180256字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1).doc

256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 18.3.2.9.1的P -闪光保护的限制 一般的准则是P -闪光的保护只能是增加而不是删除。表18-21规定 P均之间的有效转换闪光的保护方案。任何企图写一个无效的情况下向FPROT登记将被忽略。该FPROT寄存器的内容反映了积极的保护方案。见FPHS和其他限制FPLS位说明。 表18-21。个P -闪光保护方案视线 从保护方案保护Scenario1 0 1 2 3 4 5 6 7 0 X X X X 1 X 2 X 3 4 X 5 X X X X 6 X X X 7 X X X X X X X 1允许有X标记的转换，参见图18-14为情景的定义。 18.3.2.10闪光保护注册（DFPROT） 在DFPROT寄存器定义的闪光部门受到保护，编程和擦除操作。 胶印模块基地+ 0x0009 糯 复位 =未用或保留 图18-15。 闪光保护注册（DFPROT） 在（无保留）的DFPROT寄存器位的限制，可写的保护可以添加 但并未消除。写入必须增加存款保障计划的价值和DPOEN位只能从1书面 （保护残疾人）为0（保护启用）。如果DPOPEN位被设置，存保计划的比特的状态是不相关的。 在复位序列，DFPROT寄存器装载的D含量闪光保护字节 在闪存领域的全球配置地址0x7F_FF0D设在P -快闪记忆体（见表18-3） 正如在图18-15复位状态F。要更改为D -闪光的保护，将在复位序列加载的P -闪存部门包含的D -闪光保护字节必须保护，然后是D -闪光保护字节必须编程。如果一个双位错误检测到在阅读 S12XS系列参考手册，修订版1.09 526飞思卡尔半导体 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 个P -闪光词组包含的D -闪光时，复位序保护字节，DPOPEN位将被 清理和DPS位将被设置为离开的D -快闪记忆体得到充分的保障。 要改变任何在D保护区的数据闪存将导致保护冲突错误，FPVIOL位将在命令fstat寄存器组。块擦除的D -快闪记忆体是不可能的 如果任何的D -闪存部门得到保护。 表18-22。 DFPROT域说明 字段说明 7 DPOPEN闪光保护控制 0启用闪光的程序存储器的保护和擦除与保护的地址范围界定和DPS 位 1禁用闪光的程序内存保护和擦除 4-0 存款保障计划4:0闪光保护大小 - 存款保障计划4:0位决定在D型保护区，闪存，见表18-23。 表18-23。 闪光保护地址范围 存款保障计划4:0全球受保护的地址范围大小 0_0000 0x10_0000 - 0x10_00FF 256字节 0_0001 0x10_0000 - 0x10_01FF 512字节 0_0010 0x10_0000 - 0x10_02FF 768字节 0_0011 0x10_0000 - 0x10_03FF 1024字节 0_0100 0x10_0000 - 0x10_04FF 1280字节 0_0101 0x10_0000 - 0x10_05FF 1536字节 0_0110 0x10_0000 - 0x10_06FF 1792字节 0_0111 0x10_0000 - 0x10_07FF 2048字节 0_1000 0x10_0000 - 0x10_08FF 2304字节 0_1001 0x10_0000 - 0x10_09FF 2560字节 0_1010 0x10_0000 - 0x10_0AFF 2816字节 0_1011 0x10_0000 - 0x10_0BFF 3072字节 0_1100 0x10_0000 - 0x10_0CFF 3328字节 0_1101 0x10_0000 - 0x10_0DFF 3584字节 0_1110 0x10_0000 - 0x10_0EFF 3840字节 0_1111 0x10_0000 - 0x10_0FFF 4096字节 1_0000 0x10_0000 - 0x10_10FF 4352字节 1_0001 0x10_0000 - 0x10_11FF 4608字节 1_0010 0x10_0000 - 0x10_12FF 4864字节 1_0011 0x10_0000 - 0x10_13FF 5120字节 1_0100 0x10_0000 - 0x10_14FF 5376字节 1_0101 0x10_0000 - 0x10_15FF 5632字节 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体527 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 表18-23。 