模拟电子_作业第14章_20100428网工91班.doc

1930910914A:硅二极管电路如图所示，试求电流和电压。E110VR10kID1E25VD2D3AB1930910914A：解答：根据题意，首先判断管子是否导通，然后将移开，求电压。（1）设是导通的，则：，这时是导通的。 设是截止的，则:，此时，也会导通也就是说，无论是否导通，都导通。（2）在导通的情况下，判断是导通还是截止，再将移开解出 即：是截止的。（3）当二极管的状态都确定时，则 。1930910914A：出处：（面向21世纪教材）电子技术基础同步辅导（模拟部分），主编：（中国科学院）徐海军，（清华大学）苏智信。出版社：航空工业出版社。1930910914B：如图（a），（b），（c），（d）所示的四个三极管，已知它们在电路中各极的静态电位，试判别它们分别工作在何种状态？0V-0.7V+0.5V（a）+6V+6.2V+6.3V（c）+3V+3.2V+5V（b）-0.2V0V-5V（d）1930910914B：解答：图（a）：因为是NPN管，且，故三极管工作在放大状态。 图（b）：因为是NPN管，且发射结处于反偏置。故工作处于截止状态。 图（c）：因为是PNP管，且，发射结和集电结均正偏置。故工作在饱和状态。 图（d）：因为是PNP管，且，发射结正偏置，集电结反偏置。故工作在放大状态。1930910914B出处：（面向21世纪教材）电子技术基础同步辅导（模拟部分），主编：（中国科学院）徐海军，（清华大学）苏智信。出版社：航空工业出版社。黄木澎19309124 电工学作业(4.5)19309124-14A思考题:测得某一二极管的Ib=10uA,Ic=1mA能否确定它的电流放大系数？什么情况下可以，什么情况下不可以？19309124-14A解答：不可以，只有在二极管工作在线性区时才可以根据数据得出其电流放大系数。19309124-14A出处：秦曾煌电工学（第六版）下册，高等教育出版社，P25练习与思考19309124-14B. 计算题:+12V47K1.5KT=40+12V在下图各个电路中，试问晶体管工作在何种状态？50K=501KT+12V+6V1+12V20K-6V=401KT19309124-14B解答：（a）饱和时，电流IcVcc/Rc=12/1=12毫安，Ib =Ic(sat)/=0.24毫安，Ib=（6-0.6）/50=0.11毫安，IbIb,所以该二极管工作在饱和区。（c）Ib5V时，二极管D导通，Uo=UI;当UI=5时，二极管D截止，Uo=5V。对于Uo,UR,UD的波形如图 b,c,d。根据基尔霍夫电压定律满足UI=UD+UR和UO=UR+519309127-14B 计算题出处：秦曾煌编，电工学（第六版）下册，P28 14.3.1。 UD/VURVtt0-2310UI/V5t0105UO/V05t-5-7-5-5-20adcb55555 1930911719309117-14A 计算题设图所示电路所加输入电压为正弦波。试问：（1） u1=Uo1/Ui? Rb100kC3R3k Rc3kC2Uo2+VccUo1uiu2=Uo2/Ui?解：（1）对于共射组态，其小信号模型如图（a）所示uo1=ibRCui=ibrbe+(1+)ibRE故u1=（-RC）/rbe+(1+)RE (-RC)/RE=-1对于共集组态，其小信号模型如图（b）所示uo2=(1+)ibREui=uo2+rbeib=(1+)RE+rbeib故u2=uo2/ui=(1+)ibRE/(1+)RE+rbe 1ibib+ui_Rbuo1RE_+ (a)(b)19309117-14A 计算题 出处：电工学电子技术全程辅导 43页 15.2.219309117-14A 填空题一般来说，低于6V的稳压二极管，它的电压系数是_，高于6V的稳压二极管，它 的稳压系数是_。解：负的，正的19309117-14A 填空题 出处：电工学第六版下册电子技术 14页193091021930910214A填空题：在P型半导体和N型半导体的交界面就形成一个特殊的薄层，称为 。