器件考试题A卷

系别 班次 学号 姓名 密 封 线 以 内 答 题 无 效 第 1 页 共 5 页 电子科技大学成都学院二零一一至二零一二学年第二学期电子科技大学成都学院二零一一至二零一二学年第二学期 微电子器件 A 卷课程考试题 120 分钟 闭卷 考试时间 教师姓名 一二三四五六七八九十总 分 评卷教师 一 填空题 1x 20 分 1 在 N 型半导体中 为多数载流子 为少数载流子 2 在 PN 结的空间电荷区中 P 区一侧带 N 区一侧带 电荷 3 势垒电容反映的是 PN 结的势垒区电离杂质电荷随外加电压的变化率 PN 结的掺 杂浓度越高 则势垒电容就越 外加反向电压越高 则势垒电容就越 4 为了提高晶体管的基区输运系数 应当使基区宽度 基区少子扩散长度 5 晶体管的共发射极直流短路电流放大系数 是指 发射结 偏 集电结 偏时的 电流与 电流之比 6 当 降到 1 时的频率称为最高振荡频率fM 7 对于频率不是特别高的一般高频管 提高特征频率fT的主要措施是 8 MOSFET 是利用外加电压产生 来控制漏极电流大小 因此它是 控制器件 9 跨导 gm 反映了场效应管 对 控制能力 其单位 是 10 要提高 N 沟道 MOSFET 的阈电压VT 应使衬底掺杂浓度NA 使栅氧化层 厚度Tox 二 选择题 10 分 1 当 PN 结外加正向偏压时 扩散电流 漂移电流 当外加反向偏压时 扩 散电流 漂移电流 A 大于 B 小于 C 等于 D 不定 2 当对 PN 结外加反向电压时 其势垒区宽度会 势垒区的势垒高度会 A 变宽 B 变窄 C 变高 D 不变 3 P N 结耗尽层宽度主要取决于 A p 区浓度 B n 区的浓度 C P 区和 n 区的浓度 4 限制双极结型晶体管最高工作电压的主要因素是 A 雪崩击穿电压 B 基区穿通电压 C 雪崩击穿电压和基区穿通电压的较小 者 系别 班次 学号 姓名 密 封 线 以 内 答 题 无 效 第 2 页 共 5 页 5 对于实际的增强型 MOSFET 简单说明阈值电压 VT 包括哪几个部分的电压分量 多选 A 栅氧化层上的电压 Vox B 平带电压 VFB C 源漏电压 VDS D 使半导体表面产生强反型层 沟道 所需要的电压 2 FP 6 晶体管基区运输系数主要决定于 A 基区浓度 B 基区电阻率和基区少子寿命 C 基区宽度和基区少子扩散长度 三 判断题 10 分 1 由于 P 型半导体中含有大量空穴载流子 N 型半导体中含有大量电子载流子 所 以 P 型半导体带正电 N 型半导体带负电 2 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的 即杂质浓度大 扩散电流大 杂质浓度 小 扩散电流小 3 温度升高时 PN 结的反向饱和电流将减小 4 PN 结加正向电压时 空间电荷区将变宽 5 处于放大状态的晶体管 集电极电流是多子漂移运动形成的 四 问答题 30 分 1 解释 PN 结内建电场 缓变基区晶体管内建电场 2 降低基区掺杂浓度会对晶体管的各种特性 如 等 TE C EBO BV A V bb r 产生什么影响 系别 班次 学号 姓名 密 封 线 以 内 答 题 无 效 第 3 页 共 5 页 3 什么是双极晶体管基区宽度调变效应 什么是基区穿通效应 4 写出四种类型 MOSFET 的符号 输出特性和转移特性曲线 5 简述 MOSFET 击穿电压的类型和产生的原因 系别 班次 学号 姓名 密 封 线 以 内 答 题 无 效 第 4 页 共 5 页 五 计算题 30 分 1 某突变 PN 结的 试求和的值 183163 AD 1 10 cm 1 10 cmNN p0p0n0 pnn n0 p 并求当外加 0 5V 正向电压时的和的值 nn px pp nx 2 某均匀基区晶体管的 求该晶体 BBEB1 1 5 m 15 m 20 2000WLRR 口口 管的和 系别 班次 学号 姓名 密 封 线 以 内 答 题 无 效 第 5 页 共 5 页 3 有一个处于饱和