闪光保护地址范围 存款保障计划4:0全球受保护的地址范围大小 1_0110 0x10_0000 - 0x10_16FF 5888字节 1_0111 0x10_0000 - 0x10_17FF 6144字节 1_1000 0x10_0000 - 0x10_18FF 6400字节 1_1001 0x10_0000 - 0x10_19FF 6656字节 1_1010 0x10_0000 - 0x10_1AFF 6912字节 1_1011 0x10_0000 - 0x10_1BFF 7168字节 1_1100 0x10_0000 - 0x10_1CFF 7424字节 1_1101 0x10_0000 - 0x10_1DFF 7680字节 1_1110 0x10_0000 - 0x10_1EFF 7936字节 1_1111 0x10_0000 - 0x10_1FFF 8192字节 18.3.2.11闪光共同Command对象登记表（FCCOB） 该FCCOB是通过CCOBIX指数涉及6个字数组中FCCOBIX登记册上。宽字节读写允许的FCCOB登记。 胶印模块基地+ 0x000A 糯复位 图18-16。闪光共同Command对象高级注册（FCCOBHI） 胶印模块基地+ 0x000B 糯复位 图18-17。闪光共同Command对象低寄存器（FCCOBLO） 18.3.2.11.1 FCCOB - 非易失命令模式 非易失性存储器命令模式使用索引FCCOB登记提供一个命令码和内存控制器及其有关参数。用户第一次设置所有必需FCCOB字段，然后启动 该命令的写一个1到寄存器的命令fstat陈叶冯位执行（1由用户的书面命令清除陈叶冯会计师完成标志为0）。当用户清除寄存器中的命令fstat陈叶冯位 所有FCCOB参数字段被锁定，无法由用户改变，直到命令完成 S12XS系列参考手册，修订版1.09 528飞思卡尔半导体 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） （这表现在内存返回陈叶冯会计师1控制器）。一些命令的返回信息 FCCOB寄存器阵列。 规划中的非易失命令模式FCCOB参数字段通用格式见表18-24。返回值后，可在命令fstat注册陈叶冯旗阅读已归还 1的内存控制器。写入没有得到执行参数字段（CCOBIX = 110和CCOBIX = 111）被忽略的读取这些返回0x0000领域。 表18-24显示了通用闪存命令格式。对在CCOB数组的第一个字的高字节包含的命令代码，其次是这个特定的Flash命令的参数。有关详情 在FCCOB每个命令所需设置，请参阅第18.4.2闪存命令描述。 表18-24。 FCCOB - 共筹集命令模式（典型用法） CCOBIX 2:0字节FCCOB参数字段技术（NVM命令模式） 000您好FCMD 7:0定义闪存命令 劳，全球地址0 22:16 001您好全球地址15:8 劳全球地址7:0 010您好数据0 15:8 劳数据0 7:0 011您好数据1 15:8 劳资料1 7:0 100您好数据2 15:8 劳数据2 7:0 101您好数据3 15:8 劳数据3 7:0 18.3.2.12闪光Reserved0注册（FRSV0） 此Flash登记保留工厂测试。 胶印模块基地+ 0x000C 糯 复位 =未用或保留 图18-18。闪光Reserved0注册（FRSV0） 在FRSV0寄存器所有位改为0，不写。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体529 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 18.3.2.13闪光Reserved1注册（FRSV1） 此Flash登记保留工厂测试。 胶印模块基地+ 0x000D 糯 复位 =未用或保留 图18-19。闪光Reserved1注册（FRSV1） 在FRSV1寄存器所有位改为0，不写。 18.3.2.14闪光ECC错误结果寄存器（FECCR） 在FECCR寄存器包含一个用于检测ECC的单位和双位失误造成的。该FECCR登记提供对ECC的几所ECCRIX指数位相关领域的定义 在FECCRIX登记（见18.3.2.4）。一旦ECC的故障已储存的资料，没有其他故障信息将延至具体ECC的故障标志已被清除记录。在同时进行的ECC的故障事件的故障记录重点是对单个位故障双位错误。 胶印模块基地+ 0x000E 糯 复位 =未用或保留 图18-20。闪光ECC错误结果高寄存器（FECCRHI） 胶印模块基地+ 0x000F 糯 复位 =未用或保留 图18-21。闪光ECC错误结果低寄存器（FECCRLO） 所有FECCR位可读，但不可写。