上海新傲科科技股份有限公司商业分析

上海新傲科技股份有限公司商业分析公司篇公司简介上海新傲科技股份有限公司前身上海新傲科技有限公司，成立于2001年，2009年6月整体变更改制为上海新傲科技股份有限公司，是一家致力于高端硅基材料研发与生产的高新技术企业，由中科院上海微系统所牵头，联合中外投资者设立。公司成立至今，获得了国家工业与信息化部、科技部、中国科学院以及上海市有关部门的大力支持。新傲公司现有注册资本人民币1。5亿元，拥有高素质的管理与技术团队，以国际一流半导体企业的模式，高起点、高标准地推进新傲事业的发展。公司优势/业务特色SOI:新傲公司目前是中国唯一的SOI材料生产基地，也是世界上屈指可数的SOI材料规模化供应商之一。拥有SIMOX（注氧隔离）、Bonding（键合）和Simbond（完全自主开发的SOI新技术）三类SOI晶片制造技术，能够提供100mm（4英寸）、125mm（5英寸）和150mm（6英寸）SOI晶片和SOI外延片，小批量提供8英寸SOI片。产品系列包括高剂量、低剂量、超薄、高阻SIMOX晶片，Bonding晶片，Simbond晶片，并可根据用户需求外延到所需的表层硅厚度，并于2004年8月发布了我国首项SOI制备工艺企业标准。新傲公司丰富的产品能够覆盖SOI的所有应用领域，产品质量和技术能力得到了国际著名公司的认可。目前，新傲公司的产品90%以上销售到美、日、欧、俄、韩、台湾和新加坡等地，并成为Intel、NXP、TOSHIBA、TI、IBM等国际知名公司的供货商。 EPI:新傲公司目前也是中国技术领先的外延硅片供应商。作为国内首家合资外延厂商，新傲公司可以提供4-6英寸的所有规格与要求的外延硅产品和外延加工服务，现已开始批量提供8英寸外延片。2003年起，仅用三年时间，新傲就已经建设成为国内产品质量最好、技术水平最高、生产规模最大的的外延企业。现今，新傲公司的外延客户现已遍及美、日、韩、台、俄、印等国家和地区，其中包括日本三菱、夏普、VISHAY、华润上华等国际知名公司。 销售网络Japan， ITX-EG / GSI (Tokyo)GSI Creos CorporationEurope， CSD (UK)Korea， Dail (Seoul)Singapore公司发展历程2001年7月25日中国科学院上海微系统与信息技术研究所（原上海冶金研究所）、盈富泰克创业投资有限公司、上海中科高科技工业园发展有限公司发起成立上海新傲科技有限公司。2001年10月12日公司与美国Ibis公司签定Ibis1000大束流氧离子注入机的引进合同。12月18日，Ibis1000型大束流氧离子注入机运抵上海。2002年7月2日公司第一批SOI圆片试生产成功。2002年9月10日南京合纵投资有限公司、上海创业投资有限公司决定投资参股本公司。2002年9月17-18日公司与美国Ibis公司签署战略联盟协议。2002年10月31日公司与美国MT公司就外延项目达成战略合作协议。由此，新傲有了第一位海外投资商。2003年3月引进了MT7700K和MT7811K两台外延炉，新傲外延生产投产。2003年3月28日公司第一批外延圆片试生产成功。2003年5月23日公司ISO 9001:2000质量管理体系通过法国国际质量论证有限公司（BVQI）的审核论证。2003年11月新傲成为了Intel的小批量供应商（No。349741002）。2004年4月公司开始外延二期扩产计划。2004年7月新傲外延生产线第二轮扩产开始启动。2004年12月30日香港建声实业有限公司（Fame Creation Industrial Limited）受让原股东正一科技（南京）有限公司所持有的本公司全部股份。2005年2月25日 International Reactor Services Inc。增资本公司。2005年11月新傲公司键合SOI生产线2006年1月新傲公司获得上海市科教兴市项目的支持2006年3月新傲公司荣获2005年度上海市科学技术进步一等奖2007年2月新傲公司荣获2006年度国家科学技术进步一等奖2007年8月新傲公司通过了由法国国际检验局（BVC）主持的ISO 14001:2004 和OHSAS18001:1999认证2008-2009上海市“科教兴市”项目完成2009-2010新傲公司北厂建设公司的人力结构中国科学院院士：1人 上海市领军人才：2人全国五一劳动奖章：1人 上海市劳模：2人博士生导师：5人 上海市劳模：2人国家杰出青年基金（总理基金）：1人上海市科技启明星：5人 上海市学科带头人：4人 主营产品篇集成电路供应链SOI定义：SOI是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为SOI 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术，SOI广泛应用于微电子的大多数领域，同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。