1930910214A解答：PN结1930910214A参考出处：电工学（第六版）下册电子技术高等教育出版社 秦曾煌 主编 p8 第11行1930910215B计算题：放大电路如图所示，三极管的静态集电极电流Ic=2.2mA，试求：（1） 放大电路的输出电阻Ri。（2） 电压增益AUSI=Uo1/Us和AUS2=Uo2/Us。（3） 与两个输出端相应的输出电阻Ro1和Ro2。1930910215B解答：（1）计算输入电阻Ri Ri=Rb1/Rb2/be+(1+)Re be=200+(1+100)26/2.61.4103=1.4k Ri=20/15/1.4+1012=8.2k(2)计算电压增益，以Uo1为输出是一种共射极的放大电路，以Uo2为输出时是一种共集电极放大电路，两者的增益表达式是不相同的。 AUSI=-Rc Ri /be+(1+)Re( Rs+ Ri) =-10028.2/(1.4+1012)(2+8.2) =-0.79 AUS2=(1+)ReRi/be+（1+）Re（Rs+ Ri） =10128.2/(1.4+1012)(2+8.2) =0.79 （3）计算输出电阻Ro1和Ro2 Ro1Rc=2kRo2 = Re/be+(Rb1/Rb/Rs)/(1+) = 2/1.4+(20/15/2)/101 0.03k1930910215B参考出处：模拟电子技术基础典型题解析及自测试题西北工业大学出版社 张裕民 编著 p26 例2.3+12V19309107 14A: 如图：输入端A的电位VA=+3V，B的电位VB=0V，求输出端Y的电位VY。电阻R接负电源.解：因为A端的电位比B端电位高，所以DA优先导通。如果二极管的正向电压是0.3V，则VY=+2。7V；当DA导通后，DB上加的是反向电压，因而截止。出处：电工学第六版 下册 电子技术 秦曾煌 主编 高等教育出版社 例14.3.5 19309107 14B如图：通过稳压二极管的电流IZ等于多少？R是限流电阻，气质是否合适？ 解：IZ=5mA,IZ Un 二极管导通等效为 0.7 V 的恒压源U o= V DD1-UD(on)= 15-0.7 = 14.3 (V)Io = Uo / RL= 14.3 / 3 = 4.8 (mA)I2 = (U O- VDD2) / R = (14.3 - 12) / 1 = 2.3 (mA)I 1= I 0+ I2 = 4.8 + 2.3 = 7.1 (mA)1930911514B 计算题出处：电工学（第六版）电子技术全程导学及习题全解，主编 侯钢，中国时代经济出版社，P17 第二行。19309126-14.A 简答题：晶体管具有电流放大作用，其外部条件和内部条件各是什么？ 19309126-14.A 答：外部条件：发射极正向偏置，目的是使发射区的自由电子的扩散加强，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE. 集电极反向偏执，目的是阻挡集电区的电子向基区扩散，将从发射极扩散到基区并到达集电区边缘的自由电子拉入集电区形成电流ICE.内部条件：基区要做得很薄，参杂浓度要很小，目的是大大减少电子与基区空穴复合的机会，使绝对部分的自由电子都能扩散到集电区边缘。出处：电工学第六版下册(25页)电子技术-秦曾煌主编高等教育出版社。19309126-14.B 如图所示的电路中，设二极管导通时的正向压降为UD=0.7V.计算流过二极管电流ID.19309126-14.B 解：将D开路，UA=(105)(23)35=4v,D导通画出其等效电路如图C,用支路电流法求解： I120.710=0 I2350.7=0联立解得：I1=4.65mA,I2=1.9mA ID=I1I2=2.75mA出处：电工学电子技术全程辅导第六版（第6页）-韩朝主编北京理工大学2k3k10v5vIDI1I2出版社出版。19309112-14A填空题：三极管电流放大系数=50，则a=（ ）；若a=0.99，则=（ ）。