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文档简介

考试中心填写： 年 月 日考 试 用湖南大学课程考试试卷 姓名： 学号： 专业班级 装订（答题不得超过此线）课题名称： 集成电路原理；试卷编号： F（开卷） 考试时间：120分钟题号一二三四五六七八九十总分应得分100实得分评分：评卷人一简答题1 与分立元件电路比较，集成电路具有哪些主要优点?2 与单沟道MOS电路比较，COMS电路结构的主要特点是什么？3 TTL输入晶体管为什么采用长脖基区的版图结构？4 六管单元TTL对五管单元TTL性能的改进主要表现在什么方面？5 空载条件下，当1时，提高能否有效提高单级放大器的增益？二、作出I2L基本单元的版图及剖面结构，总结其线路及物理结构的特点。三、画出E/E饱和负载MOS倒相器原理图，定性作出其电压传输特性曲线，推导其上升时间和下降时间。四 分析、论述1：分析自举负载MOS倒相器在速度和集成度方面对E/E饱和负载MOS倒相器性能的改善。2：我们知道，电路的瞬态响应总是与其小信号频率特性相关。在运放中为什么两者的固有关系会被打破？3：为什么在高频及微波领域分立元件电路仍占据主要地位？五 图示电压负反馈单端化电路，分析电路的工作原理，指出每一个元件的作用。六、分析图示电路的工作原理，指出每个元件的作用，并给出逻辑关系。七、图示A741输入级电路
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