电力电子技术教案封面.xls

序号年月日 课题目的1目的2 目的3重点1 重点2复习1 12009217 1 1电力电子器件的基本模型1 2电力二极管1 3晶闸管1 了解电力电子器件的基本模型和分类 2 理解电力二极管的结构 原理和特性 3 掌握晶闸管的结构 原理 伏安特性 主要参数和选取原则 重点 晶闸管的结构 工作原理 伏安特性 主要静态 动态参数 器件的选取原则 难点 晶闸管的结构 工作原理 伏安特性 主要静态 动态参数 1 电力二极管的用途 22009220 1 4可关断晶闸管1 5电力晶体管 1 了解可关断晶闸管的原理 特性参数 2 理解电力晶体管的结构 原理 输出特性和参数 重点 晶体管的结构 原理 输出特性和参数 难点 晶体管的结构 原理和输出特性 1 可关断晶闸管的导通条件和关断条件 32009224 1 6电力场效晶体管1 7绝缘栅双极型晶体管1 理解电力场效晶体管的结构 原理 特性和参数 2 理解绝缘栅双极型晶体管的结构 原理 特性和参数 重点 电力场效晶体管和绝缘栅双极型晶体管的原理 特性和参数 难点 电力场效晶体管和绝缘栅双极型晶体管的原理和输出特性 1 电力场效应晶体管的输出特性曲线 42009227 1 8其他新型电力电子器件1 9电力电子器件的驱动1 了解一些新型电力电子器件的性能和用途 2 了解不同电力电子器件的驱动电路 1 新型电力电子器件的性能和用途 2 不同电力电子器件的驱动电路 1 几种新型电力电子器件 52009332 1整流器的性能指标2 2 1单相半波相控整流电路1 了解整流器的性能指标2 理解单相半波相控整流的原理3 掌握单相半波相控整流电路的参数计算1 单相半波相控整流的原理2 单相半波相控整流电路的参数计算1 电阻性负载单相半波参数公式 62009362 2 2单相桥式相控整流电路1 理解单相桥式相控整流电路的原理2 掌握单相桥式相控整流电路的参数计算1 单相桥式相控整流电路的原理2 单相桥式相控整流电路的参数计算1 电阻性负载单相桥式参数计算公式 复习2 作业教学反映 课后分析 2 晶闸管的导通条件和关断条件 P62 1 10 d 学生课堂纪律好 教学效果较好 电力二极管在模拟电子中已经学习过 所以学生比较熟悉 本章内容主要涉及器件的原理 特性和参数 不涉及具体的技术问题 再加上学生有模拟电子技术的基础 所述内容应该较好理解 主要掌握晶闸管的结构 符号和导通与关断的条件 2 电力晶体管的特性曲线和工作状态 P63 1 17学生课堂纪律好 教学效果较好 要求学生熟悉可关断晶闸管和电力晶体管的结构 符号和开关的条件 了解器件的主要参数及优缺点和应用场合 GTO是在SCR的基础上改进的 增加了强制关断的功能 GTR因为模电中也重点学习过 所以学生理解起来也比较方便 2 IGBT的伏安特性和转移特性 自拟学生课堂纪律好 教学效果较好 本次课的目的是让学生能够掌握MOSFET和IGBT的结构 符号和开关的条件 了解器件的主要参数及优缺点和应用场合 电力MOSFET其本质就是N沟道增强型的金属 氧化物 半导体场效应管 属于电压受控型器件 IGBT是MOSFET和GTR的复合管兼具两者的特点 2 几种驱动保护电路自拟学生课堂纪律好 教学效果较好 了解3种新型电力电子器件的结构 符号和开关条件 SIT的本质是结型场效应晶体管 属于常开器件 电压受控 对于各管的驱动电路我们也要有所了解 以方便我们使用 2 电感性负载单相半波参数公式P109 2 7学生课堂纪律好 教学效果较好 电阻性负载的工作原理学生较为理解 电感性负载的阻碍电流的作用就不太理解 本次课的目的是使学生了解整流器的性能指标 具体是要求学生对于单相半波整流电路能理解原理 要知道其所以然 它的具体应用其实是代公式而已 而在计算的过程中要注意概念的区别 点阻性负载和电感性负载的电压一样 晶闸管的导通时间不一样 2 大电感负载单相桥式全控和半控参数计算公式自拟学生课堂纪律好 电阻性负载的工作原理学生较为理解 电感性负载的阻碍电流的作用就不太理解 半控可以在全控的基础上进行理解 本次课内容较多 单相桥式相控整流电路可以在前面单相半波相控整流电路的基础上进行分析 主要也是其工作原理的理解 计算上我们只要将最后的公式能运用到题目当中即可 半控桥式和全控相比 关键在于大电感的时候晶闸管的导通时间的分析 本章内容主要涉及器件的原理 特性和参数 不涉及具体的技术问题 再加上学生有模拟电子技术的基础 所述内容应该较好理解 主要掌握晶闸管的结构 符号和导通与关断的条件 要求学生熟悉可关断晶闸管和电力晶体管的结构 符号和开关的条件 了解器件的主要参数及优缺点和应用场合 GTO是在SCR的基础上改进的 增加了强制关断的功能 GTR因为模电中也重点学习过 所以学生理解起来也比较方便 本次课的目的是让学生能够掌握MOSFET和IGBT的结构 符号和开关的条件 了解器件的主要参数及优缺点和应用场合 电力MOSFET其本质就是N沟道增强型的金属 氧化物 半导体场效应管 属于电压受控型器件 IGBT是MOSFET和GTR的复合管兼具两者的特点 了解3种新型电力电子器件的结构 符号和开关条件 SIT的本质是结型场效应晶体管 属于常开器件 电压受控 对于各管的驱动电路我们也要有所了解 以方便我们使用 本次课的目的是使学生了解整流器的性能指标 具体是要求学生对于单相半波整流电路能理解原理 要知道其所以然 它的具体应用其实是代公式而已 而在计算的过程中要注意概念的区别 点阻性负载和电感性负载的电压一样 晶闸管的导通时间不一样 本次课内容较多 单相桥式相控整流电路可以在前面单相半波相控整流电路的基础上进行分析 主要也是其工作原理的理解 计算上我们只要将最后的公式能运用到题目当中即可 半控桥式和全控相比 关键在于大电感的时候晶闸管的导通时间的分析 本章内容主要涉及器件的原理 特性和参数 不涉及具体的技术问题 再加上学生有模拟电子技术的基础 所述内容应该较好理解 主要掌握晶闸管的结构 符号和导通与关断的条件 要求学生熟悉可关断晶闸管和电力晶体管的结构 符号和开关的条件 了解器件的主要参数及优缺点和应用场合 GTO是在SCR的基础上改进的 增加了强制关断的功能 GTR因为模电中也重点学习过 所以学生理解起来也比较方便 本次课的目的是让学生能够掌握MOSFET和IGBT的结构 符号和开关的条件 了解器件的主要参数及优缺点和应用场合 电力MOSFET其本质就是N沟道增强型的金属 氧化物 半导体场效应管 属于电压受控型器件 IGBT是MOSFET和GTR的复合管兼具两者的特点 本次课的目的是使学生了解整流器的性能指标 具体是要求学生对于单相半波整流电路能理解原理 要知道其所以然 它的具体应用其实是代公式而已 而在计算的过程中要