电工基础第一章习题.doc

晶体二极管及整流电路练习题（一）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（ ）。A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（ ）。A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（ ） A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（ ）。A.削弱 B.增强 C.不变 D.不确定5、以下所列器件中，（ ）器件不是工作在反偏状态的。A、光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、稳压管6、稳压二极管稳压时，其工作在( )， A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D.不确定7、发光二极管发光时，工作在( )。A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D不确定8、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 等于零9、稳压二极管是利用PN结的（ ）。A.单向导电性 B.反向击穿性 C.电容特性 D.正向特性10、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。A.反向偏置击穿状态 B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态 D.正向偏置未导通状态11、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。A. 正、反向电阻相等 B. 正向电阻大 ，反向电阻小C. 反向电阻比正向电阻大很多倍 D. 正、反向电阻都等于无穷大12、关于晶体二极管的不正确叙述是：（ ） A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏。B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。D 以上说法都不对。 二、判断题：1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。 2、（ ）P型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。 3、（ ）P型半导体带正电，N型半导体带负电。 4、（ ）硅二极管门坎电压是0.3V，正向压降是0.6V。 5、（ ）硅的导通电压为0.3V，锗的导通电压为0.7V 。6、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）7、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。（ ）8、P型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。（ ）9、本征半导体不带电，P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ）10、N型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（ ）11、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（ ）12、二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）三、填空题：1、根据是否掺入杂质，半导体可分为 半导体和 半导体两大类。2、二极管的特性是 .3、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为，则此二极管_；若两次读数都接近零，则此二极管_；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管_。4、设如右图电路中, D1为硅二极管, D2为锗二极管, 则D1处于 状态, D2处于 状态, 输出电压Uo为 伏。5、二极管最主要的特性是 。6、.在选用整流二极管时，主要应考虑参数 、 。7、整流二极管的整流作用是利用PN结的 特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的 特性。四、分析判断题 VoR8V7.5VVI+-VoR8V7.5VVI+-1、硅稳压二极管，稳定电压如图所示，当VI足够大时，计算各VO值。 VO=_ VO=_ VoR8V7.5VVI+-VoR8V7.5VVI+- VO=_ VO=_ +12V+3VRV2 SP2、如图，V1、V2为理想二极管。3VRV112VAB VAB= S合上时，VP= S断开时，VP= 3、桥式