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文档简介

2 1二极管的开关特性 获得高 低电平的基本方法 利用半导体开关元件的导通 截止 即开 关 两种工作状态 逻辑0和1 电子电路中用高 低电平来表示 逻辑门电路 用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路 简称门电路 基本和常用门电路有与门 或门 非门 反相器 与非门 或非门 与或非门和异或门等 二极管符号 正极 负极 uD Ui 0 5V时 二极管截止 iD 0 Ui 0 5V时 二极管导通 ui 0V时 二极管截止 如同开关断开 uo 0V ui 5V时 二极管导通 如同0 7V的电压源 uo 4 3V 二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度 1 二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程 2 产生反向恢复过程的原因 电荷存储效应 当外加正向电压时 P区空穴向N扩散 N区电子向P区扩散 势垒区逐渐变窄 P区存储了电子 N区存储了空穴 它们都是非平衡少数载流子 这一过程称为电荷存储效应 当输入电压突然反向时 存储电荷反向电场的作用下 P区电子被拉回N区 N区空穴被拉回P区 形成反向电流IR 或与多数载流子复合 在此期间IR基本上保持不变 IR VR RC 经过ts后 存储电荷显著减少 势垒区逐渐变宽 经过tt后 二极管截止 2 产生反向恢复过程的原因 电荷存储效应 反向恢复时间即存储电荷消失所需要的时间 它远大于正向导通所需要的时间 这就是说 二极管的开通时间是很短的 它对开关速度的影响很小 以致可以忽略不计 因此
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