半导体二极管、三极管的型号.doc

常用半导体分立元件型号的命名方法简介在模拟电路教科书中，对半导体分立器件的工作原理和特性已做了较详细的介绍，所以就不再赘述。这里将给出常用半导体分立器件型号的命名方法。1. 中国半导体分立器件型号的命名方法在国家标准GB249-74中，半导体器件的型号由五部分组成，具体规定见表1。表1 中国半导体分立器件型号的命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类型用数字表示器件序号用汉语拼音字母表示规格号符号意义符号意义符号意义符号意义23二极管三极管ABCDABCDEN型锗材料P型锗材料N型硅材料P型硅材料PNP型锗材料NPN型锗材料PNP型硅材料NPN型硅材料化合物材料PVWCZLSNUKXG普通管微波管稳压管参量管整流管整流堆隧道管阻尼管光电器件开关管低频小功率管(f03MHz,PC1W)高频小功率管(f03MHz,PC1W)DATYBJCSBTFHPINJG低频大功率管(f03MHz,PC1W)高频大功率管(f03MHz,PC1W)半导体闸流管（可控整流器）体效应器件雪崩管阶跃恢复管场效应器件半导体特殊器件复合管PIN型管激光器件例如： 3 D G 6 2 A P 1 器件序号 器件序号 高频小功率管 普通管 NPN型硅材料 N型锗材料 三极管 二极管2. 欧洲半导体分立器件型号命名方法欧洲半导体分立器件型号由四部分组成，具体见表2。表2 欧洲半导体分立器件型号命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示器件的材料用字母表示器件的类型与主要特性用数字或字母加数字表示登记号用字母对同一型号器件分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义ABCDR锗材料（禁带0.61.0eV)硅材料（禁带1.01.3eV)砷化鎵材料（禁带1.3eV）锑化铟材料（禁带1.3eV化合物材料ABCDEFGHKL检波二极管、开关二极管、混频二极管变容二极管低频小功率三极管RTj15C/W低频大功率三极管RTj15C/W隧道二极管高频小功率三极管RTj15C/W复合器件及其它器件磁敏二极管开放磁路中的霍尔元件高频大功率三极管RTj15C/WMPQRSTUXYZ开放磁路中的霍尔元件光敏元件发光元件小功率可控硅RTj15C/W小功率开关管RTj15C/W大功率可控硅RTj15C/W大功率开关管RTj15C/W倍增二极管整流二极管稳压二极管三位数字通用半导体器件的登记序号ABCDE同一型号的半导体器件按某一参数分档的标志一个字母两个数字专用半导体器件的登记序号注：表2中，符号RTj是耗尽层管壳的热阻。例如： B U 208 B Z Y88 A 容许误差5% 器件登记号 专用器件登记号 大功率开关管 稳压二极管 硅材料 硅材料3. 美国半导体分立器件型号命名方法美国电子工业协会（EIA）规定了半导体器件的命名方法。每种器件按注册登记号排列。二极管以1N开头，晶体管、晶闸管和三端双向可控硅开关器件均以2N开头，其后的数字部分几乎是任意编排的，切勿以为序号相邻的两个器件的性能相近。这中命名方法通常称为“JEDEC”。4. 日本半导体分立器件型号命名方法日本半导体分立器件型号由五部分组成，具体见表3。表3 日本半导体分立器件型号命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件有效电极数或类型日本电子工业协会（JEIA）注册标志用字母表示器件使用材料极性和类型器件在日本电子工业协会（JEIA）的登记号同一型号的改进产品标志符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义0123n-1光电二极管或三极管及包括上述器件的组合管二极管三极管或具有三个电极的其它器件具有四个有效电极的器件具有n个有效电极的器件S已在日本电子工业协会（JEIA）注册登记的半导体器件ABCDFGHJKPNP高频晶体管PNP低频晶体管NPN高频晶体管NPN低频晶体管P控制极可控硅N控制极可控硅N沟道场效应管P沟道场效应管N双向可控硅多位数字器件在日本电子工业协会（JEIA）的注册登记号。不同厂家生产的性能相同的器件可以使用同一个登记号。ABCD表示这一器件是原型