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文档简介

二、计算分析题1、 考虑下面一个驱动1pF负载电容的反相器：参数：Vthn=0.5V，Vthp=-0.5V， ， a、 假定Vin是全摆幅（02.5V），输出Vout的摆幅是多少？ 02.5Vb、 输入电压Vin=1.25V时，M1、M2的工作状态是什么？饱和区c、 假定=24m/0.25m，确定反相器为理想转换电压Vsp=1.25V时的？ ID1=ID2 ， ， ， 由此得到：=3 =8m/0.25md、 假定输入时钟频率是100MHz，摆幅为0到VDD（上升和下降时间为0）这个电路的平均功耗是多少？ =100MHz1pF(2.5V)2 =0.625mW2、 传输晶体管逻辑a、 考虑采用NMOS和PMOS传输晶体管实现的下列电路。假定输入和它们的互补信号（A，B，）是全摆幅的（0到VDD）。这两个电路实现的逻辑功能是什么？ b、 如下图所示电路，假定反相器在理想的VDD/2时翻转，忽略体效应、沟道长度调制和所有寄生电容。VDD=2.5V， Vthn=0.5V，Vthp=-0.5V。（1）、这个电路执行什么逻辑功能？ NAND（2）、解释为什么这个电路具有非零的静态功耗。 当A=B=VDD，在节点X的电压为Vx=VDD
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