微电子器件与电路实验实验一实验报告.doc

微电子器件与电路实验报告姓名学号合作人实验时间2016.10实验成绩教师签名 实验名称实验一 二极管电学特性仿真验证实验实验设备(1)计算机 (2)Multisim 12实验目的1.各种类型的二极管的IV特性测试2.各种类型的二极管正向导通电压随温度漂移特性测试3.齐纳二极管反向击穿电压随温度漂移特性测试4.各种二极管的CV特性曲线测试实验内容1.普通二极管、齐纳二极管、肖特基二极管、LED二极管IV特性分析2.普通二极管、齐纳二极管、肖特基二极管正向导通电压随温度漂移特性分析3.齐纳二极管反向击穿电压随温度漂移特性分析4.普通二极管、肖特基二极管、变容二极管CV特性分析实 验 报 告 要 求1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤2. 按实验报告要求操作、记录数据(波形)、处理数据(波形)实 验 记 录：实验1.1 二极管IV特性分析(IV分析仪)1N4001普通二极管、1N4728A稳压二极管、1N5817G肖特基二极管、LED蓝灯(LED_blue)的正向导通电压及反向击穿电压，及IV特性波形记录实验1.2 二极管IV特性分析1N4001普通二极管、1N4728A稳压二极管、1N5817G肖特基二极管正向偏置下指定电流下的二极管偏压及IV特性曲线实验1.3 二极管正偏电压随温度漂移特性1N4001普通二极管、1N4728A稳压二极管、1N5817G肖特基二极管在1mA恒流驱动下，二极管正向导通电压随温度漂移特性及波形记录实验1.4 齐纳二极管反向击穿电压随温度漂移特性1N4728A，1N4733A，1N4743A在10mA恒流驱动下，反向击穿电压随温度漂移特性及波形记录实验1.5 二极管反向偏置下CV特性1N4001普通二极管、1N5817G肖特基二极管、BB112变容二极管反偏CV特性测试及Excell数据处理绘制CV特性曲线 微电子器件与电路实验(电子) LAB1 二极管电学特性仿真测试实验实验报告 9 实验1.1二极管IV特性分析(IV分析仪) 二极管正向导通电压及反向击穿电压数据记录表格1-1 IV分析仪分析二极管IV特性型号正向导通电压V1mA反向击穿电压V-1mA11N40010.5355321N4728A0.4943.21N5817G0.123204蓝光LED3.261将1N4001二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】将1N4728A二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】将1N5817G二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】将蓝光LED二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】实验1.2二极管IV特性分析(直流分析)正向偏置状态下二极管的IV特性，并计算电流增加10倍时，二极管正向偏压的增加值计算方法：比如0.1mA时电压为416mV,1mA时电压为535mV，电压增量为V=119mV。表格1-2 二极管正向偏置下IV特性型号V0.1mAV1mAV10mV10mAV1000m11N40010.4160.5350.6550.7780.936V-0.1190.1200.1230.15821N4728A0.4350.4940.5540.6130.674V-0.0590.0600.0590.06131N5817G0.0510.1230.2020.2870.413V-0.0720.0790.0850.126将1N4001二极管IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注各个电流点的二极管电压值【波形打印出来必须清晰】将1N4728A二极管IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注各个电流点的二极管电压值【波形打印出来必须清晰】将1N5817G二极管IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注各个电流点的二极管电压值【波形打印出来必须清晰】实验1.3二极管的正向导通电压随温度漂移特性表格1-3 二极管正向导通电压随温度漂移特性型号27正向导通电压V温度漂系数mV/11N40010.535-0.87221N4728A0.494-2.31731N5817G0.1230.059将1N4001二极管正向导通电压随温度漂移特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并用光标标注计算曲线斜率【波形打印出来必须清晰】将1N4728A二极管正向导通电压随温度漂移特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并用光标标注计算曲线斜率【波形打印出来必须清晰】将1N5817G二极管正向导通电压随温度漂移特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并用光标标注计算曲线斜率【波形打印出来必须清晰】实验1.4 齐纳二极管反向击穿电压随温度漂移特性表格1-4 齐纳二极管反向击穿电压随温度漂移特性型号27下的反向击穿电压温度漂移系数mV/11N4728A3.247V-10.621N4733A5.059V-17.431N4743A12.983V-22.5将1N4728A二极管反向击穿电压随温度漂移特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并用光标标注计算曲线斜率【波形打印出来必须清晰】将1N4733A二极管反向击穿电压随温度漂移特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并用光标标注计算曲线斜率【波形打印出来必须清晰】将1N4743A二极管反向击穿电压随温度漂移特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并用光标标注计算曲线斜率【波形打印出来必须清晰】实验1.5二极管反偏时CV特性曲线测试 1N4001 CV特性测试使用的恒流源电流大小为 10uA ，二极管反向饱和电流大小 3.19824e-08A 实际二极管充电电流大小 10uA ，计算二极管电容的最终计算式为： C=10/deriv(V)/1000000 表格1-5 1N4001 CV特性测试V1V2V3V4V5V6V7VC（pF）27.420.917.615.6141312.2V8V9V10V11V12V13V14VC（pF）11.510.810.39.99.59.18.8V15V16V17V18V19V20VC（pF）8.58.38.17.97.77.41N4001 CV特性曲线(使用EXCEL软件处理得到的CV特性曲线) 1N5817G CV特性测试使用的恒流源电流大小为 100uA ，二极管反向饱和电流大小 2.93092e-05A 实际二极管充电电流大小 71uA ，计算二极管电容的最终计算式为： C=71/deriv(V)/1000000 表格1-6 1N5817G CV特性测试V1V2V3V4V5V6V7VC（pF）184.4167.7153.9142.4132.5124.0116.5V8V9V10V11V12V13V14VC（pF）110.0104.299.094.490.186.382.7V15V16V17V18VC（pF）79.476.573.871.11N5817G CV特性曲线(使用EXCEL软件处理得到的CV特性曲线) BB112 CV特性测试使用的恒流源电流大小为 1000uA ，二极管反向饱和电流大小 1e-14A 实际二极管充电电流大小 1000uA ，计算二极管电容的最终计算式为： C=1000/deriv(V)/1000000 表格1-5 BB112 CV特性测试V1V2V3V4V5V6V7VC（pF）1150.6763.15582.83468.31391.37