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 530飞思卡尔半导体 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 表18-25。 FECCR指数设置 ECCRIX 2:0 FECCR寄存器内容 位15:8位7位6:0 000奇偶位读取 闪存块 0全球地址 22:16 001全球地址15:0 010数据0 15:0 011数据1 15:0（P均闪光只） 100数据2 15:0（P均闪光只） 101数据3 15:0（P均闪光只） 110未使用，返回0x0000时读取 111未使用，返回0x0000时读取 表18-26。 FECCR指数= 000位说明 字段说明 15:8 公共行政7:0 ECC的校验位 - 包含8位宽的72个P - Flash数据字或6奇偶位分配给公共行政改革，5:0校验位，由22位全闪光字的公共行政7:6 = 00。 6-0 GADDR 22:16全球地址 - GADDR 22:16字段包含在全球造成了严重的错误报告上7位。 该P -闪光一句话ECCRIX = 001处理包含低16全球地址位。那个 继ECCRIX = 010至101个字处理包含64位宽度的数据短语。这四个数据字和校验字节是从P -闪存块裸数据读取。 在D -闪光一句话ECCRIX = 001处理包含低16全球地址位。裸16位数据字处理ECCRIX = 010。 18.3.2.15闪存选项寄存器（FOPT） 该FOPT登记是Flash登记册的方案。 胶印模块基地+ 0x0010 糯 复位 =未用或保留 图18-22。闪存选项寄存器（FOPT） 在FOPT注册所有位都读，但是不能写。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体531 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 在复位序列，FOPT寄存器加载从Flash在Flash非易失字节 配置在全球的地址位于0x7F_FF0E在P -快闪记忆体领域（见表18-3）所示 在图18-22复位状态F。如果一个双位错误检测到在读的P -闪光词组包含在复位序列字节的非易失性闪存，在FOPT注册所有位将被设置。 表18-27。 FOPT域说明 字段说明 7-0 内华达州7:0非易失位 - 在内华达州7:0位是作为非易失性位可用。参阅位的非易失正确使用设备的用户指南。 18.3.2.16闪光Reserved2注册（FRSV2） 此Flash登记保留工厂测试。 胶印模块基地+ 0x0011 糯 复位 =未用或保留 图18-23。闪光Reserved2注册（FRSV2） 在FRSV2寄存器所有位改为0，不写。 18.3.2.17闪光Reserved3注册（FRSV3） 此Flash登记保留工厂测试。 胶印模块基地+ 0x0012 糯 复位 =未用或保留 图18-24。闪光Reserved3注册（FRSV3） 在FRSV3寄存器所有位改为0，不写。 18.3.2.18闪光Reserved4注册（FRSV4） 此Flash登记保留工厂测试。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 532飞思卡尔半导体 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 胶印模块基地+ 0x0013 糯 复位 =未用或保留 图18-25。闪光Reserved4注册（FRSV4） 在FRSV4寄存器所有位改为0，不写。 18.4功能描述 18.4.1闪光作战司令部 闪光指挥作业用来修改快闪记忆体的内容。接下来的部分描述： 如何撰写FCLKDIV寄存器，它用来生成时基（FCLK）来自 OSCCLK对Flash编程和擦除命令操作 命令用来设置写入闪存的命令参数和启动执行顺序 有效的闪存可用于执行命令 18.4.1.1写作FCLKDIV登记 在此之前发出任何闪存编程或擦除重置命令后，用户必须写入FCLKDIV登记分OSCCLK降低到1兆赫的目标FCLK。表18-7显示建议的基础上OSCCLK频率的FDIV字段值。 注意 编程或擦除闪存无法执行，如果总线时钟不到1 MHz运行。设置FDIV过高会破坏闪存由于过度。设置FDIV过低会导致不完整的编程或擦除闪存单元。 当FCLKDIV寄存器写的FDIVLD位是自动设置的。如果FDIVLD位是0，FCLKDIV登记册没有被写入自上次重置。如果FCLKDIV登记没有被写入，任何Flash编程或擦除命令装入写在一个命令序列，将无法执行，并在命令fstat登记ACCERR位将集。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体533 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 18.4.1.2命令写序 记忆体控制器将推出所有有效使用Flash命令进入命令写序。