半导体研究之内存产业(doc 13页).doc

記憶體產業DRAM南科（2408）、力晶（5346）、茂德（5387）、茂矽（2342）、華邦（2344）、旺宏(2337)、晶豪科（3006）、鈺創（5351）、矽成(5473)、創見（2451）、勁永（6145）、品安（8088）、威剛（3260）結論：DRAM以往主要應用在PC領域，因此DRAM景氣循環與PC出貨成長率息息相關。然2003年下半年NAND Flash崛起讓全球DRAM產能出現板塊移轉效應，並進一步帶領DRAM廠商跨進消費性及通訊性市場，減弱DRAM產業大起大落之特性。2004年DRAM廠商資本資出金額達到110億美元，年成長率29%，大致回復到2000年水準值，而此次資本支出方向均在興建12吋晶圓廠，以此推估2005年下半年至2006年上半年為另一波12吋廠產能大量開出時間。韓國Samsung及國內廠商力晶、茂德於2001年開始興建12吋廠，2003年產能順利開出，成為此波DRAM景氣復甦最大贏家。2004年下半年，華亞半導體正式量產，年底月投片達24K，南科與Infineon各分一半產能，至此國內三家DRAM廠商均有12吋廠產能貢獻，台灣在DRAM生產成本優勢隱然浮現，預估2005年台灣DRAM廠商產能將佔全球20%以上。今年以來DRAM現貨價格表現優於預期，關鍵點在於2004年全球DRAM廠商正進行0.11微米製程移轉，由於Scanner由248nm改成193nm，對8吋廠而言面臨極限挑戰，對擁有較多8吋廠DRAM廠商相當不利，今年產能增加幅度均明顯低於預期，因此另一選擇為將8吋廠轉去生產Nand Flash；此外，DDRII世代交替初期因良率及學習曲線仍不穩定，勢必有部分DRAM產能損耗，此兩點為供給面不利因素。至於2004年對記憶體龍頭廠商韓國Sansung而言可謂是引領風騷的一年，不管是DRAM微縮製程或Nand Flash產能配置具有絕對主導權，亦讓Samsung龐大產能能做有效發揮，尤其在TFT-LCD殺價競爭下，Samsung將盡可能維持記憶體價格穩定，而台灣廠商在資金及技術雖不如Samsung，但卻成為最大受惠者。反觀Micron既無12吋廠，Nand Flash技術又不如Samsung，因此在2004年DRAM產業復甦受惠最少。就景氣定位而言，2004年第二季DRAM價格出現飆升，景氣位置達到本波的高峰期，之後緩步下滑，研究員預估2005年第三季將是下一波景氣循環好轉期。個股評析：1.力晶：力晶為國內產能最大之DRAM廠商，目前12吋廠月投片量達40K滿載，8吋廠月投片量37K，80%以上從事晶圓代工業務，由於在產能配置方面得宜，力晶2004年第三季單季毛利率接近50%，成為全球獲利率最佳的DRAM廠，研究員預估2004年力晶EPS達5.6元。此外，力晶在技術移轉方面，0.11微米製程來自Mitsubish，0.10微米以下製程技術來自Elpida，確保力晶未來幾年技術移轉無虞。就2005年而言，力晶第二座12吋晶圓廠將於第三季進入量產，可望帶動力晶另一波獲利成長動能。2.南科：南科目前擁有兩座8吋晶圓廠，由於8吋晶圓廠在轉0.11微米製程相當不易，因此南科在2004年產出增幅相當有限。然南科透過與Infineon合資興建華亞半導體於2004年第三季正式量產，2004年10月份單月投片量即達24K第一階段滿載，因此南科本身今年產出增幅雖有限，但第四季在華亞半導體一半產能貢獻下，預估第四季產出增加率將達30%，增幅相當可觀。研究員預估2004年南科EPS約2.4元，至於2005年華亞半導體年底單月投片量將邁向50K第二階段滿載，對南科逐季產出貢獻可觀。此外，南科具有台塑集團資源優勢，因此財務穩定度為國內三家DRAM廠之冠。壹、2004年全球DRAM廠商資本資出110億美元，YoY+29%，12吋晶圓廠為擴廠重點DRAM產業為高度資金密集產業，8吋晶圓廠設置約10億美元，進入12吋晶圓廠時代，一座晶圓廠設置更高達25億美元，因此DRAM廠商資本支出對12吋廠投資均相當謹慎。