专业英语6-20100414.ppt

专业英语 第六讲 李聪2010 04 14cong li Translation BreakdownvoltageVBdependsonthedopingdensityofapnjunction inparticularonthedopingofthemorelightlydopedsideofthejunction Fig 8 7showsaplotofbreakdownvoltageforSidiodesofdifferentdoping Itindicatesthegeneralvalueofthequantities butdoesnotaccountforthegradingofthejunction thedopingofthemoreheavilydopedside northedistinctionbetweenaplanarandasphericaljunction Themechanismofbreakdownforp njunctionswithbreakdownvoltageslessthanabout4Eg eisduetothetunnelingeffect Forjunctionswithbreakdownvoltagesinexcessof6Eg e themechanismiscausedbyavalanchemultiplication Atvoltagesbetween 4 6 Eg e thebreakdownisduetoamixtureofbothavalancheandtunneling Althoughnotlarge thetemperaturevariationofthetwotypesofbreakdownisofoppositesign Forbreakdownvoltagesintherangeofabout5 6VforaSilicondiode bothavalanche andtunnel breakdowncanoccursimultaneouslysothatthenettemperaturevariationisveryslight Thischaracteristicisusefulforestablishingavoltagereferenceinsomeintegratedcircuits Vocabulary Breakdownvoltage 击穿电压Diodes 二极管Sphericaljunction 球面结Mechanism 机理Tunnelingbreakdown 隧道击穿Avalanchemultiplication 雪崩倍增Voltagereference 电压基准 BreakdownvoltageVBdependsonthedopingdensityofapnjunction inparticularonthedopingofthemorelightlydopedsideofthejunction 提示 dependson翻译为与 有关翻译 击穿电压VB与pn结的掺杂浓度有关 尤其与pn结中轻掺杂一侧的掺杂浓度有关 Fig 8 7showsaplotofbreakdownvoltageforSidiodesofdifferentdoping 翻译 图8 7表示了硅二极管击穿电压与掺杂浓度的关系 Itindicatesthegeneralvalueofthequantities butdoesnotaccountforthegradingofthejunction thedopingofthemoreheavilydopedside northedistinctionbetweenaplanarandasphericaljunction 提示 general approximateaccountfor 考虑doesnot与nor 既不 也不 呼应关系 grade degreeofslopegradedjunction 缓变结linearlygradedjunction 线性缓变结abruptjunction 突变结翻译 该曲线给出了击穿电压数值的大概大小 但是未考虑到结附近杂质的变化情况 结的杂质分布类型 未考虑杂质较重一侧的影响 也未区分平面结与球面结之间的差别 Three dimensionalviewofthejunctioncurvatureshowingthecylindricalandsphericalregion Themechanismofbreakdownforp njunctionswithbreakdownvoltageslessthanabout4Eg eisduetothetunnelingeffect 翻译 当pn结的击穿电压小于4Eg e时 其击穿 机理 由遂穿效应引起 Forjunctionswithbreakdownvoltagesinexcessof6Eg e themechanismiscausedbyavalanchemultiplication 翻译 当pn结的击穿电压大于6Eg e时 其击穿 机理 由雪崩倍增效应引起 Atvoltagesbetween 4 6 Eg e thebreakdownisduetoamixtureofbothavalancheandtunneling 翻译 当击穿电压在4 6Eg e时 其击穿 机理 则是雪崩倍增和遂穿两种效应的混合 注意 翻译时 注意体会同一种意思的多种说法 英文写作时非常有用 Althoughnotlarge thetemperaturevariationofthetwotypesofbreakdownisofoppositesign 提示 temperaturevariation指的并不是温度的变化 而是击穿电压随温度的变化 有时也叫做 温度系数 翻译 尽管两种击穿 电压 随温度的变化不是很明显 但两种击穿 电压 随温度变化的趋势却是相反的 Forbreakdownvoltagesintherangeofabout5 6VforaSilicondiode bothavalanche andtunnel breakdowncanoccursimultaneouslysothatthenettemperaturevariationisveryslight 提示 nettemperaturevariation指击穿电压随温度的净变化翻译 对硅二极管来说 当击穿电压在5 6V时 雪崩和遂穿两种击穿将同时发生 因此这时 击穿电压 随温度的净变化非常小 Thischaracteristicisusefulforestablishingavoltagereferenceinsomeintegratedcircuits 翻译 在某些集成电路中这一特性对建立电压基准源非常有帮助 Listenthenanswer Whatisbreakdownvoltage Trytodescribethetunnelingprocessofelectronsinahighlydopedjunction Wheredoesavalanchebreakdownhappen Whatisthereasonwhythebreakdownvoltageduetothetunnelingeffecthasanegativetemperaturecoefficient Part1 Intheidealpnjunction areverse biasvoltagewillresultinasmallreverse biascurrentthroughthedevice However thereverse biasvoltagemaynotincreasewithoutlimit atsomeparticularvoltage thereverse biascurrentwillincreaserapidly Theappliedvoltageatthispointiscalledthebreakdownvoltage Part2 Twophysicalmechanismsgiverisetothereverse biasbreakdowninapnjunction