发射前，命令，ACCERR和命令fstat登记FPVIOL位必须明确（见 第18.3.2.7）和陈叶冯旗应进行测试，以确定当前的命令状态写序。如果陈叶冯会计师为0，前面的命令写入顺序仍然有效，新的命令写入顺序不能启动，所有写入FCCOB登记将被忽略。 警告 闪存写入任何登记时必须避免的Flash命令处于活动状态（陈叶冯会计师= 0），以防止闪光寄存器内容和内存控制器的腐败行为。 18.4.1.2.1定义FCCOB内容 参数字段的FCCOB必须装载的Flash命令所有必需的参数被处决。访问FCCOB参数字段通过控制在FCCOBIX注册CCOBIX位（见18.3.2.3）。 在FCCOB参数字段的内容转移到内存控制器，当用户清除 在陈叶冯指挥命令fstat完成注册标志（写1清除陈叶冯为0）。在陈叶冯旗将保持清醒，直到闪光命令已完成。建成后，内存控制器将返回陈叶冯会计师为1，FCCOB登记将被用来传达任何结果。对于一个普通的命令写序列流程如图18-26。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 534飞思卡尔半导体 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 阶段 阅读：FCLKDIV注册 时钟寄存器 书面 检查 FDIVLD集？ 是 否 写：FCLKDIV注册 注：FCLKDIV必须建立在每个复位 阅读：命令fstat注册 FCCOB 空房情况 陈叶冯集？ 是 否 结果从先前的命令 访问错误的 保护冲突 检查 ACCERR / FPVIOL集？ 否 是 写：命令fstat注册 清除ACCERR / FPVIOL 0x30 更多 参数？ 是 否 写：命令fstat寄存器（发布命令）陈叶冯0x80清除 阅读：命令fstat注册 位轮询 命令完成 检查 陈叶冯集？否 是 退出 图18-26。通用Flash命令写入顺序流程图 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体535 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 18.4.1.3有效闪光模块命令 表18-28。闪光模式下的命令 FCMD 命令无抵押担保 NS1蛋白NX2 SS3型ST4 NS5区NX6七号信令ST8 *0x01擦除验证所有块 *0x02擦除验证座 *0x03擦除验证的P -闪光组 *0x04读取一次 *0x06计划的P -闪光 *0x07计划一旦 *0x08清除所有块 *0x09擦除闪存座 *字符0x0A擦除的P -闪存部门 *0x0B不安全的闪光 *0x0C验证后门访问键 *字符0x0D设置用户保证金水平 *0x0E SET域保证金水平 *0x10擦除验证闪光组 *0x11程序D闪光 *0x12擦除闪光部门 1无担保普通的单芯片模式。 2不安全的正常扩展模式。 三无抵押专用单芯片模式。 4不安全的特殊模式。 5担保正常的单芯片模式。 6担保正常扩展模式。 7担保专用单芯片模式。 8担保特殊模式。 18.4.1.4的P - Flash命令 表18-29总结了有效的P - Flash命令连同命令上的影响 个P -闪光块和其他资源在Flash模块。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 536飞思卡尔半导体 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 表18-29。个P - Flash命令 FCMD指挥职能上的P -闪存 0x01擦除核查所有 块验证被删除所有P -闪光（和D -闪光）块。 0x02擦除块验证验证一个P -闪光块被删除。 0x03擦除验证 个P -闪光组确认的是，在开始的话给了多少的地址被删除。 0x04 阅读阅读一旦在P非易失性信息登记专用64字节的字段闪光块0 先前使用的编程命令一旦计划。 0x06计划的P -闪存程序在一个P -闪存块短语。 0x07 计划一旦计划专用64字节领域的非易失性信息的P登记闪光块 0即允许编程一次。 0x08 清除所有的块擦除所有P -闪光（和D -闪光）块。 一个擦除所有闪存块，才可能在FPLDIS，FPHDIS和FPOPEN在FPROT寄存器位，并在DFPROT寄存器DPOPEN位被设置之前启动命令。 0x09 擦除闪存块擦除一个P -闪光（或D -闪光）块。 一个抹去充分的P -闪光块，才可能在FPLDIS，FPHDIS和FPOPEN 在FPROT寄存器位被设置之前启动命令。 字符0x0A擦除的P -闪光 扇区擦除采用P -闪存部门的所有字节。 