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文档简介

第1章 晶格结构和结合性质1.1 晶格的周期性1.2 常见半导体的晶格结构1.3 结合性质1.4 晶格缺陷1.5 半导体表面的再构第1章参考文献第2章 半导体中的电子状态2.1 晶体中的能带2.2 晶体中电子的运动 有效质量和有效质量近似2.3 导电电子和空穴2.4 常见半导体的能带结构2.5 杂质和缺陷能级2.6 局域态的晶格弛豫2.7 重掺杂半导体2.8 表面态第2章参考文献第3章 电子和空穴的统计平衡分布3.1 费米分布函数3.2 栽流子浓度对费米能的依赖关系3.3 本征载流子浓度3.4 含单一能级杂质情形的统计3.5 补偿及多重能级情形的统计3.6 简并情形的统计3.7 化学势和费米能3.8 宽禁带半导体的掺杂问题和自补偿附录3.1 若干半导体的等效态密度(300K)第3章参考文献第4章 电荷输运现象4.1 电导和霍尔效应的分析4.2 载流子的散射4.3 电导统计理论4.4 霍尔效应的统计理论4.5 磁阻4.6 强电场下的载流子输运4.7 漂移速度过冲和近弹道输运附录4.1 微扰势引起的状态之间的跃迁附录4.2 玻尔兹曼积分一微分方程和弛豫时间的存在性附录4.3 电阻率和杂质浓度的对应关系第4章参考文献第5章 过剩载流子5.1 过剩栽流子及其产生和复合5.2 过剩载流子的扩散5.3 过剩载流子的漂移和扩散5.4 双极扩散和双极漂移5.5 丹倍效应和光磁效应5.6 表面复合对寿命的影响5.7 复合机制和直接复合5.8 间接复合5.9 陷阱效应5.10 空间电荷的弛豫第5章参考文献第6章 接触现象6.1 同质和异质pn结势垒6.2 金属-半导体接触：肖特基势垒6.3 pn结电流：注入电流 势垒区产生复合电流6.4 肖特基势垒电流 尖峰发射6.5 势垒电容和扩散电容6.6 隧道穿透势垒隧道电流6.7 光生伏特效应6.8 雪崩击穿和齐纳击穿第6章 参考文献第7章 半导体表面层和MIS结构7.1 半导体表面电荷层7.2 MIS电容7.3 界面态及其电容效应7.4 场效应和表面电导7.5 表面复合附录7.1 半导体表面电荷层电荷、表面电场和电容作为ys函数的一般表示式第7章参考文献第8章 微结构和超晶格8.1 半导体中的尺寸量子化和低维电子气8.2 微结构和超晶格的生长和形成8.3 二维电子气的电荷输运8.4 微结构中垂直于界面的输运 共振隧穿8.5 一维系统的输运介观输运8.6 有关量子点的输运现象8.7 半导体超晶格8.8 超晶格的输运8.9 Rashba效应和自旋晶体管8.10 碳纳米管8.11 异质结构的带阶8.12 晶格失配的异质结构第8章参考文献第9章 半导体的光吸收和光反射9.1 光的吸收和基本吸收边9.2 基本吸收与能带结构9.3 激子和激子吸收9.4 杂质吸收9.5 自由载流子吸收9.6 晶格吸收和反射第9章参考文献第10章 半导体中的发光现象10.1 自发发射和受激发射10.2 发光光谱10.3 微
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