theZenereffectandtheavalancheeffect Zenerbreakdownoccursinhighlydopedpnjunctionsthroughatunnelingmechanism Inahighlydopedjunction theconductionandvalencebandsonoppositesidesofthejunctionaresufficientlycloseduringreversebiasthatelectronsmaytunneldirectlyfromthevalencebandonthepsideintotheconductionbandonthenside Part3 Theavalanchebreakdownprocessoccurswhenelectronsorholes movingacrossthespacechargeregion acquiresufficientenergyfromtheelectricfieldtocreateelectron holepairsbycollidingwithatomicelectronswithinthedepletionregion Part4 Sincetheenergyband gapsEginSidecreasewithincreasingtemperature thebreakdownvoltageinthesesemiconductorsduetothetunnelingeffecthasanegativetemperaturecoefficient thatis thebreakdownvoltagedecreaseswithincreasingtemperature 1 Breakdownmayresultinthedestructionofadevicebutthisisnotinevitable 提示 resultin是固定搭配 表示 导致 isnotinevitable谓语是否定形式 表语inevitable表示 不可避免的 具有否定的含义 与直接表示 可以避免的 的相比 采用这种否定加否定的方式 具有 强调 的作用 翻译 击穿会导致器件的损坏 但是这并不是不可避免的 2 Damageiscausedbylocalmelting andifthecurrentisheldtoasmallvaluebyanexternalresistance orisspreadoveralargeareabycarefuldesignandmanufacture thenthetemperaturereachedarenothighenoughforSiliconorSiO2tomelt norforimpuritiestodiffuseoutoftheirintendedpositions 提示 第一个and连接两个并列句 其中and后面是一个包括条件状语从句的复合句 if引导的条件状语从句中or表示 或者 连接两个并列谓语 翻译 损坏是由局部熔化导致的 如果采用外接电阻使电流值维持在一个较小的数值 或者通过精心设计和制造 使电流流过较大的面积 则温度将不会升高到使Si或者SiO2熔化的程度 也不会使杂质扩散离开其原来所在的区域 4 Sothejunctioncapacitanceisidenticalwiththatofanordinarycapacitorofthesamesize shape andpermittivityasthedepletionlayer 提示 that代表前面出现的capacitance 电容 第一个of后面的anordinarycapacitor 普通的电容器 作that的定语 第二个of后面到句尾作capacitor的定语 翻译 因此 结电容与这样一个普通的电容器具有相同的电容值 该电容器的尺寸 形状以及介电常数与耗尽层相同 5 Thisfactcanbeputtogooduseinavarietyofways sinceitrepresentsavoltage controlledcapacitance 提示 puttogooduse是固定搭配 表示 充分利用 voltage controlled是一种带逻辑主语的过去分词结构 作定语 修饰受到控制的对象capacitance 破折号前面voltage表示动作的实施者 可翻译为 受电压控制的电容 翻译 这一事实代表一种受电压控制的电容 能在多方面得到充分利用 6 Inforwardbias theexcesschargestoredintheneutral ordiffusion regionofthediodeleadstoadelaywheneveranattemptismadetochangethevoltageacrossthejunction 提示 or表示 即 不要翻译为 或者 注意根据上下文灵活翻译whenever 翻译 在正向偏置情况下 二极管的中性区 即扩散区中存储有过剩载流子电荷 因此 只要结两端的电压发生变化时 将发生延迟 7 Thissmall signalcapacitancecanbecalculatedfromthechange QoftheexcessminoritycarrierchargeQ storedintheneutraldiffusionregionsofthediode whichaccompaniesasmallchange Vintheappliedvoltage 提示 过去分词stored修饰Q which引导的非限制性定语从句修饰 Q 翻译 小的外加电压变化量 V将导致储存在二极管性扩散区中的过剩少子电荷Q随之变化 Q 由此可以计算小信号电容 8 The Qchargeisalternatelybeingchargedanddischargedthroughthejunctionasthevoltageacrossthejunctionchanges 提示 isalternatelybeingchargedanddischarged是现在进行时被动语态 翻译 随着结电压的变化 Q电荷将交替地充电和放电 9 Thesmall signaldiffusioncapacitanceCdisdirectlyproportionaltothecurrentthroughthejunction becominglargerthanthedepletionlayercapacitanceforallreasonableforwardbiases 提示 isdirectlyproportionalto表示与 成正比 由becoming组成的现在分词短语作状语 注意根据上下文灵活翻译reasonable一词 翻译 小信号扩散电容Cd与流过结的电流成正比 因此在通常的正向偏置条件下 Cd大于耗尽层电容 10 Figure8 5illustratesthevoltagedependence showingthatwithaforwardbiasofmorethanafewhundredmillivoltsthediffusioncapacitancenormallydominates andCjisoftennegligible 提示 现在分词showing及其后面的宾语从句作状语 showing后面是由and连接的两个宾语从句 此处and可以翻译为 而 翻译 图8 5说明了 电容 随电压的变化关系 由图可见 在正向偏置电压大于几百毫伏的范围 以扩散电容为主 而Cj通常可以忽略不计 Exercises P67 8 5 1 Whenthediodeisusedinacircuitinwhichsmallalternatingsignalvoltagesandcurrentsaresuperimposedonstatic d c values thediodecanbereplacedforthepurposesofcalculatingsignalvoltagesandcurrentsbythesmall signalequivalentcircuitshowninFig 8 6 Inreversebias leakageeffectsbecomeimp