0x0B 不安全的闪存支持的释放被擦除所有P -闪光（和D -闪存微控制器的安全方法）盖帽和核实所有P -闪光（和D -闪存）的擦除块。 0x0C验证后门 访问键支持一个释放通过验证的安全密钥设置微控制器的安全方法。 字符0x0D设置用户保证金 级别指定用户保证金阅读所有的P -闪存块的水平。 0x0E集场保证金 级别指定一个外地保证金读为所有的P -闪光块（特殊模式只）。 18.4.1.5闪光命令 表18-30总结了有效闪光的命令以及关于命令的影响 闪光块。 表18-30。 闪光命令 FCMD指挥职能对D - Flash存储器 0x01擦除核查所有 块确认所有D -闪光（和P -闪光），块擦除。 0x02擦除块验证确认的D -闪光块被删除。 0x08 清除所有的块擦除所有D -闪光（和P -闪光）块。 一个擦除所有闪存块，才可能在FPLDIS，FPHDIS和FPOPEN在FPROT寄存器位，并在DFPROT寄存器DPOPEN位被设置之前启动命令。 0x09 擦除闪存块擦除一个D -闪光（或P -闪光）块。 一个抹去充分闪光块DPOPEN才可能在DFPROT位 寄存器设置之前启动命令。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体537 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 表18-30。 闪光命令 FCMD指挥职能对D - Flash存储器 0x0B 不安全的闪存支持一个释放被擦除所有D -闪存微控制器安全法（和P -闪存）块和核实所有D -闪光（和P -闪光），块擦除。 字符0x0D设置用户保证金 级别指定用户保证金阅读的D闪光块的水平。 0x0E集场保证金 级别指定一个外地保证金阅读水平的D -闪光块（特殊模式只）。 0x10擦除验证 闪光组确认的是，在开始的话给了多少的地址被删除。 0x11程序D -闪存程序多达4个字在D闪光块。 0x12擦除闪光 扇区擦除一个部门的D -闪光阻止所有字节。 18.4.2 Flash命令描述 本节提供所有可用的Flash命令由一个命令序列的细节展开写。在命令fstat登记ACCERR位将被设置在命令写入顺序如果下列任何一种非法的步骤执行，导致该命令不是由内存控制器处理： 开始写任何命令序列，程序或清除闪存初始化之前 FCLKDIV登记 书面命令的一部分一个无效的命令写序 有关其他可能的错误，请参阅错误处理规定为每个命令表 如果一个闪光块是在读一个算法的执行（陈叶冯会计师= 0）就在同块读操作将返回无效数据。如果SFDIF或DFDIF旗帜以前没有无效时设置的读取操作发生，无论是SFDIF和DFDIF标志将被设置和FECCR选民登记册会在无效的读操作使用的数据和奇偶校验字段设置全局地址加载所有0。 如果ACCERR或FPVIOL位的命令fstat寄存器设置，用户必须明确在开始任何命令写这些位序列（见18.3.2.7）。 警告 阿闪光词或短语必须在被删除之前的状态正在制定方案。累积比特闪存编程在单词或短语是不允许的。 18.4.2.1验证所有块擦除命令 在确认所有块擦除命令将验证所有的P -闪光和D -闪光块已基本消灭。 表18-31。验证所有的块擦除命令FCCOB要求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 0x01不需要 S12XS系列参考手册，修订版1.09 538飞思卡尔半导体 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 陈叶冯结算后推出验证所有块擦除命令，内存控制器将核查 整个闪存空间被删除。陈叶冯标志的设置后，将验证所有块擦除操作完成。 表18-32。验证所有的块擦除命令错误处理 注册错误误码条件 命令fstat ACCERR设置如果CCOBIX 2:0 = 000 at命令启动 FPVIOL无 MGSTAT1集，如果有任何错误，在读期间所遇到的 MGSTAT0设置的任何非纠正的错误，已经在读中遇到 18.4.2.2验证块擦除命令 验证块的擦除命令允许用户验证整个的P -闪光或D闪光块已被删除。在FCCOB全球地址位上确定哪些块必须得到证实。 表18-33。验证块擦除命令FCCOB需求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 0x02全球地址22:16的 闪存块核实。 陈叶冯结算后启动块擦除命令验证，内存控制器将验证 选定的P -闪光或D闪光块被删除。陈叶冯标志的设置后，将验证块擦除操作完成。 表18-34。验证块擦除命令错误处理 注册错误误码条件 命令fstat ACCERR设置如果CCOBIX 2:0 = 000 at命令启动 如果设置了无效的全局地址22:16是供应 FPVIOL无 MGSTAT1集，如果有任何错误，在读期间所遇到的 MGSTAT0设置的任何非纠正的错误，已经在读中遇到 18.4.2.3擦除验证的P -闪光组命令 在擦除验证的P -闪光科命令将验证一个在P一段代码闪存被删除。