根據集邦科技統計資料，2004年全球DRAM廠商資本資出金額為110億美元，年成長率29%，就金額及成長率而言已接近2000年時的水準。由於此次資本支出重點均擺在12吋晶圓廠設置，推算2005年下半年至2006年上半年將是另一波12吋廠新產能開出時間點，因此目前有多家研究機構對2005年及2006年整體DRAM市場規模成長率看法趨向保守，認為成長率均難超越2004年高達4成之成長。圖一、近十年全球DRAM廠商資本支出統計 圖二、全球DRAM市場規模統計貳、Nand Flash應用市場崛起，排擠8吋DRAM廠產能超出預期，同時帶領DRAM廠商進入消費及通訊領域，減緩大起大落之產業特性,隨著12吋廠產能陸續開出，成本競爭優勢與8吋廠逐漸明顯拉開，迫使8吋廠必須積極尋找其他出路。此時剛好Nand Flash市場快速崛起，加上製程與DRAM類似，且生產毛利率遠高於DRAM，吸引DRAM大廠將產能轉去生產Nand Flash動機。韓國Samsung為確保龍頭地位，已將四座8吋廠轉去生產Nand Flash，其他如Hynix、Infineon及Micron亦陸續將8吋廠轉去生產Nand Flash。就統計資料來看，2003年至2005年全球DRAM產出顆粒(約當256Mb)分別為32.16億顆、45.88億顆、67.71億顆，產出年增率分別為46.3%、42.7%及47.6%；至於2003年至2005年全球Nand Flash產出顆粒(約當512Mb)分別為3.42億顆、9.5億顆、20.54億顆，產出年增率分別為200%、176%及118%；若兩者合併計算，Nand Flash佔的比重逐年快速提昇，2003年至2005年比重分別為9.6%、17.1%、23.2%。整體而言，Nand Flash除排擠DRAM產能外，由於Nand Flash主要用在小型記憶卡、大姆哥、MP3及手機等消費及通訊領域，因此DRAM以往與 PC出貨高度相關之型態因Nand Flash產品而出現改變，換句話說，未來DRAM廠商仍須面臨產業景氣波動，但對景氣上下震盪幅度減緩將相對有利。圖三、全球DRAM廠商將8吋廠轉去生產NAND Flash表一 全球約當256Mb DRAM產出統計 公司全年約當256Mb出貨數(百萬顆)出貨年增率(YoY)2002年2003年2004年2005年2003年2004年2005年Samsung6398531280192333.5%50.1%50.2%Micron493784866117559.0%10.5%35.7%Infineon287552830120092.3%50.4%44.6%Hynix331540767101563.1%42.0%32.3%Elpida9612833552333.3%161.7%56.1%Powerchip61151330485147.5%118.5%47.0%Nanya13619229048041.2%51.0%65.5%ProMos12821830038070.3%37.6%26.7%Others216167250455-22.7%49.7%82.0%Total219832164618677146.3%43.6%46.6%圖二、全球約當512Mb Nand Flash產出統計公司全年約當512Mb出貨數(百萬)出貨YoY2003年2004年2005年2004年2005年Samsung2075551153168%108%Toshiba94221413135%87%Sandisk2264126191%97%Renesas194176116%85%Hynix033113NA242%Infineon01774NA335%Micron0837NA363%STMicro01044NA340%Powerchip0118NA1700%Total3429502054178%116%參、下一波Nand Flash將由百萬畫素級照相手機帶動需求，2006年將呈現爆發性成長Nand Flash目前50%以上應用在DSC相關各式記憶卡，然2004年DSC成長率大幅下滑，NAND Flash價格全年跌幅超過60%，即使如此，以韓國Samsung第三季財報來看，生產Nand Flash毛利率仍大於50%，較DRAM的45%仍佳，因此預估 DRAM廠商將8吋廠轉去生產NAND Flash策略不會改變。