仪表技师习题.doc

一、判断题：1. 直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转化为直流能量。（ ）2. 在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的倍。（ ）3. 若U2为电源变压器二次电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为2U2。（ ）4. 当输入电压U1和负载电流IL变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。（ ）5. 一般情况下，开关型稳压电路比线性稳压电路效率高。（ ）6. 消除组合逻辑电路中的竞争冒险现象可以在输出端并联一电容器。（ ）7. 基本积分运算放大器，由接到反相输入端的电阻和输出端到反相输入端之间的电容所组成。（ ）8. 555精密定时器可以应用于脉冲发生器。（ ）9. 寄存器主要有多谐振荡器组成。（ ）10. 发光二极管数码管可以用晶体管构成驱动电路，也可以用TTL门构成驱动电路，荧光数码管可以用HTL集成门直接驱动。液晶显示器由于驱动电流很小，所以可以用译码器输出信号直接驱动。（ ）11. 晶闸管只要加上正向阳极电压就导通，加反向阳极电压就阻断，所以晶闸管具有单向导电特性。（ ）12. 晶闸管导通后，要使其阻断，只要使门极电压为零或加负电压即可。（ ）13. 晶闸管导通后，当阳极电流小于维持电流IH，晶闸管必然自行关断。（ ）14. 当门极被加入毫安级的电流或几伏电压时，就可以控制阳极安培级的电流，所以晶闸管和晶体管一样具有放大功能。（ ）15. 绝缘栅双极型晶体管的导通和关断是由栅极电压控制的。（ ）16. 电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿。（ ）17. GTO器件工作时，必须有正向门极脉冲来触发其导通，还需要有较大功率的反向脉冲来控制其关断。（ ）18. 功率MOSFET的静态特性主要输出特性和转移特性。（ ）19. 普通晶闸管通过门极能控制开通和控制关断，所以是全控型器件。（ ）20. 功率MOSFET是一种单级型的电压控制器件。（ ）21. 三相半波可控整流电路的接法有两种，一种是共阴极接法，另一种是共阳极接法。（ ）22. 三相全控桥式整流主电路，实质上是共阴极组（1、3、5）与共阳极组（2、4、6）两组电路并联而成的。（ ）23. 在三相全控桥式整流电路中，晶闸管导通的顺序是：6.11.22.33.44.55.66.1。（ ）24. 为了保证逆变电路能正常工作，必须选用可靠的触发器，正确选择晶闸管的参数。（ ）25. 功率晶体管GTR是一种高反压晶体管，具有自关断能力，并有开关时间短、饱和压降低和安全工作区宽等优点。（ ）26. 由通态到断态，能够维持晶闸管导通的最小阳极电流叫做擎住电流。（ ）27. GTO所能达到的电流容量及电压水平比普通晶闸管高。（ ）28. 功率MOSFET是一种单极型的电流控制器件。（ ）29. GTO有较高的速度，门极关断晶闸管的工作频率可达几千赫兹。（ ）30. 逆变运行时，一旦发生换向相失败，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使整流桥的输出平均电压和直流电势变成顺向串联，电路内阻很小，形成很大的短路电流，这种情况称为逆变失败。（ ）二、选择题1、具有记忆功能的是（ ）。A.与非门 B.异或门 C.加法器 D.触发器2、反相输入比例运算放大器的电压放大倍数计算公式为 （ ）。 A. 1+Rf/R1 B. -Rf/R1 C. Rf/R1 D. -13、用于把矩形波脉冲变成尖脉冲的电路是（ ）。 A.RL 耦合电路 B.RC耦合电路 C.微分电路 D.积分电路4、集成运放输入端并接两个正反向二极管其作用是（ ）。 A.提高输入阻抗 B.过载保护 C. 输入电压保护 D.电源电压保护5、两级放大电路的电压增益分别是100dB和80dB，电路总的电压放大倍数是( )。 A.180dB B.109 C. 8000dB D.1086、流入由集成运算放大器构成的基本运算电路两输入端的电流都为0，这是电路的（ ）。现象 A.虚短 B. 虚断 C.虚地 D.零输入7、多级放大电路克服零点漂移的方法是 （ ）。 A.在最后一级采用共射极放大电路 B.在最后一级采用差动放大电路 C.在第一级采用差动放大电路 D.在中间级采用差动放大电路 8、时序逻辑电路在任何一个时刻的输出状态( )。 A.只取决于当时的输入信号 B.只取决于电路原来的状态 C.只取决与时钟脉冲 D.不仅取决于当时的信号，还取决电路原来的状态9、组合电路是由( ) 组成的。 A. 存储电路 B.门电路 C.逻辑电路 D.数字电路 10、不管输入信号如何，电压比较器的输出状态之可能是（ ）。 A.高电平 B.低电平 C.+Uo或-Uo D.高阻11、稳压管的稳压区是其工作在( )。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.不确定区域 12、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ ）。 .可获得很大的放大倍数 .可使温漂减小C.集成工艺难于制造大容量电容 D.没有其他耦合方式 13、通用型集成运放适用于放大 ( )。A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 D.中频信号 14、集成运放制造工艺使得同类半导体管的（ ）。A.指标参数准确 B.参数不受温度影响 C.参数一致性好 D.无明显区别15、集成运放的输入级采用差动放大器电路是因为可以（ ）。A.减小温漂 B. 增大放大倍数 C.提高输入电阻 D.A、B、C均正确16、集成运算放大器是一种具有（ ）耦合放大器。A.高放大倍数的阻容 B.低放大倍数的阻容 C.高放大倍数的直接 D.低放大倍数的直接17、与非门的逻辑功能无（ ）。A.入0出0，入1出1 B.入1出0，入0出0 C.入0出1，入1出0 D.入1出0，入0出118、TTL与非门的输入端全部同时悬空时，输出为（ ）。A.零电平 B.低电平 C.高电平 D.可能是低电平，也可能是高电平19、在与非门RS触发器中，当R=S=1时，触发器状态（ ）。A.置1 B.置0 C.不变 D.不定20、寄存器主要由（ ）组成。A.触发器 B.门电路 C.多谐振荡器 D.触发器和门电路21、电力场效应晶体管MOSFET是理想的（ ）控制器件。A.电压 B.电流 C.电阻 D.功率 22、在电力电子装置中，电力晶体管一般在()状态。A.放大 B.截止 C.饱和 D.开关 23、电力晶体管的开关频率（ ）电力场效应管的开关频率。.稍高于 B.低于 C.远高于 D.等于 24、绝缘栅双极晶体管内部为层为结构( )。A.1 B.2 C.3 D.425、绝缘栅双极晶体管( )电路。 A.不必有专门的强迫换流 B.可能有专门的强迫换流 C.必须有专门的强迫换压 D.可以有专门的强迫换圧26、在电力电子装置中，电力晶体管一般工作在（ ）状态。A.放大 B.截止 C.饱和 D.开关27、绝缘栅双级型晶体管具有（ ）的优点。A.晶闸管 B.单结晶体管 C.电力场效应晶体管 D.电力晶体管和电力场效应晶体管28、电力场效应管MOSFET( )现象。A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.防止二次击穿 D.无静电击穿 29、电力场效应晶体管MOS