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文档简介

FET的阻抗变换作用一、阻抗变换的基本概念：1、用作阻抗变换器器件的基本特征： 输入阻抗Ri,输出阻抗0。2、举例说明阻抗变换的概念： 、当具有内阻为Rs=100K的信号源Vs直接驱动RL=1K的负载时，它的输出电压为： 如图1所示： 图1 由式可以看出输出电压Vo很小。 、若负载电阻RL=100K，此时输出电压为： 、若负载电阻RL=300K，此时输出电压为： 二、FET的基本常识：1、场效应管(FET：Field Effect Transistor)：按基本结构可以分为绝缘栅型(金属-氧化物-半导体)场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor FET)和结型场效应管(Junction FET)。2、工作原理：场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件；是一种靠栅源极之间的电压控制漏源极之间电流的器件(电压控制元件)。3、FET的特性： 这种器件不仅兼有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等优点，而且还有输入阻抗高(栅-源之间的电阻可高达)、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和控制工艺简单等优点。三、我司生产的驻极体电容传声器的电容容量及其阻抗：目前，我司生产的驻极体电容传声器的电容容量4.0系列大约为6.0 pF左右，6.0系列大约为10.0 pF左右，9.7系列大约为20.0 pF左右。由静电学可知，对于平行板电容器，有如下的关系式：即电容的容量与介质的介电常数成正比，与两个极板的面积成正比，与两个极板之间的距离成反比。根据公式可以得出我司生产的不同尺寸MIC的电容容量分别约为：常规4.0系列MIC电容容量大小为： 常规6.0系列MIC电容容量大小为：常规9.7系列MIC电容容量大小为：其中空气的介电常数=8.849 F/m 。 取f=10 000Hz，C=10pF，那么其阻抗最小值约为： 驻极体电容传声器的特点：驻极体电容传声器所制作电容的电容容量小，阻抗特别高。此时，若MIC所制作的电容在声压的作用下所产生的交流电压为Vs，取 四、FET在MIC中的阻抗变换作用： MIC测试线路如下如所示：其等效交流通路如下图： 由于由声压引起的信号电压Vi非常微弱，而我司生产的驻极体电容传声器阻抗Zc又很大，若上图中FET的输入内阻为一阻值不大的常规电阻RL时，则输出信号电压Vgs= 就会非常微弱。我们正是利用FET的高输入阻抗Zin 使FET栅源电压Vgs=。（由于FET的输入阻抗Zin很大，所以栅源电压Vgs与声压引起的信号电压Vi大小相当）。五、案例分析(富士高)：由于FET受高压静电损伤,致使其栅极与源极之间的输入阻抗很小，约为0.0553M（正常FET的输入阻抗在28M左右），由公式Vgs=知： 正常工作时：Vgs=0.946 Vi ；FET损伤时：Vgs=0.0336 Vi ；由公式漏极电流 =输出信号（也就是灵敏度）Vo= 知：FET损伤时输出信号及其微弱
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