由於DSC普及率已高，未來成長率明顯趨緩，研究員預估下一波NAND Flash需求成長動力將來自百萬畫素照相手機市場興起，原因在於百萬畫素照相手機必須內建記憶卡插槽，因此可望複製DSC記憶卡對NAND Flash快速需求之經驗。根據元富投顧推估，2005年百萬畫素照相手機恐仍無法順利消化快速開出的NAND Flash產能，但2006年因百萬畫素照相手機普及率提昇，NAND Flash市場將再出現一翻榮景可期。表三 百萬畫素照相手機對Nand Flash需求推估CIFVGASVGAQVGA畫素352*288640*4801280*10242048*1536影像感測CMOSCMOSCMOS/CCDCCDFlash8Mb16Mb32Mb128MbDRAM(SDRAM/Pseudo RAM)2Mb4Mb8Mb32Mb使用Flash Card插槽比例0%30%100%100%Card Memory064Mb128Mb256Mb可存照片張數8023511041平均使用Nand Flash8Mb40Mb160Mb384Mb單位：百萬2003年2004年2005年2006年全球手機出貨520625660690彩色手機比重35%65%75%85%單色手機338218.75165103.5彩色手機182406.25495586.5Camera Phone比重10%37%55%65%Camera Phone出貨52231.25363448.5VGA100%80%20%10%SVGA0%20%80%90%Camera Phone使用量20801480049368162177.6約當512Mb顆數4.06 28.91 96.42 316.75 全球產出512Mb顆數34295020543355佔全球能比重1.19%3.04%4.69%9.44%肆、DDRII因前段製程及後段封測面臨挑戰，進度略落後預期DRAM目前正進行DDRII取代DDR世代交替，由於DDRII前段製程須在12吋廠採0.11微米製程生產，且後段封裝採BGA封裝及T5593測試機台測試，在整體成本居高不下，因此世代交替速度似乎不如原先預期樂觀。然對生產者而言，由於DDRII毛利率高於DDR，再度吸引韓國Samsung對此一市場興趣，預計於2004年第四季拉高DDRII投片量佔所有DRAM產能3成。由於DDRII初期生產仍須面臨良率較低問題，因此Samsung拉高DDRII投片對DRAM供給將因此受到抑制，對PC出貨旺季過後之DRAM報價為相當正面訊息。表四 兩次DRAM世代交替比較規格轉換2001年2002年H12004年2004年H2SDRAM轉DDRDDR轉DDRII晶圓尺寸8吋8吋8吋/12吋12吋微縮製程(um)0.180.180.13/0.110.11Density(Mb)256256256512傳輸速率MHz133266400533封裝方式TSOPTSOPTSOPFBGAPin腳數168184184240測試機台T5581T5581T5585T5593工作電壓3.3V2.5V2.5V1.8V資料來源：元富投顧Prefetch(bit)1224表五、DDRII生產成本與DDR比較分析DDR 400MHz 256MbDDR 400MHz 512MbDDRII 533MHz 512Mb差異前段製程(um)0.130.130.11晶圓成本(Wafer cost)160016001760Gross Die/wafer1000500600Yield80%80%55%Good Die/wafer800400330 cost/die2.00 4.00 5.33 33.3%封裝0.30.30.6測試0.40.71.2後段成本/顆0.711.880%總成本/顆2.70 5.00 7.13 43%ASP4.5101770%資料來源：元富投顧毛利率40.0%50.0%58.0%伍