新傲技术：SIMOX（注氧隔离）、Bonding（键合）和Simbond（完全自主开发的SOI新技术）新傲SOI圆片特点： 1. 提高运行速度在特定的电压下，建在新傲SOI材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%，这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。 2. 降低能量损耗新傲SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗，特别适用于对能量消耗比较高的领域。 3. 改进运行性能新傲SOI材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温，对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。 4. 减小封装尺寸新傲SOI材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。SOI应用SOI高速特性 微处理器，高速通信，三维图象处理，先进多媒体 SOI低压低功耗特点 移动计算机，移动电话，便携式电子设备，射频集成，灵巧功率器件以及其它要求功耗低、散热快的领域，如单芯片系统SOC，微小卫星等 SOI应用于恶劣环境 高温器件，高压器件，卫星或其它空间应用，武器控制系统等 SOI光通信和MEMS应用 作为一种结构材料，可制作硅基集成光电器件，应用于高速宽带互联网和其它光网络的接口。此外，SOI圆片还广泛应用于制作微机电系统(MEMS)器件，如传感器等 SOI的制备SIMOX SIMOX是注氧隔离技术的简称。新傲科技采用此技术在普通圆片的层间注入氧离子以形成隔离层。此方法有两个关键步骤：离子注入和退火。在注入过程中，氧离子被注入圆片里，与硅发生反应形成二氧化硅沉淀物。然而注入对圆片造成相当大的损坏，而二氧化硅沉淀物的均匀性也不很好。随后进行的高温退火能帮助修复圆片损坏层并使二氧化硅沉淀物的均匀性保持一致。这时圆片的质量得以恢复而二氧化硅沉淀物所形成的埋层具有良好的绝缘性。Bonding通过在硅和二氧化硅或二氧化硅和二氧化硅之间使用键合技术，两个圆片能够紧密键合在一起，并且在中间形成二氧化硅层充当绝缘层。键合圆片在此圆片的一侧削薄到所要求的厚度后得以制成。这个过程分三部来完成。第一部是在室温的环境下使一热氧化圆片在另一非氧化圆片上键合；第二部是经过退火增强两个圆片的键合力度；第三部通过研磨、抛光及腐蚀来消薄其中一个圆片到所要求的厚度。Simbond在传统的键合和离子注入技术的基础上，新傲及其合作伙伴发展了制备SOI材料的又一种方法：Simbond。 离子的注入产生了一个分布均匀的离子注入层。此层用来充当化学腐蚀阻挡层，可对圆片在最终抛光前器件层的厚度及其均匀性有很好的控制。采用新傲所首创的方法制备的SOI硅片具有优越的SOI均匀性和可调制的埋层厚度。EPI新傲为客户提供高质量外延服务： CMOS、分立器件、功率器件、IGBT双层外延、SOI和埋层外延 圆片直径：100，125，150 & 200 mm 月生产能力20万片以上(4英寸外延片) 10级洁净厂房 外延炉：MT7700K 筒式红外加热外延炉MT7811K 筒式红外加热外延炉RF平板式外延炉LPE2061&3061系列机台单片外延炉 客户特定参数 加工前后高纯水清洗服务外延工艺新傲主要采用硅气相外延，利用硅的气态化合物，主要为SiHCL3， SiH2CL2。 这两种硅化合物在加热的硅衬底表面与氢反应或自身发生分解，还原成硅，并以单晶的形式沉淀在硅衬底表面。外延工艺是一种薄层生长技术。能批量生产参杂均匀，厚度一致，晶格结构完整的外延片。利用同质外延技术制备N/N+ 或P/P+ 结构外延片可解决晶体管制作中频率特性和击穿功率特性间的矛盾。利用N/P型结构的外延片可以实现双极型集成电路的元器件之间的隔离，可靠性，成品率大大提高，成本大大降低。