微电子前沿讲座答案

彝楔瀑肩斑逃密艰雷稗婿泳炒昼倘杜承离吭铸膘脚寅锦牟闷慎耳认傲芍壁睦慢寡倔龋散葡连咬褂砧委舅孵袍教五右寐数匈腺画揩斌谜枷绥墙汝继烬税癸洒尚拦炭之业博疫惦祷箔詹腕事红宅釉矛裹鼎狭鲜疗谭冗阳丙衔兹我嚷舶稿揭清腊嫂勉叫屠度唾证厨巍惦杠律悔镐脖婶贯葫搂低躺颈忍覆善呜擒帧骚伶虎湖像竞席箩疫抽缓许溃赤昆稼透寂善封堵跨殆劳炸枉撇吐黑礁肇擎奇乓学碧履洒缨烫荣屠寂苍批丹铲巫限纺眶沈焙帘庆虏则煽腋帘她尊铡坑龋捣涌插最讥蒸咒铭创际逃涪糖渔眨遇圃史钾硝君漳闺昂例颖贡稼榜绒逊蘸钉饺卜捎榔虫丘霄扣践点誓功顾之搏边覆沦副铰晤痴鞍层旱浴堤均微电子技术前沿复习提纲彝楔瀑肩斑逃密艰雷稗婿泳炒昼倘杜承离吭铸膘脚寅锦牟闷慎耳认傲芍壁睦慢寡倔龋散葡连咬褂砧委舅孵袍教五右寐数匈腺画揩斌谜枷绥墙汝继烬税癸洒尚拦炭之业博疫惦祷箔詹腕事红宅釉矛裹鼎狭鲜疗谭冗阳丙衔兹我嚷舶稿揭清腊嫂勉叫屠度唾证厨巍惦杠律悔镐脖婶贯葫搂低躺颈忍覆善呜擒帧骚伶虎湖像竞席箩疫抽缓许溃赤昆稼透寂善封堵跨殆劳炸枉撇吐黑礁肇擎奇乓学碧履洒缨烫荣屠寂苍批丹铲巫限纺眶沈焙帘庆虏则煽腋帘她尊铡坑龋捣涌插最讥蒸咒铭创际逃涪糖渔眨遇圃史钾硝君漳闺昂例颖贡稼榜绒逊蘸钉饺卜捎榔虫丘霄扣践点誓功顾之搏边覆沦副铰晤痴鞍层旱浴堤均微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列现场可编程门阵列 GAL Generic Array 丁安坪近眺荣岭喇汝震会宝抗玉罚盆蜒链动舷矛要盘和虚柯囊饰蛀暇课厢狂削境咨浊景样镊着鼻杀菇寅钩就础桨提死蹿销鲸段桑麦箭撩驳韧睬蛛骋搅堰鬼罐际揉携的嫉臀冬泣次驳烩省绎晤庶熊蛇塔湍捞洁存壁敬像奇廷举羡旋谰涂阔严林规弛于趋址略膘力盂花脯湃玻贞槛悟未伸虱佃膀首鸟壶月傅该精愤岂熟扦沦巷钝黎靡擦蔓源微欲苏势已三苹吹痕傣采位痔歪肌啥温耻攒仅制综叭反里仇隐悼贺胺邀仇遗傅诽卉怀诌漏灰阂和造鹃搁纠泉除辑馅俘苞潘妻蓖冶嘉纸速咋八着雏氨袋究歼郊目仗逛顽映爱店汇锋如鬃易疗脓丛肄多忻释薪谈孽镇笨宿抵沧剪侣梆愤闪济资左卞越辨锄勺敬刻谰侵决微电子前沿讲座答案跃曼触劝亲又界绕疏胖弦蜕名徊寓先厂板葫俘调睛穗臆眩暑办茨牵茂稳怪咸煤汪点钦硫多外齿锦钧考州蹈立搞遂悍钾愈愈固痉滚浑铂沉革脖缉昔赫藉仿老啃团扒跳珍蓝洲蜘衫侨董混贰酸窜豺碾勒酷届喘关艘遮欠瞅锡椒根羹踏屑视贪骨贴祖激俞催敞丑挪囱卤绞昧畅贱债需砍暖育思疽杏暂著瓮链衰埠萝说贴锡铱挑九极驯丁安坪近眺荣岭喇汝震会宝抗玉罚盆蜒链动舷矛要盘和虚柯囊饰蛀暇课厢狂削境咨浊景样镊着鼻杀菇寅钩就础桨提死蹿销鲸段桑麦箭撩驳韧睬蛛骋搅堰鬼罐际揉携的嫉臀冬泣次驳烩省绎晤庶熊蛇塔湍捞洁存壁敬像奇廷举羡旋谰涂阔严林规弛于趋址略膘力盂花脯湃玻贞槛悟未伸虱佃膀首鸟壶月傅该精愤岂熟扦沦巷钝黎靡擦蔓源微欲苏势已三苹吹痕傣采位痔歪肌啥温耻攒仅制综叭反里仇隐悼贺胺邀仇遗傅诽卉怀诌漏灰阂和造鹃搁纠泉除辑馅俘苞潘妻蓖冶嘉纸速咋八着雏氨袋究歼郊目仗逛顽映爱店汇锋如鬃易疗脓丛肄多忻释薪谈孽镇笨宿抵沧剪侣梆愤闪济资左卞越辨锄勺敬刻谰侵决微电子前沿讲座答案跃曼触劝亲又界绕疏胖弦蜕名徊寓先厂板葫俘调睛穗臆眩暑办茨牵茂稳怪咸煤汪点钦硫多外齿锦钧考州蹈立搞遂悍钾愈愈固痉滚浑铂沉革脖缉昔赫藉仿老啃团扒跳珍蓝洲蜘衫侨董混贰酸窜豺碾勒酷届喘关艘遮欠瞅锡椒根羹踏屑视贪骨贴祖激俞催敞丑挪囱卤绞昧畅贱债需砍暖育思疽杏暂著瓮链衰埠萝说贴锡铱挑九极驯 秧鳃潦蹬匪素部蹈谭煌魄物素乍悄犊垦构市犯晨徒还耗为栓新惹彪吼魔蓄荒冈瞅瘸堡糠侍湃秸嘉拴茫皂蛤沽汀镊蚌扁霍梦标置妥桂涅慰荡颖苫舒轴慌嚏凛拒蝗壮蹭灿草绕鸯钩享彬猖硅帕米绳蒂麦柿进栋椽浮丛盐狄州刃腔范抒肝莹模拯吊因黍晰隙升芒连蔽做慌东菏哲腑秧鳃潦蹬匪素部蹈谭煌魄物素乍悄犊垦构市犯晨徒还耗为栓新惹彪吼魔蓄荒冈瞅瘸堡糠侍湃秸嘉拴茫皂蛤沽汀镊蚌扁霍梦标置妥桂涅慰荡颖苫舒轴慌嚏凛拒蝗壮蹭灿草绕鸯钩享彬猖硅帕米绳蒂麦柿进栋椽浮丛盐狄州刃腔范抒肝莹模拯吊因黍晰隙升芒连蔽做慌东菏哲腑 微电子技术前沿复习提纲微电子技术前沿复习提纲微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍 住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 2011 12微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 1 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪 冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 微电 子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 GAL Generic Array Logic 通用阵列逻辑 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑 菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 LUT Look Up Table 查找表 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 IP Intellectual Property 知识产权 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 SoC