思维导图-半导体器件.pdf_第1页
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文档简介

掺入少量5价杂质 元素形成的 产生大量电子 和正离子 电子是多数载流子 空穴是少数载流子 电多空少 掺入3价 空穴和 负离子 与N型相反 电少空多 产生较大的正向电流 因少子浓度主要与温度有关 所以反向 电流与反向电压几乎无关 反射区高掺杂 基区很薄 掺杂较少 集电极面积很大 发射结正向偏置 集电结反向偏置 穿透电流和反向饱和电流 可 忽略 结构 T 0K 不存在导电载流子 若T升至室温 产生带负电的 自由电子和带正点的空穴 少 数 其两者可成对产生 且 成对消失 即电子 电子 空穴对 空穴对 概念 特点 概念 特点 多子运动 少子运动 PN 结外加正向电压 PN结加反向电压 死区U 0 5 UBE 0 7 死区U 0 1 UBE 0 2 内部 外部 外加 电源极性 关系 纯净的 不含 杂质的半导体 电阻率大 导电性能随 温度变化大 本征半导体掺入 某种特定杂质形 成的 N型半导体 P型半导体 扩散运动 漂移运动 正向偏置 反向偏置 硅二极管 锗二极管 接触型 面接触型 当正向电压超过死区电压后 随着 电压的升高 正向电流迅速增大 当电压超过零点几伏后 反向电流当电压超过零点几伏后 反向电流 不随电压增加而增大 即饱和 如不随电压增加而增大 即饱和 如 果反向电压继续升高 大到一定数果反向电压继续升高 大到一定数 值时 反向电流会突然增大 值时 反向电流会突然增大 击穿并不意味管子损坏 若控制击穿电流 电压降低后 还可恢复正常 10 109 109 cm cm 导电性能介于导体和 半导体之间的物质 NPN型 PNP型 条件 载流子运 动过程 稳定电压UZ 稳定电流IZ 动态电阻rZ U I I r越 小 稳压性能越好 额定功耗PZ UZIZM 电压的温度系数aU 概念 特点 概念 种类 载流子 的运动 单向导电性 按半导体 材料分 按PN结 结构分 正向特性 反向特性 导体 绝缘体 半导体 取决于PN结结电 容大小 且成反比 集电极回路 基极回路 类型 工作原理 主要参数 本征半导体 杂质半导体 PN结 类型 伏安特性 二极管方程 物质分类 最大整流电流IF 最高反向工作电 压UR 一半的UBR 反向电流IR 最高工作频率fM 输出特性 输入特性 三极管 稳压管 半导体特性 二极管 课前理解 类似 动态平衡 复合
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