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万得集团海科汽车电子有限公司 北京研发中心090305-1内部资料刘接刘ff4006ke3资料 版 本： 作 者： 校 对： 审 核： 年 月版本信息版本日期作者校对审核更新描述目录版本信息21 FF400R06KE3参数指标22 FF400R06KE3特性曲线42.1 IGBT逆变器输出特性曲线IC=F(VCE)（VGE=15V）42.2 IGBT的输出特性曲线IC=F(VCE) TVJ=15052.3 IGBT转移特性曲线IC=F(VGE) VCE=20V52.4 IGBT的开关损耗EOn=f(IC)62.5 IGBT的开关损耗Eon=f(RG)62.6 IGBT的热阻抗72.7 IGBT反偏电压安全工作区72.8 二极管的正向导通特性82.9 二极管的开关损耗Erec=f(IF)82.10 二极管的开关损耗Erec=f(RG)92.11 二极管的热电抗9101 FF400R06KE3参数指标定义测试条件符号数值单位集电极发射极电压Tvj=25VCE600直流集电极电流Tc=70，Tvj175Tc=25，Tvj175IC COMIC400500集电极重复峰值电流Tp1ms IC RM800总的功率损耗Tc=70，Tvj175PTOT1250门极射极峰值电压VCES+/-20定义测试条件符号最小值典型值最大值单位集电极发射机饱和电压Ic=400A,VGE=15V, Tvj=25Ic=400A,VGE=15V, Tvj=125Ic=400A,VGE=15V, Tvj=150VCE sat1.451.601.701.90VVV栅极阈值电压VGEth4.95.86.5V栅极电荷量QG4.3Uc内部栅极电阻RGint1.0输入电容Cies26.0Nf反向传输电容Cres0.76Nf集射截止电流ICES5.0MA栅极射极漏电流IGES400MA开通延迟时间（感性负载）td on0.110.120.13UsUsUs上升时间（感性负载）Tr0.050.060.06UsUsUs关断延迟时间（感性负载）td off0.490.520.53UsUsUs下降时间（感性负载）Tf0.050.070.07UsUsUs每个脉冲开启能量损耗Eon3.23.4MjMjMj每个脉冲关断能量损耗Eoff15.015.0MjMjMj供应链数据Isc28002800AA结到外壳的热电阻Tth jc0.12外壳到散热片的热电阻Rth ch0.03反向重复峰值电压VRRM600V正向直流电流IF400A正向重复峰值电流IFRM800AI2t值I2t1100010500A2SA2S正向电压VF1.551.501.451.95VVV反向恢复峰值电流IRM270330350AAA恢复电量Qr15.029.032.0UcUcUc反向恢复能量Erec3.607.408.30MjMjMj结到壳的热电阻Rth jc0.22壳到散热器的热电阻Rth ch0.06绝缘测试电压VISOL2.5KV模块基板材料CU内部绝缘材料AL203爬电距离29.023.0MM间隙距离23.011.0MM相对跟踪指数CTI425外壳到散热器的热电阻RthCH0.01模块的杂散电感LAce20Nh模块的引线电阻终端芯片RCC+EE0.70M最大结温TVJ MAX175在开关状态下的温度TVJ OP-40150储藏温度TStg-40125安装力矩M3.006.00NM中断连接扭矩M2.55.0NM重量G340g2 FF400R06KE3特性曲线2.1 IGBT逆变器输出特性曲线IC=F(VCE)（VGE=15V）从输出特性曲线可以看出在VGE=15V的条件下，IGBT在温度较低的情况下它的饱和电压较低。2.2 IGBT的输出特性曲线IC=F(VCE) TVJ=150从特性曲线可以看出子TVJ=150为常值的条件下，VGE越高饱和压降越低。2.3 IGBT转移特性曲线IC=F(VGE) VCE=20V集电极电流IC和门射电压的VGE的关系反映了输入电压和输出电流的关系，即输入电压对输出电流的控制能力，成为IGBT的转移特性，从图中可以看出在集电极电流较大时，Ic与UGE的关系近似线性，曲线的斜率被定义为IGBT的跨导Gfs,IGBT是电压控制型器件，其输入阻抗极高，输入电流非常小。从图中可以看出温度较低时跨导较高。2.4 IGBT的开关损耗EOn=f(IC)EOn=f(IC)，Eoff=f(IC),VGE=15V,RGon=1.5，RGoff=1.5，VCE=300v从图中可以看出温度对开关损耗影响不大，在相同集电极电流的情况下关断损耗比开启损耗打的多。2.5 IGBT的开关损耗Eon=f(RG)Eon=f(RG),Eoff=f(RG),VGE=15V，IC=400A,VCE=300V从图中可以看出温度对开关损耗影响不大，在门极电阻较小时开启损耗比关断损耗小得多，在门极电阻较大时开启损耗比关断损耗大得多。2.6 IGBT的热阻抗Zth JC=F(t)从图中可以看出在较短时间内热阻抗随着时间成线性增加，到达一定时间后热阻抗为恒值。2.7 IGBT反偏电压安全工作区VGE=15V,RGoff=1.5，TVJ=1502.8 二极管的正向导通特性IF=F(VF)从图中可以看出二极管开启电压随着温度的升高而降低。2.9 二极管的开关损耗Erec=f(IF)Erec=f(IF), RGon=1.5，VCE=300V从图中可以看出二极管的开关损耗随着电流的增加而增加，随着温度的增加稍有增加。2.10 二极管的开关损耗Erec=f(