岗位职责_述职报告

IMPLANTERINTRODUCTION MONTHLYREPORTMFG DFD DPEXueFengChen outline FundamentalofimplantApplicationStructureNameruleManualtuneMonitoritems DefinitionAtooldesignedtoinjectselecteddopantatoms uniformlyacrossasubstratetoaprescribeddepthatadesiredconcentration FUNDAMENTALOFIMPLANT ParameterSelectedDopantUniformlyAcrossPrescribedDepthDesiredConcentration 阻滞机制 当离子轰击并进入substrate时 它会与晶格原子碰撞 原子会逐渐失去能量 而最后停在晶格里面 有两种阻滞机制 一种是植入的离子与晶格原子的原子核产生碰撞 并经由这种碰撞引起明显的散射而将能量转移至晶格原子 这种称作为原子核阻滞 NuclearStopping 另一种阻滞机制是当入射的离子与晶格原子的电子产生碰撞 在电子碰撞的过程中 入射离子的轨迹几乎是不变的 能量转换的非常的小 而晶格的损坏也可以被忽略 这种碰撞称作电子阻滞 ElectronicStopping FUNDAMENTALOFIMPLANT 阻滞机制 总阻滞力对于低能量与高原子序数的离子注入而言 主要的阻滞机制是原子核阻滞 对于高能量低原子序数的离子注入而言 主要的阻滞机制是电子阻滞 FUNDAMENTALOFIMPLANT 离子射程 IonRange FUNDAMENTALOFIMPLANT 带能量的离子能够穿入靶标 而渐渐的藉着与基片内的原子的碰撞而失去能量 并最终停留在基片内部 一般而言 离子的能量越高 它就愈能深入基片 然而即使是相同的注入能量 离子也无法在基片内部刚好停止在相同的深度 因为 每个离子都是与不同的原子产生碰撞 投影离子会有一个分布区域的 如下图所示 离子射程 IonRange FUNDAMENTALOFIMPLANT 投映射程 ln 浓度 基片表面 从表面算起的深度 通道效应 channelingeffect 离子在一个非晶态材料内的投影射程会遵循着高斯分布 也就是所谓的常态分布 单晶硅中的晶格原子会整齐的排列着 而且在特定的角度可以看到很多通道 假如一个离子以正确的角度进入通道 它只要带有很少的能量就可以进很长的距离 这就是通道效应 channelingeffect FUNDAMENTALOFIMPLANT 通道效应 channelingeffect 投映射程 高斯分布 通道效应尾端 ln 浓度 基片表面从表面算起的深度 FUNDAMENTALOFIMPLANT 减少通道效应的三种方法 FUNDAMENTALOFIMPLANT Damage与Anneal 在离子植入过程中 离子和晶格的原子碰撞 在碰撞的过程中 离子的能量转移给这些原子 这些能量足以能够令这些原子从晶格束缚中释放出来 通常这个束缚能使25eV左右 导致晶格原子偏离位置 造成晶格损伤 FUNDAMENTALOFIMPLANT 为了达到元件的要求 晶格损坏必须在热退火 Annealing 步骤中修复以恢复单晶的结构并活化参杂物 快速加热步骤 RTA 是用来将离子注入造成的损伤予以退火的一种制程 同时也是参杂物扩散减至最小以符合缩小集成电路元件的条件 注 在较低温时 扩散制程会快过退火制程 而当温度较高的时候 例如高过摄氏1000度 则退火制程会快过扩散制程 这是因为退火的活化能 大约5eV要比扩散的活化能 3至4eV高的缘故 损伤与热退火 FUNDAMENTALOFIMPLANT MI MediumCurrent VT LDD WELL FIELD N PAPTHI HighCurrent S D CONT LDD POLY ESD SOG FOXIMPHEI VHE HighEnergy WELL FIELD MIBackup Application MajorimplantstepsinMOSdevice Application STRUCTURE STRUCTURE ArcChamber RETURN STRUCTURE Extraction Arcchamber 40kv SuppressionElectrode ExtractionElectrod RETURN 抑制二次电子阻挡离子发散 STRUCTURE AnalyzerMagnet RETURN STRUCTURE QuadMagnet RETURN DipoleLensMagnet STRUCTURE RETURN AccelColumn STRUCTURE RETURN NameRule Species Energy Dopant angle e g P100 1 0E13 species energy dopant Fordifferenttypeimplanter theanglearenotthesame ForMI EHP500 Thedefaultangleistilt 7andtwist 22If 0 thentilt 0 twist 0If I thentilt 5 twist 26If R30 RindicatesROTATION sotwist 0 90 180 27030showthatthetilt 30 and R7 showthattilt 7 twist 0 90 180 270If D45 tilt 45 twist 90 270 NameRule ForHI Varian Thedefaultangleistilt 7 twist 22 5If 0 tilt 0 twist 22 5If 2S tilt 7 7 twist 22 5If 4S tilt 7 7 twist 22 5 337 5ForHI Axcelis Thedefaultangleistilt 6 3 twist 3 2If 0 tilt 0 twist 0If 4S tilt 6 3 6 3 twist 3 2 3 2 NameRule ForHEI Axcelis Thedefaultangleistilt 6 3 twist 3 2If 0 tilt 0 twist 0If 3 tilt 3 twist 0If I tilt 4 5 twist 2 2If MI tilt 6 3 twist 3 2 backupMI If 4S tilt 6 3 6 3 twist 3 2 3 2 NameRule NameRule NameRule Allaboveareproductrecipes monitorrecipesarelikefollows Manualtune RETURN Manualtune SOURCEINTERFACE Set200A Manualtune SOURCEINTERFACE Set200A 微调AMU使得SETUP电流最大 BEAMLINEINTERFACE Manualtune 设定后段加速电压 重复3次 使focus电流最大 Monitoritem TW ThermalWave LatticeDamage ReflectivityMI HEIRS SheetResistance 4PointProbe HI HEI MIQUANTOXMIforrunningP Tools Particle before 50 added 75RS B88 3uniformity 1 As58 5 3un