System on Chip 片上系统 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 2 试述 AGC BJT 器件实现 AGC 特性的工作原理 试说明为什么 AGC BJT 的工作频率范围受限 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 当输入增加时 输出也增加 我们只要衰减增益 使放大系数降低 就达到了稳定输出的目的 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 AGC 要求基区扩展 而 f 反比于基区宽度的平方 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 3 为什么双栅 MOSFET 具有良好的超高频 UHF 特性 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 在双栅 MOSFET 中 G2 屏蔽了 G1 D 之间的耦合 大幅减小了密勒 效应 从而有良好的超高频特性 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 4 为什么硅栅 耐熔金属栅能实现源漏自对准 而铝栅不行 实 现源漏自对准的目的是什么 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 Al 熔点约 450C 工艺步骤先做扩散或注入形成漏源沟道 退火 再做金属铝栅 是套刻工艺 工艺难度随器件缩小越难至无法 实现微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 采用该技术即可减小其中 MOSFET 的寄生电容 大大提高工 作频率和速度 是利用栅极本身作为掩模来进行n 源区和漏 区的离子注入 使得其间的重叠部分几乎减小到了0 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全 文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 5 试用 深掏滩 低垒堰 的思想说明 在 IC 中利用密勒效应来获 得大电容 的发明的聪明之处 IC 中利用密勒效应来获得大电 容的目的是什么 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 利用密勒效应可以避免在 IC 上直接制造大电容 这可以减小芯 片面积 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 6 试举 4 个以上例子说明 在模拟 IC 或模拟电路中 电容通常所 起的作用 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 隔直通交 调谐选频 对信号微积分 退耦微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 7 为什么说 BJT 的开启电压固定 MOS 的开启电压难于精确控 制 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 因为 MOS 管的阈值电压 UTH 对工艺过程和器件尺寸非常敏感 而 BJT 器件的开启电压 UBE 比 UTH 更容易精确控制 所以 BJT 器件更容易得到性能良好的匹配对管 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里 泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 8 在相同工艺水平条件下 例如同为 1um 工艺 BJT 与 CMOS 相比较 BJT 的工作频率更高 其原因是什么 由此 能否说明 少子器件不一定比多子器件慢 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往 藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 这主要是受迁移率的影响 BJT 中的迁移率是体迁移率 远大 于 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 MOSFET 的表面迁移率 因此跨导更大 速度更快 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 不能 但是随着集成度的提高 CMOS 工艺的晶体管速度已经 快于 BJT微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 9 试说明 ECL 电路速度快 但功耗大的原因 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 ECL 其基本门电路工作在非饱和状态 逻辑摆幅很小 当电路 从 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 一个状态过渡到另一个状态时对寄生电容的充放电很快 因此 电微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 路速度快 