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材料基础学生练习四材料基础学生练习四 1 试证明理想密排六方结构的轴比c a 1 633 2 试证明Shockley不全位错在FCC 111 晶面上柏氏矢量为b 1 6 3 试证明负弗兰克不全位错为b 1 3 4 简单立方结构中 两条柏氏矢量为的位错合成一条b为的位错 试写出位错反应 5 体心立方晶体中 两条b为型的位错反应生成两条b 1 2的位错 这个反应能不能发生 6 试分析在f中 下列位错反应能否进行 并指出这3个位错的性质 类型 反应后生成的新位错能否在滑移面上运动 7 有一硅单晶片 厚0 5mm 其一端面上每107个硅原子包含两个镓 原子 另一个端面经处理后含镓的浓度增高 试求在该面上每107个硅原子须包含几个镓原子 才能使浓度梯度成 为2 1026原子数 m3 m 硅的点阵常数为0 5407nm 8 在1000 下对钢进行渗碳热处理 距离钢的表面1 2mm处 碳含量从x 5 减到x 4 估计在近表面区域进入钢的碳原子的流入量J 原子数 m2 s 已知 铁在1000 的密度为7 63g cm3 碳在 铁中的扩散常数D0 2 0 10 5m2 s 激活能Q 142kJ mol 9 由纯钨与含有原子分数1 钍的钨合金间建立的扩散偶 在2000 下放置几分钟后生成一个0 01cm厚的过渡层 试问 在此期间 钍原子若按下列几种扩散方式进行扩散 其扩散 通量各为多少 1 体扩散 2 晶界扩散 3 表面扩散 已知钍在钨中以体扩散 晶界扩散和表面扩散的扩散常数分别为1 00 0 74 0 47 cm2 s 激活能分别为
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