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文档简介

二、计算分析题1、 考虑下面一个驱动1pF负载电容的反相器:参数:Vthn=0.5V,Vthp=-0.5V, , a、 假定Vin是全摆幅(02.5V),输出Vout的摆幅是多少? 02.5Vb、 输入电压Vin=1.25V时,M1、M2的工作状态是什么?饱和区c、 假定=24m/0.25m,确定反相器为理想转换电压Vsp=1.25V时的? ID1=ID2 , , , 由此得到:=3 =8m/0.25md、 假定输入时钟频率是100MHz,摆幅为0到VDD(上升和下降时间为0)这个电路的平均功耗是多少? =100MHz1pF(2.5V)2 =0.625mW2、 传输晶体管逻辑a、 考虑采用NMOS和PMOS传输晶体管实现的下列电路。假定输入和它们的互补信号(A,B,)是全摆幅的(0到VDD)。这两个电路实现的逻辑功能是什么? b、 如下图所示电路,假定反相器在理想的VDD/2时翻转,忽略体效应、沟道长度调制和所有寄生电容。VDD=2.5V, Vthn=0.5V,Vthp=-0.5V。(1)、这个电路执行什么逻辑功能? NAND(2)、解释为什么这个电路具有非零的静态功耗。 当A=B=VDD,在节点X的电压为Vx=VDD

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