在擦除验证的P -闪光组命令定义代码的起点核实， 的短语。该科人员进行核查不能跨1 256字节的边界在P -闪存空间。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体539 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 表18-35。擦除验证的P -闪光组命令FCCOB需求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 0x03全球地址22:16一个P -闪光块 001全球地址15:0第一短语得到验证 010短语人数核实 陈叶冯结算后推出清除验证的P -闪光组命令，将内存控制器 验证闪存选定的部分被删除。陈叶冯标志的设置后，将清除验证的P -闪光 科操作已经完成。 表18-36。擦除验证的P -闪光组命令错误处理 注册错误误码条件 命令fstat ACCERR设置如果CCOBIX 2:0 = 010 at命令启动 如果不设置命令可在当前模式（见表18-28） 如果设置了无效的全局地址22时是供应 如果设置错位短语地址提供（全局地址2:0 = 000） 如果被请求设置部分穿越256字节边界 FPVIOL无 MGSTAT1集，如果有任何错误，在读期间所遇到的 MGSTAT0设置的任何非纠正的错误，已经在读中遇到 18.4.2.4读取一次命令 曾经命令提供读访问一个保留64字节的字段（8短语）在非易失性的P登记信息位于闪光块0阅读。在读取一次实地编程使用 计划一旦命令18.4.2.6节中描述。曾经命令不能从Flash包含一旦保留字段，以避免失控的程序代码块执行读取。 表18-37。读取一次命令FCCOB要求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 0x04不需要 001读取一次短语指数（0x0000 - 0x0007） 010读取一次字0值 011读取一次字1价值 100读取一次字2值 101读取一次字3值 陈叶冯结算后推出的读取命令后，一个短语读取一次牵强，在存储 FCCOB索引登记。陈叶冯旗将在后成立的读取一次操作完成。有效 S12XS系列参考手册，修订版1.09 540飞思卡尔半导体 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 对于读取短语索引值的命令后，从0x0000范围为0x0007。在执行过程中 读取一次命令，任何试图读取的地址范围内P -闪存模块将返回无效数据。 表18-38。读取一次命令错误处理 注册错误误码条件 命令fstat ACCERR设置如果CCOBIX 2:0 = 001 at命令启动 如果不设置命令可在当前模式（见表18-28） 如果设置一个无效的短语索引提供 FPVIOL无 MGSTAT1集，如果有任何错误，在读期间所遇到的 MGSTAT0设置的任何非纠正的错误，已经在读中遇到 18.4.2.5程序的P - Flash命令 该方案的P -闪光操作将在项目的P -闪存使用嵌入式算法以前删除短语。 警告 一个P -闪光词组必须在被删除前的状态正在制定方案。比特内累积编程闪存短语是不允许的。 表18-39。计划的P - Flash命令FCCOB需求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 0x06全球地址22:16确定的P -闪光块 001全球地址15:0的短语地点要programmed1 010计划的价值字0 011字1计划的价值 100字2计划的价值 101字3项目的价值 1全球地址2:0必须是000 陈叶冯后结算计划推出的P - flash命令，内存控制器的程序 数据字来提供的全局地址，然后将进行核实数据字读回预期。陈叶冯标志的设置后，将计划的P -闪光操作已经完成。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体541 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 表18-40。计划的P - Flash命令错误处理 注册错误误码条件 命令fstat ACCERR设置如果CCOBIX 2:0 = 101 at命令启动 如果不设置命令可在当前模式（见表18-28） 如果设置了无效的全局地址22时是供应 如果设置错位短语地址提供（全局地址2:0 = 000） FPVIOL设置，如果全球地址22时点保护区 MGSTAT1设置任何错误，如果已在运行中遇到的核实 MGSTAT0设置的任何非纠正的错误已被验证操作过程中遇到的 18.4.2.6程序一旦命令 曾经命令限制节目保留64字节的字段（8短语在非易失性的信息）登记在P位于闪光块0计划。