19309112-14A解答：答案：0.98,9919309112-14A填空题出处：张裕民编，西北工业大学出版社模拟电子技术基础-典型题解析及自测试题，P9第4行。19309112-14B计算题：硅二极管电路如图1.3所示，试求电流I和电压UAB。19309112-14B解答：答案：（1） 首先判断D2和D3是否导通，将D2,D3移开，求AB两端的电压UAB。由于移开D2,D3后，电路中还有一个二极管D1，此时可以用假设的方法来求UAB。 设D1是导通的，则 UAB=UD1+E2=3.7V这时D2,D3是导通的。设D1是截止的，则UAB=E1=5V此时D2,D3也会导通。也就是说不管D1导通与否，D2和D3肯定是导通的。（2） 在D2和D3肯定导通的前提下，再来判断D1究竟是导通还是截至，再将D1移开解出UAC，即UAC=UAB+UBC=UD2+UD3+(-E2)=0.7+0.7-3=-1.6V这样，又得出一个结论，D1是截止的。（3） 三个二极管的工作状态均确定了之后，便可以进行计算了。UAB=UD2+UD3=0.7+0.7=1.4I=(E1-UAB)/R=0.36mA19309112-14B计算题出处：张裕民编，模拟电子技术基础-典型题解析及自测试题，西北工业大学出版社P5第12行1930910514A 计算题：由锗二极管构成的电路如图所示，试求二极管是导通还是截止。1930910514A 解答：若判断二极管D是否导通，先将二极管移开，求出断点间的开路电压UCA: UCA=UCUA=UCB+UB-UA UA=E2*R6/(R5+R6)=15*5/(10+5)=5V UB=E2*R4/(R3+R4)=15*8/(7+8)=8V UBC=E1*R2/(R1+R2)=10*5/(5+5)=5V UCB=UBC=5V UCA=5+85=2V则，因为UCA小于二极管的死区电压，所以，该电路中的二极管是截止的。1930910514A 参考出处：模拟电子电工基础 张裕民 编著 西北工业大学出版社 P51930910515B 填空题：单线共射极放大电路产生截止失真的原因是_;产生饱和失真的原因是_;若两种失真同时产生，其原因是_.1930910515B 解答：静态IC偏小；IC偏大；输入信号太大；1930910515B 参考出处：模拟电子电工基础 张裕民 编著 西北工业大学出版社P31 19309110-15A计算题：由JFET组成的电路如图所示，夹断电压Up=-4V,饱和漏电流IDSS=4Ma,静态UGS=-2V,试求：（1） 电阻R1和静态电流ID;（2） 保证静态UDS=4V时R2的值；（3） 计算电压增益AU。19309110-15A解答：答案： 解：（1） ID=IDSS(1-UGS/Up)(1-UGS/Up)=1mA 由 UGS=-IDR1 得到 R1=-UGS/ID=2/1=2K (2) 由 UDS=UDD-ID(Rd+R1+R2) 4=20-1（10+2+R2） 得到 R2=4K (3)计算电压增益AU时，必须先求的FET的跨导gm gm=-2IDSS/Up(1-UGS/Up)=1Ma/VUoR2R1UiRg1MCb1Cb2UDD(+20V)Rd10K+=+_+ AU=-gmRd/(1+gm(R1+R2)=-1.4319309110-15A计算题出处：模拟电子技术基础典型题解析及自测试题西北工业大学出版社P45-3.119309110-14B填空题：三极管工作在放大状态时，发射结应（ ）偏置，集电结应（ ）偏置。19309110-14B解答：答案：正，反19309110-14B填空题出处：模拟电子技术基础典型题解析及自测试题张裕民 编著 西北工业大学出版社 P8-习题一-（一）填空题-3题19309122-14A 选择题：由理想二极管组成的电路如图所示，其中A,B两端的电压UAB应为 （ ）ABD3k6V12V A. UAB= -12V B. UAB= -6V C. UAB=+6V D. UAB=+12V19309122-14A 答案 ：B1930912214A 参考书出处：模拟电子技术基础典型题解析及自测试题（西北工业大学出版社） 张裕民 编（第九页）。