不同衬底材料下的外延 Five ForcesSupply Power1. 新傲科技主要供应商Wafer： 昆山中辰矽晶有限公司Wacker Chemie AG(Germany)有研半导体材料股份有限公司Gas： 上海比欧希特种销售服务有限公司液化空气中国电子2。 石英矿行业状况全山西省探明资源储量的矿产中，具有资源优势并在国民经济、工农业生产和外贸出口方面占有重要地位的矿产为煤、煤层气、铝土矿、铁矿、铜矿、耐火粘土、水泥用灰岩、电石用灰岩、熔剂用灰岩、芒硝、金红石、石膏、硫铁矿等。此外，锰、银、金、石墨、膨润土、高岭土（岩）、石英岩（优质硅石）、含钾岩石、白云岩（炼镁用）、花岗岩、沸石等矿产也有着良好的发展前景。非金属矿产的开采以手工为主，加工技术水平较低，各类石灰岩、白云岩、石英岩、磷矿、砖瓦粘土等露采矿产平均回采率为83%左右。2010年硅灰石需求产量为15万吨。3单晶棒发展近况受金融危机的影响，2008年市场对磷化铟单晶棒、晶片行业需求有所减缓。在市场磷化铟单晶棒、晶片行业需求增长有所减缓的现状下，产能扩张的势头并没有得到较好的控制。产能过剩、重复建设不仅导致生产与消费的失衡，而且还引发了磷化铟单晶棒、晶片行业内的一系列恶性价格竞争，影响了磷化铟单晶棒、晶片行业业的盈利能力。中国磷化铟单晶棒、晶片行业市场现状，为外资企业入驻中国创造了条件，国际许多磷化铟单晶棒、晶片行业企业已经看中在中国低成本拓展市场的机会，随着外资投入逐步加大，中国国内企业改革重组迅速加快。同时新的行业制度等政策的颁布和实施将促使我国磷化铟单晶棒、晶片行业洗牌，企业兼并重组将在政策的促使下大力发展。由于当前磷化铟单晶棒、晶片行业效益下滑，所以对磷化铟单晶棒、晶片行业企业授信更要慎重。建议银行加强对磷化铟单晶棒、晶片行业企业的筛选，选择行业龙头企业、长期增长的企业、具有良好赢利模式的企业，关注磷化铟单晶棒、晶片行业子行业，关注磷化铟单晶棒、晶片行业上下游企业，优化客户结构，针对磷化铟单晶棒、晶片行业行业需求进行新产品开发4国内硅材料行业市场发展近况（一） 半导体硅材料质量不断完善，产品的品质也不断提升，硅片的尺寸也从46英寸不断向8英寸、12英寸发展。不过，我们注意到由于太阳能电池的迅猛发展，使得多晶硅原材料价格也不断上涨。今年年初，国内多晶硅的价格基本是2000元/千克，现在已经涨到了3000元/千克，涨幅达到50%。多晶硅价格的上涨，使半导体硅材料企业面临成本上升的压力也非常大。不过，随着多晶硅企业不断扩容，预计半导体多晶硅的价格会逐步下降。 目前，国外大型半导体硅片公司的多晶硅采购价格一般是5080美元/千克，但国内半导体硅片公司的多晶硅采购价约为150美元/千克，部分甚至超过200美元/千克，国内公司同国际大公司竞争时需要承受巨大的多晶硅成本压力。多晶硅的供应紧张也使得国内半导体硅材料企业的产能没有充分发挥出来，这也间接地增加了企业的成本。 多晶硅市场需求经历了由“半导体产业主导”向“光伏产业主导”的转变，后者造就了多晶硅行业景气在2004年的向上拐点。光伏产业的爆发式增长拉动了多晶硅长单价格从2002年的25美元上涨到2008年的100美元以上，现货价格更是曾触及500美元高点。光伏装机的波动直接影响多晶硅的景气周期。 作为一个新兴市场，光伏市场有着较高的需求价格弹性。多晶硅价格下降最终传导至发电成本的下降，会刺激光伏装机增长，并反过来增加多晶硅需求，最终达到市场均衡。全球半导体市场各地区所占份额变动情况（二） 受大地震影响后的硅晶园生产状况总部位于美国加州的市调机构IHSiSuppli指出，日本强震使全球25%硅晶圆产能瘫痪，半导体产业恐面临硅晶圆短缺。硅晶圆是半导体制造主要材料。iSuppli发布声明指出，日本硅晶圆供货商信越化学(Shin-Etsu Chemical Co。)与美国硅晶圆制造大厂MEMC Electronic Materials Inc。的工厂“短期内”将停摆。iSuppli指出：“这些工厂停摆除重创日本电子业外，牵连层面也甚广。供给减少25%恐对全球半导体制造造成重大冲击。”他们还指出，这些工厂产制的硅晶圆主要供应内存芯片制造商之需。韩国三星电子(SamsungElectronics)是全球内存芯片制造龙头。信越化学17日指出，座落在福岛县的白川(Shirakawa)工厂受损，何时复工尚不明朗。公司计划增加其它工厂产量。ISuppli指出，这座厂占全球硅晶圆产出比重达20%。MEMC宇都宫(Utsunomiya)工厂除撤员外，并于17日起停产。iSuppli指出，这座工厂占全球产出5%比重。