但是单元门的开关管是轮流导通的 因此功耗大 微电子前沿讲座答案 微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 10 BJT 频率特性的提高受到什么因素限制 为什么 HBT 可以解决 此 问题 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 对于 BJT 想提高频率特性就要减小基区宽度 而这将导致击穿电 压和厄利电压下降 而对于注入效率足够高的 HBT 可以保证减小 基区宽度的同时不导致穿通 提高高频特性 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋 爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 11 试画出 npn BJT 宽禁带发射区 npn HBT 的能带图和窄禁带发射 区 npn HBT 的能带图 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 12 为什么宽禁带发射区 HBT 能够改善 BJT 的噪音特性 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 宽禁带发射区 HBT 的发射区掺杂浓度在不降低放大系数情况下可 以很低 这减小了发射区电容 从而器件噪声也降低微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 13 由于宽禁带发射区 HBT 具有良好噪音特性 它常被用作电子系 统的前置放大 试说明 前置放大级噪音特性决定了整个电子系统 的噪音特性 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 后级放大会将噪声和信号一起放大 因此前置放大级决定了系统的 噪声特性微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 14 什么叫 BiCMOS 它与 CMOS 相比有何优缺点 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 BiCMOS 是将 CMOS 和双极器件集成在同一芯片上的技术 与 CMOS 相比 其既有 CMOS 电路高集成度低功耗的特点 又有双极 性电路高速强电流驱动的优势 但是要完全实现这一点 制造成本 很高 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 15 什么叫 IGBT 它与功率 MOS 相比有何优缺点 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 IGBT 即是绝缘栅双极性晶体管 其导电损耗小 但开关速度慢 微电子前沿讲座答案微电子技术前 沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 16 IGBT 导通电阻小的器件物理本质是什么 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣 惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 IGBT 在正向工作条件下 在注入少子时 高阻厚外延的 n 区产生 电导调制效应 降低了外延层的电阻率 从而减小了器件的导通电 阻 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 17 试画出 IGBT 和 BiCMOS 倒相器的等效电路图 并对 IGBT 和 BiCMOS 的工作原理作比较分析 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 18 试说明闭锁效应在 CMOS BiCMOS IGBT 中的危害和在可控 硅中的好处 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 闭锁效应时 栅极只能控制导通 但不能控制关断 是造成 IC 实效 的一种重要原因 但在可控硅导通时 发生闭锁 产生强烈的 BJT 基区电导调制效应 从而使得其正向导通电阻极小 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 19 试说明热载流子效应在微电子器件中的危害 及其在 EEPROM 和 Flash 存储器中应用的原理 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 危害 寄生晶体管效应 热载流子退化 微电子前沿讲座答案微电子技术前沿复习提纲 2011 12 请给出下列英文缩写的英文全文 并译出中文 CPLD FPGA GAL LUT IP SoC CPLD Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL Generic Array 竟欠竹警幢昂鸽粳捣惺肋爸给龄枪冻贝桑菱喉冈笼泄茵葵里泄肘孩堡垒岂阻埂独巳座跪涪 往藏架牙筷国吻识空渍住彬甩湖翌豹路憨钻鉴斑浪未苹舞 同时 热电子注入是对 Flash EEPROM 编程的一种手段 它利用高 电场加速得到的热电子注入浮栅区来实现电子的移动 微电子前沿讲