该方案一旦保留字段可以读取使用一次命令，在第18.4.2.4描述的阅读。该计划一旦命令必须只 便发出以来，在P非易失性信息登记闪光块0不能被删除。曾经命令不能从Flash包含一旦保留字段，以避免代码失控计划执行的程序块。 表18-41。计划一旦命令FCCOB需求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 0x07不需要 001计划一旦短语指数（0x0000 - 0x0007） 010计划一旦字0值 011计划一旦字1值 100计划一旦字2值 101计划一旦字3值 陈叶冯结算后启动程序命令后，内存控制器首先验证的 选定词组被删除。如果删除，然后将选定的短语，然后进行编程和核实 回读。在陈叶冯旗将保持清醒，只是在操作完成后程序设置。 非易失性数据保留注册进入的命令一旦无法擦除和程序的任何企图，这些短语第二次便不会被允许的程序。有效短语的命令后，从0x0000到0x0007范围计划的索引值。在执行过程中的一次指挥程序，任何试图读取的地址范围内P -闪光块0将返回无效数据。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 542飞思卡尔半导体 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 表18-42。程序一旦命令错误处理 注册错误误码条件 命令fstat ACCERR设置如果CCOBIX 2:0 = 101 at命令启动 如果不设置命令可在当前模式（见表18-28） 如果设置一个无效的短语索引提供 如果被请求的设置已被短语programmed1 FPVIOL无 MGSTAT1设置任何错误，如果已在运行中遇到的核实 MGSTAT0设置的任何非纠正的错误已被验证操作过程中遇到的 1如果一旦短语最初编程0xFFFF_FFFF_FFFF_FFFF计划，该计划将一旦命令 可上执行相同的词组了。 18.4.2.7所有块擦除命令 清除所有块操作将删除整个的P -闪光和D -快闪记忆体空间。 表18-43。所有的块擦除命令FCCOB需求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 0x08不需要 陈叶冯结算后，推出所有块擦除命令，内存控制器将删除整个 快闪记忆体空间，并验证它被删除。如果记忆体控制器验证，整个闪存空间是恰当的清除，安全将得到释放。在此命令的执行 （陈叶冯会计师= 0），用户不能写入任何闪存模块登记。陈叶冯标志的设置后，将清除所有 块操作已经完成。 表18-44。所有的块擦除命令错误处理 注册错误误码条件 命令fstat ACCERR设置如果CCOBIX 2:0 = 000 at命令启动 如果不设置命令可在当前模式（见表18-28） FPVIOL如果任何设置的P区闪光或D -快闪记忆体保护 MGSTAT1设置任何错误，如果已在运行中遇到的核实 MGSTAT0设置的任何非纠正的错误已被验证操作过程中遇到的 18.4.2.8闪光块擦除命令 闪存的擦除操作将擦除块在一个P的所有地址闪光或D闪光块。 S12XS系列参考手册，修订版1.09 飞思卡尔半导体543 256字节Flash模块（S12XFTMR256K1V1） 表18-45。擦除闪存块命令FCCOB需求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 0x09全球地址22:16，以确定闪存模块 001全球地址15:0在Flash块被删除 陈叶冯结算后推出擦除闪存块命令，内存控制器将删除 选定的闪存模块，并验证它被删除。陈叶冯旗将在后成立的闪存块擦除操作完成。 表18-46。擦除闪存块命令错误处理 注册错误误码条件 命令fstat ACCERR设置如果CCOBIX 2:0 = 001 at命令启动 如果不设置命令可在当前模式（见表18-28） 如果设置了无效的全局地址22:16是供应 如果提供的设置的P -闪光地址不是短语对齐或者是D -闪光地址不是字对齐 FPVIOL设置如果选定的闪存块保护区 MGSTAT1设置任何错误，如果已在运行中遇到的核实 MGSTAT0设置的任何非纠正的错误已被验证操作过程中遇到的 18.4.2.9擦除的P -闪存部门命令 在擦除的P -闪存部门操作将擦除一个P -闪存部门的所有地址。 表18-47。擦除的P -闪存部门命令FCCOB需求 CCOBIX 2:0 FCCOB参数 000 字符0x0A全球地址22:16确定 个P -闪光块被删除 001全球地址15:0内的任何地方部门被删除。请参阅第18.1.2.1为P -闪存部门的规模。 陈叶冯结算后推出擦除的