（三）国内金属硅产量统计品种产量(吨/月)备注金属硅10000云南金属硅3000四川金属硅8000贵州金属硅 10000 湖南 金属硅 5000 黑河 在云南、湖南、黑河以高品位为主，在四川、贵州以低品位为主。Buyer Power1 新傲科技主要购买方：EPI: Vishay 无锡市华邦半导体材料贸易有限公司 无锡华润上华导体有限公司 桑德斯微电子器件（南京）有限公司SOI: 中国电子科技集团公司第四十七研究所2SOI 的消费市场走向3 SOI的汽车电子市场4SIO的使用厂商5EPI产业化情况6半导体产业近况受到金融危机影响，半导体产业出现大幅下滑，在各国政府实施经济刺激计划，各公司通过大规模减产和工厂重组来减少供应库存的情况下，从2009年2季度开始市场逐步回升，2010全球半导体市场预计达到3003亿美元，同比增长31。5%。根据协会初步统计，2010年国内集成电路产业销售额1424亿，同比增长28。4%。其中，设计业销售383亿，同比增长41。9%；制造业销售409亿，同比增长19。9%；封测业销售632亿，同比增长26。8%。根据海关总署统计，2010年1-11月国内进口集成电路金额为1431。5亿美元，同比增长34%；2010年1-11月国内出口集成电路金额265。9亿美元，同比增长28。8%。半导体产业协会数据显示，全球2010年第二季度半导体设备出货额增长两倍，高达91。1亿美元，订单额高达116。8亿美元。半导体产业协会(SEMI)公布的数据显示，2010年第二季度全球半导体生产设备出货额高达91。1亿美元，较09年同期的26。8亿美元大幅增长。其中，北美的半导体生产设备出货额攀升78%，台湾的出货额增长两倍，韩国更是增长四倍多。同时，全球半导体设备订单额也高达116。8亿美元，是09年同期的四倍。随着经济状况的改善，企业和个人消费者支出开始恢复，芯片需求量大幅回升。日本地震将掀起全球电子产业内的涟漪效应，而美国半导体生产商仍在评估此次灾难的潜在影响。Stata在接受采访时表示，如果半导体供应中断，可能会对电脑或相机等产品的生产过程产生深远影响。但他同时指出，多数电子产品制造商通常备有半导体元件的替代品。Stata在赴华盛顿出席该协会年会的途中表示，毫无疑问，此次地震会给日本经济造成很大破坏，同时也会波及其他地区7半导体行业上游材料需求旺盛 短期供不应求北美和日本半导体设备订单出货比均呈上升趋势，未来半导体市场需求可期。但同时各半导体厂家积极扩充产能，加大供应，未来竞争将加剧。 半导体上游材料市场需求创新高，供应难以接续。LED产业上游电子元件产能不足，太阳能多晶硅用料缺货严重。 iPhone等智能手机增长拉动上游芯片需求，其中存储芯片销售额剧增50%，ARM芯片的市场地位大幅提升。 LED背光电视渐成市场主流，出货持续走高，但受电子材料缺货、蓝宝石基板涨价的影响，未来厂商如何应对以满足需求将成为焦点。 虽然第二季面板业淡季不淡，但下游终端产品的销售没有明显成长，目前终端库存持续垫高，导致面板价格与产能面临调降的压力，未来需求将取决于下游库存消化速度。Competitive Rivalry1 商业对比上海新傲科技有限公司宁波立立电子股份有限公司河北普兴电子科技有限公司南京国盛电子有限公司成立时间2001200020001996注册地上海浙江宁波河北石家庄市江苏南京与科研机构的联系由中科院上海微系统所牵头，联合中外投资者设立，并获得了国家工业与信息化部、科技部、中国科技院以及上海市有关部门的大力支持。由浙江大学半导体学科相关的技术和管理人员组建的高科技企业。普兴公司的前身为中国电子科技集团公司第十三研究所的材料专业部硅外延课题组，从1962年开始进行硅外延材料的研究主营范围致力于高端硅基材料研发与生产致力于硅单晶锭 、硅抛光片、外延片及复合半导体材料的研究、开发致力于高性能硅基材料的外延研发和生产，锗硅异质结材料、8英寸和12英寸外延片研制项目除了常规外延产品外，还能向客户提供VDMOS器件用外延、IGBT用外延等高质量外延片生产情况提供4-6英寸的所有规格与要求的外延硅产品和外延加工服务，现已开始批量提供8英寸外延片国内唯一拥有硅单晶锭 、硅抛光片、外延片、功率芯片的完整产业链的半导体企业和国内最大的4-8英寸重掺杂硅单晶锭 ，硅抛光片、外延片的生产基地拥有国际先进的硅外延、检测及清洗设备，可生产3 -8英寸的各种规格型号的外延片，是中国规模最大的硅外延材料生产基地拥有国际水平的外延设备和及时的供货能力（产能13万片/月），硅外延产品从4英寸到8英寸销售市场产品90%以上销售到美、日、