193091221 5B 计算题 ：放大电路如图(a)所示，在三极管输出特性上作出的直流负载线和交流负载线如图（b）所示。试求：确定本电路的UCC,Re,RL和Rbl的值，以及三极管的值。 ( a )Ui+RblRLUO+UCCCe+RC3K10K Rb2+Re 0 2 4 6 8 9 uce/v2.01.81.51.00.5Ic/mA交流负载线直流负载线IB=40A30A20A10A ( b )1930912215B 解答 解： 直流负载线与横轴坐标线交点的值即为电源电压，即UCC=9V； 交。直流负载线 Q点即为静态工作点 IC=1mA 和UCE=4V 对应基极电流IB=20A 则 =IC/IB=1/0.02=50 直流负载线与纵坐标轴交点ic=1.8 mA 和 uce=0V, 满足下式 Ucc=1.8(Rc+Re) 9=1.8(3+Re) 解得 Re=2K 交流负载线与横坐标轴的交点为6V，6V与静态管压降4V之差满足下式 ICRL=6-4 IC(RC/RL)=2, 1(3/RL)=2可解出RL=6 K由电路可得基极电位UB的两个表达式 UB=UBE+UE=0.7+IcRe=0.7+1*2=2.7V UB=Rb2*UCC/(Rb1+Rb2)=10/(Rbl+10)*9 解得 Rbl=23k 所以 UCC=9V =50 Re=2K RL=6 K Rbl=23k 1930912215B 参考书 模拟电子技术基础典型题解析及自测试题（西北工业大学出版社） 张裕民编 第22页例题 2.1。 19309119-14A 计算题再图1中，试重新选取Re和Rc的值，以当UB=2V时，集电极对地电压uC=0V。 +uB _ T Rc 5k +VCC+10V Re10k-Vcc-10V 解: 由uB=2V，uC=0V 故 uE=uB+uEB=2.7V 同理，uRC=Vcc-uE=10V-2.7V=7.3V uRC=10V 又因为 =1001,则IEIC,即 URE/REURCRC即RE/RC7.3V10V 故 R0.73RC 其中 ，当取 Rc=5.0K,Re=3.65K 19309119-14A 出处 电子技术基础同步辅导 模拟部分清华大学出版社 P54 例3.5 19309119-14A 填空题 要使晶体管起放大作用，发射结必须 偏置，而集电结必须 偏置。 解答：正向 反向 19309119-14A 出处 电工学 第六版 下册 电子技术高等教育出版社 P17电工学作业 19309108 邓啸19309108-14A：测得某一晶体管的IB=10A,IC=1mA,能否确定他的电流放大系数？什么情况下可以？什么情况下不可以？ 19309108-14A解：a.若UCE1V，则可认为测量工作点处于线性放大区，其电流放大系数=IC/IB=1/10*0.001=100b.若UCE1V,则处于饱和区,与IC/IB不是线性关系,只是该工作点上的电流放大系数.19309108-14A：出处电工学电子技术全程辅导P16 北京理工大学出版社 14.5.919309108-14B有两个晶体管,一个管子=50,ICBO=0.5A;另一个管子=150,ICBO=2A.如果其他参数一样,选用那个管子较好?为什么?19309108-4B解:温度稳定性与穿透电流大小有直接关系,两只管子的穿透电流分别是 ICEO1=(1+)ICBO =(1+50)*0.5=25.2A ICEO2=(1+)ICBO=(1+150)*2=302A 由此可见,选用第一支管子较好,因为穿透电流小,温度稳定性好.19309108-14B :出处电工学电子技术全程指导P15 北京理工大学出版社 14.5.6网络91 顾建文19309121-A填空题：是各种半导体器件的共同基础19309121-A解答：答案：PN结19309121-A填空题出处：秦曾煌电工学下册P8 清华大学出版社19309121-B计算题：电路如下图所示，设D为硅二极管，试确定：二极管是正偏还是反偏，计算Vx和Vy值。