，应尽快告知设备人员处理。9.1.5.5 工艺槽溢流口有碎片堵塞时，会导致循环泵停转，此时停止放片，清理溢流口附近的碎片。9.1.5.6 风刀压力要充足，保障吹干硅片（硅片表面及后边缘无明显水珠），如发现硅片不能吹干，应及时告知设备或工艺人员处理。9.1.6 下料9.1.6.1 硅片由滚轮移至下料台。9.1.6.2 操作工必须同时戴好汗布手套和乳胶手套（手套的戴法为：内层汗布手套+外层乳胶手套），并用吸笔将硅片插入洁净的片盒中。 9.1.6.3 目测硅片上表面是否出现严重黑边或较宽（超过3mm）的阴影，若出现此类情况需返工，并通知工艺人员。9.1.6.4 每小时由操作工从每道上取一片（共8片），用冷热探针测量硅片四周的刻蚀情况，两探针间电压大于30毫伏时为合格。9.1.6.5 每隔两小时由操作工从每道上取一片（共8片），用四探针测量硅片上表面的方块电阻，此时方块电阻应与清洗前的方阻相当（差值不大于3）。9.1.6.6 每隔一小时抽查硅片上下表面是否有黄斑、手印或油污等污染物（每个轨道各一片）。9.1.6.7 若有黄斑，停止上片同时通知设备人员和工艺员。9.1.6.8 由设备人员检查各漂洗处的风刀是否被堵，由工艺员确定补加碱的量。9.1.6.9 若有油污或手印，挑出做返工处理。9.1.6.10 若出现叠片，将所有硅片用去离子水冲洗干净并吹干后留做返工处理，并通知工艺和设备人员。9.1.6.11 如硅片没被吹干，应用氮气枪将硅片吹干。文件编号版本状态A/0文件名称RENA二次清洗工艺操作规程页 码4/69.1.6.12 每接收完一盒硅片应及时送到PECVD工序，如有跟踪单或流程卡，将其一起送到PECVD工序。9.1.7 关机9.1.7.1 待生产任务完成或者需要重新配液时，点击屏幕右下角自动停止按钮（Stop），自动停止后，将自动模式切换为手动模式。9.1.7.2 将滚轮速度降为0.3m/min。 9.1.7.3 如果出于放假或者设备维修需要关闭电源时，关闭电控柜电源。9.1.8 清洁9.1.8.1 滚轮清洁每个班次生产结束后检查并清理各工艺槽处滚轮上粘着的碎片，尽量减少滚轮上碎片的堵塞；上下料滚轮应擦拭干净并将下面的碎片清理干净。9.1.8.2 工艺槽清洁如需换液，将旧溶液排掉并用去离子水清洗各工艺槽，如槽中有较多碎片，并影响正常生产时（如：出现溢流口堵塞等现象），应将碎片清理干净。清理碎片时生产工人应协助设备人员共同完成。9.1.8.3 清洗机外部清洁9.1.8.3.1 清洗机各个面、显示屏干净、无污物，用白布擦拭无污迹。9.1.8.3.2 上下料区无明显渣滓和积水。9.1.8.3.3 操作平台走廊表面、清洗机底部、后面底部无明显污物。9.1.8.4 其它设备卫生9.1.8.4.1 硅片承载桌干净、无污物，用白布擦拭无明显污迹。9.1.8.4.2 冷却系统、储液柜、玻璃储柜、检验台等与洁净硅片接触的设备表面洁净，用白布擦拭无污迹。9.2 监控9.2.1 减薄量监控9.2.1.1 减薄量监控方法9.2.1.1.1 上片前取8片原硅片，称重并把数据录入电脑表格。9.2.1.1.2 按每道一片正常操作上片直至下片，再次称重并把数据录入电脑表格。9.2.1.1.3 算出减薄量，补充录入表格内其它工艺参数，减薄量为1.00.3m。9.2.1.2 监控频率每个班次上料前；中途停机超过半个小时；上次测量后两个小时。9.3 注意事项文件编号版本状态A/0文件名称RENA二次清洗工艺操作规程页 码5/69.3.1 换液时，需穿戴好围裙、长袖防护手套、防毒面具，清洗过程由清洗机自动完成，不需要戴防护用具。9.3.2 换完液后一定将配液柜门关好，并取消警报信息。9.3.3 有时槽中液位不够，导致循环泵停止，此时应停止上片，并告知设备人员检查风刀是否正常工作，检修完毕重新打开循环泵，方能上片。9.3.4 正常生产时各槽位盖子必须关闭，如需清理碎片，清理完毕后要及时关闭，清理碎片时应戴好防护面具。9.3.5 生产过程中如发现有碎片漂浮在液面上，应用水枪或PP板条将其捣入槽底，以免堵塞溢流口或粘在滚轮上。9.3.6 生产结束时，每隔半小时用水枪冲洗碱槽喷淋口，防止结晶物堵塞。9.3.7 防护围裙从启用日算起，使用期限为一年，超过一年需要更换，另在使用过程中遭受严重性损坏，可以提前更换。9.3.8 防护手套从启用日算起，使用期限为半年，超过半年需要更换，另在使用过程中遭受严重性损坏，可以提前以更换。文件编号版本状态A/0文件名称RENA二次清洗工艺操作规程页 码6/610 工艺流程图物料准备配液机器准备开机上料吹干刻蚀吹干返工流程漂洗关机清洁碱洗漂洗不合酸洗格漂洗检验PECVD工序下料合格11 参考文件11.1 SF/03-GY-011-04 RENA二次清洗工艺说明11.2 SF/03-SB-032 RENA清洗机操作规程12 记录12.1 S