D2R+10VRVyVx19309121-B解答：D正偏，D通导压降为0.7V Vx=（10-0.7）/（R+2R）*2R=6.2V Vy=0.7+ Vx=6.9V19309121-B计算题出处：韩朝电工学电子技术全程辅导P5北京理工大学出版社1930910614A 有两个晶体管分别接在电路中，今测得它们管脚的电位（对“地”）分别如下表所列， 晶体管 晶体管 管脚123电位/V43.49管脚123电位/V-6-2.3-21930910614A解答：晶体管是硅管PNP型 晶体管是锗管NPN型 1930910614A 出处：习题14.5电工学第六版电子技术 秦曾煌主编 高等教育出版社1930910614B习题14.5电工学第六版电子技术 +12V47K1.5K+12V=40-6V20K1K+12V=40在图所示的各个电路中，试问晶体管工作于何种状态？+6V50K1K+12V=50 (A) (B) (C)1930910614B解答（A）IC=12V/1=12mAIB=IC/=0.24mAIB=(6V-0.7V)/50K=0.16mA0.2mA所以处于深度饱和状态（C）处于截止状态1930910614B 出处：习题14.5电工学第六版 电工技术 秦曾煌主编 高等教育出版社1930910414A填空题：晶体管分为 和 两类每一类都有 个PN结。1930910414A解答：PNP型 NPN型 21930910414A参考出处：电工学（第六版）下册电子技术高等教育出版社 秦曾煌 主编 p161930910415B计算题：放大电路如图所示，图中各电容对交流信号均可视为短路。试画出简化的H参数微变等效电路，写出电压增益AU、AUS和输入电阻Ri及输出电阻Ro的表达式。UiRsR1beUsRiRoR2RcRLIbIbIcUo1930910415B解答：简化的H参数微变等效电路是将三极管用线性电路来代表，be间用三极管的输入电阻be表示，ce间用受控电流源Ib表示。其他外电路各元件中的耦合电容和旁路电容视为短路，直流电源也短路，这的时得到等效电路如图。电压增益AU和AUS ： AU=（R2/Rc/RL）/be AUS= AURi/(Rs+Ri) 输入、输出电阻： Ri= R1/be Ro= R2/ Rc1930910415B参考出处：模拟电子技术基础典型题解析及自测试题西北工业大学出版社 张裕民 编著 p25 例2.21930911814A 填空题：为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？解：反向电流达到饱和，不随外加电压（反向电压）变化。这是因为反向饱和电流是由少数载流子漂移运动形成，少子的数量很小，稍加反向电压便全部漂移过去。1930911814A 填空题：解：当温度升高时，本征激发增多，少子增多，反向饱和电流也增大。1930911814A 填空题出处：电工学 电子技术 （第六版）P12北京理工大学 出版社 练习与思考第三行1930911814B 计算题：如图所示电路中的稳压管参数为：工作电流5mA,稳定电压Uz=12V,额定功耗Pz=200mW。试问限流电阻R为1.2k是否保证Uo为12V？Uo+20VDz10kRLRIIL1930911814B 计算题答案 解：Izmax=Pz/Uz=200/12=16.67mA设稳压电路正常工作，电流参考方向如图所标注。IL=Uo/RL=12/10=1.2mAI=(20-12)/1.2=6.67mA则 Iz=I-IL=6.67-1.2=5.47mA由于5mAIz16.67mA，所以假设成立，稳压管正常工作，R=1.2k合适，Uo=Uz=12V。1930911814B 计算题出处：电工学电子技术（第六版）全程辅导 北京理工大学出版社 P7 14.2.51930925-14A1.已知一个增强型NMOS管转移特性和漏极特性曲线如图P1.7所示，问： ID/uAID/uA50001002003004004.0V4.5V5.0V5.5VUcs=6V0100200300400500 图P1.7 (1)管子的开启电压UTN=？ (2)在恒流区，估算当uGS从5.OV变化到5.5V时，管子的跨导值gm 。 (3)对于uGS=6V，uDS大约为何值时，管子由可变电阻区进入到恒流区？ (4)在可变电阻区，取uGS=6V，两个工作点上uDS,iD数值分别为（0.4lV,113A）、(1.0V,250A),试估计导通电阻rDS(ON) 值。 19309125-14A 解：由图P1.7中可以得出(1) 管子的开启电压UTN=3V；(2) 跨导gm=(320-200)/(5.5-5)=240mA/V；(3) uDS大约为3V时，管子由可变电阻区进入到恒流区；(4) rDS(ON)=(1.0-0.41)/(0.250-0.113)=4.3 k。 19309125-14A源自电工学（第六版）下册（秦增煌）主编第28页第二题。 19309125-14B2.什么是二极管的单向导电性？19309125-14B解： 加正向偏压，有利于扩散，形成较大的正向电流，导通；加反向偏压，有利于漂移，形成微弱的反向电流，截止。 19309125-14B源自电工学第六版下册（秦增煌主编）第12页第2题 19309123-14A问答题：为什么晶体管基区掺杂浓度小而且做得很薄？19309123-14A解答：在中途被复合掉的电子越多，扩散到集电极的电子就越少，这不利于晶体管的放大作用。为此，基区就要做得很薄，基区掺杂浓度要很小（这是放大的内部条件），这样才可以减少电子与基区空穴复合的机会，是绝大部分自由电子都能扩散到集电结边缘。19309123-14A出处：秦曾煌编，电工学（第6版）下册，P25第4题19309123-14B计算题：电路如图所示，Vcc=15V,=100,UBE=0.7V。试问：（1）Rb=50k时，Uo=? (2)若T临界饱和，则Rb？19309123-14B解答：（1）Rb=50k时，基极电流、集电极电流和管压降分别为 IB =（VBB-UBE）/ Rb=26A Ic=IB =2.6mA UCE= Vcc - IcRc=2V 所以输出电压Uo= UCE =2V。 （2）设临界饱和时UCES=UBE=0.7V，所以 Ic =（Vcc UCES）/Rc=2.86mA IB = Ic/=28.6A Rb =( VBB-UBE )/ IB45.4k19309123-14B出处：模拟电子技术基础第三版第1章 常用半导体器自测题第六题。 19309114-14A(4.8早)在图14.05 中，试求下列几种情况下输出端电位VF 及各元件中通过的电流：（1）VA10V，VB0V；（2）VA6V，VB5.8V；（3）VAVB5V，设二极管的正向电阻为零，反向电阻无穷大。【解】：（1）DA 优先导通VF=(9/1+9)*10 V=9VI DA= I R= VF/ R=1Ma（2）设DA 和DB 两管都导通，应用节点电压法计算VFVF=(6+5.8)/(1+1+9)=5.59V5.8V；见DB 管的确都导通I DA=（6-5.59）/1000A=0.41mA；I DB=（5.8-5.9）/1000A=0.21mA；IR=5.59/9000A=0.62 mA;（3）DA 和DB 两管都能导通VF=(5+5)/(+1+9)V=4.47V; IR = VF/R=0.53 mAI DA= I DB= IR/2=0.53/2mA=0.26mA出处：电工学 第六版下册 秦曾煌 主编 习题 14-3-519309114-14B 有一个晶体管接在电路中，今测得三个管脚的电位分别为-9V、-6V、-6.2V，试判别管子的三个电极，并说明这个晶体管是哪种类型的？是硅管还是锗管？【解】：PNP 型，锗管 -6.2V基极 -6V发射极 -9V集电极出处：电工学 第六版下册 秦曾煌 主编 习题 14-5-11930912814A（ 4.8早）选择题 在半导体材料中，其正确的说法是（ ）。 （1）P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。 （2）P型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。 （3）P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。 （4）P型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。 （5）P型和N型半导体材料本身都不带电。解答：（5）出处：电工学习题集1930912814B计算题 二极管电路如图所示，求电流I1，I2,I3,I。解答：因为D1，D2,D3为共阳极接法，所以在此电路中只有D2 导通，D1和D3截止。 所以 I2=（9+6）/1=15 mA I=-I2=-15 mA I1=I3=0. 出处：电工学习题集 19309113电工学作业1930911314A 由锗二极管构成的电路如图所示，判断二极管是导通还是截止。解：先将二极管假象移开，判断二极管是否导通，求断电间的开路电压UCAUCA= UC - UA= UCB + UB UA 其中： 又因为UCA小于二极管中的死区电压0.5V;则该电路中的二极管是截止的。出处：电子技术基础同步辅导（模拟部分）主编：中国科学院 徐海军 清华大学 苏智信 航空工业出版社 第14页 例2.11930911314B 硅二极管电路如图所示，通过二极管D的电流是（ ），电压是（ ）。E1=16VR1=2kR2=2kR3=4kE2=3VABDC解： UD=0.7V I=0.86mA电子技术基础同步辅导（模拟部分）主编：徐海军 苏智信 航空工业出版社 P15 例2.3计科82池毓兴13118310第十四章 二极管和晶体管P1514.4.2 利用稳压二极管或普通二极管的正向压降，是否也可以稳压？解：由于稳压二极管、普通二极管正向特性曲线比较陡，所以也可以作稳压管用，但是因为它们管压降很低：硅管0.60.7v，锗管0.20.3v，所以只用在稳压值很低的情况。P3014.5.2 某一晶体管的Pcm=100mW，Icm=20mA，U（BR）CEO=15V，试问在下列几种情况下，哪种是正常工作？UCE=3V，IC=10mA；UCE=2v,Ic=40mA;UCE=6V,IC=20mA.解：第种情况工作正常：ICICM,UCEU(BR)CEO PC=ICUCE=10*3=30mWICM,大大下降。第种情况PC=ICUCE=20*6=120mWPCM，将烧坏PN结。李爽3238309（4月5号）A计算题已知图所示共基放大电路的三极管为硅管，=100，试求该电路的静态工作点Q，电压放大倍数AV，输入电阻Ri和输出电阻Ro。解答：(1)求静态工作点作出图28（a）的直流通路如图28(b)所示，由直流通路得：(2)求AV、Ri和RO。根据交流通路画出图28(a)的小信号模型等效电路如图28(c)由图28(c)可知放大倍数： 出自：模拟电路与解答B 选择题在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ A ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管出自：通信原理19309116作业1930911614A 放大电路如图所示，两关的放大系数1=2=50，静态集电极电流Ic1=Ic2，试求电压增益Au=U0/U1.1930911614A解答：第一级电压增益 Au1=-Rl1/rbe1 第二级电压增益 Au2=Rl2/rbe2 前管的基极电压是Ub1=R2Ucc/R1+R2=3V, 则Ic1=Ub1-Ube1/R5=1.1mA=Ic2 rbe1=rbe2=2.1*1000=2.1k Rl1=Ri2=rbe2/(1+)+R4=0.52k Au1=-50*0.52/2.1=-12.4 Au2=50*1.2/2.1=29 总的电压增益 Au=-12.4*29=-360 1930911614A出处：张裕民编 模拟电子技术基础典型题解析及自测试题P27第四行 193091