05-电子类专利撰写模板地大

（填写说明：如申请发明或由代理机构申请实用新型，只需填写第四部分-说明书即可；如需知识产权与技术转移中心做实用新型电子申请，请将各个部分填写完整。）电子领域专利申请的基本特点：1、电子领域的专利涉及的技术较广，从电子产品的材料到结构到控制方法，都可能产生专利点。如一台DVD机上便涉及6C、3C、汤姆逊、杜比、MPEG LA等5家专利联盟的上千项专利，从电路、芯片、编解码技术到外形设计，中国每生产一台DVD要交纳专利费30美元。其中仅DVD使用的视频图像压缩技术MPEG-2就包含795项专利，由美国MPEG专业技术管理公司（ MPEG LA ）代表57个国家的24家专利人进行管理。由此可见，在一个电子产品（系统）上，往往可产生多项专利。电子产品的更新换代快，新技术的不断研发也促进了电子领域专利的增长。2、电子领域内，可以申请专利的发明创造包括：（1）新的电子元件或电子元件的改进，可能涉及元件材料及结构；（2）新的功能模块或功能模块的改进，包括电路设计、模块物理结构设计等；（3）新的设备、装置或设备、装置的改进，最常见的是通过增减模块或者改变模块的连接关系来实现新的功能或者改进呢性能；（4）新的系统或系统的改进，包括系统构架设计、系统中设备的增减、设备连接关系的改变等；（5）针对主设备或者主系统的配套设备或配套系统，出于一些专用目的，如散热、除尘等；（6）针对具体电子设备或系统的新的控制方法或控制方法的改进；（7）电子产品的新生产工艺或生产工艺的改进，包括新的制造设备或制造设备的改进；（8）电子产品的新测试设备、新测试方法或测试设备、测试方法的改进。（9）一、 说明书摘要本发明（实用新型）公开了一种XXXl简要写明发明（实用新型）的名称、技术方案的要点以及主要用途，尤其是写明发明内容主要的技术特征（构造和/或电连接关系），获得的有益效果。注意：字数不超过300字。二、 摘要附图指定一幅最能从整体上反映本发明的图。三、 权利要求书1、一种（主题名称），其特征在于：（其特征是：） 。（独立权利要求：前序部分+特征部分，前序部分=本发明主题名称+与现有（或接近）技术共有的必要技术特征【必要：是指缺少了就不能够解决技术问题】，特征部分=区别于现有现有技术的必要特征）2、根据权利要求1所述的（主题名称），其特征在于： 。（从属权利要求：引用部分+特征部分，对引用的权利要求作进一步要求）权利要求书由一组权利要求（权项）组成，一份权利要求书至少有一项权利要求，权利要求中所描述技术特征的总和是该发明的技术方案。四、 说明书名称1、发明或实用新型申请的名称应当采用本领域通用的技术术语，清楚、简短、全面地反映要求保护的主题和类型；2、一般不得超过25个字。示范性举例：“一种二氧化锡基压敏电阻材料及制备方法”技术领域本发明涉及，属 领域。1、该部分应当写明发明或实用新型所属或者直接应用的具体技术领域。示范性举例：“本发明涉及一种二氧化锡基压敏电阻材料及制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。”背景技术写明本专利要解决的技术问题。写明对本发明的理解、检索有用的背景技术，并引证反映这些背景技术的专利或期刊等文献，有引用文献的，需要说明文献出处；简要介绍与本发明的内容最接近的技术/产品，同时指出该已有技术/产品相对于本发明来说存在的缺点或不足之处。该部分不需要写入针对现有技术作出改进的技术手段或技术方案。示范性举例：“SnO2 基压敏电阻材料是一种多功能新型陶瓷材料，它是以SnO2 为主相，添加若干其它氧化物改性后的烧结体材料。与目前应用最广泛的ZnO 基压敏陶瓷相比，SnO2 基压敏陶瓷具有掺杂量相对较少、由氧化物挥发导致的掺杂损失小以及热导率高等优点，其在结构均匀性、晶界有效性、热稳定性和抗老化特性方面表现更好，在电子、电力系统中应用前景很好。SnO2 基压敏电阻材料的非线性特性源于晶界效应。其中，Nb2O5、Ta2O 小5 等施主掺杂产生自由电子，是SnO2 基压敏电阻的压敏特性形成氧化物；同时，由于SnO2 基压敏电阻难于烧结，常加入一些烧结助剂，如Bi2O3 等，通常掺杂量不超过1。在此三元体系的基础上，还常常需要添加一些压敏特性增强剂以改善SnO2 基压敏电阻材料的非线性特性，如Cr2O3 以及部分稀土元素的氧化物等。它们或是改善材料微观结构的均匀性、晶粒大小、气孔率等，或是参与形成耗尽层，提高晶界势垒，亦或是充分进入晶格，改善了晶粒电阻，从而改善材料的电学性能。但是，由于掺杂元素种类繁多，作用机制各不相同，如何控制SnO2 基压敏电阻材料的组成和微观结构、提高其非线性和综合性能是近年来的研究热点。”发明内容为了克服上述现有技术的不足，本发明提供了一种。本发明所采用的技术方案是。与现有技术相比，本发明的有益效果是。说明本专利达到目的或解决问题的技术手段。包括产品的组成、结构，尤其说明各组成部分之间的相互关系，例如连接关系、被作用的工作电流或信号的走向。写明本专利的工作原理，本专利与现有技术的区别点。清楚客观的说明本发明与已有技术/产品相比所具有的有益效果，有益效果可以由工作性能的提高，制作成本、能量损耗的减少，稳定性的增加，操作、控制、使用的简便，以及其他有用性能的出现等方面反映出来。示范性举例：“本发明提出一种新型二氧化锡基压敏电阻材料及制备方法。用这种材料制作的SnO2 基压敏电阻材料组分简单、挥发量少、掺杂元素更容易精确可控，材料的微观结构更加均匀、致密，能显著提高SnO2 基压敏电阻材料的非线性系数，压敏电压较高，综合性能优良，特别适合家用电器以及高压避雷器等应用。本发明提出的材料配方，其特征在于，以SnO2 为主相，采用Ta2O5 为非线性形成氧化物，ZnO、TiO2 为非线性增强剂，并含有CoO、Cr2O3、Fe2O3、CuO、MnO、NiO 中的一种或者多种添加剂。所述主相SnO2 摩尔百分含量为70 99.95，非线性形成氧化物Ta2O5 的摩尔百分含量为0.01 8，非线性增强剂ZnO、TiO2 的摩尔百分含量分别为0.02 10，其他添加剂的摩尔百分含量为0 2。本发明提出的所述材料的相应制备方法，其特征在于，其技术方法简单，采用传统的电子陶瓷制备技术，其工艺流程依次包括“称料、混料、高能球磨、烘干、预烧、研磨、过筛、模压成型、烧结和被银”工序。然后，对所得产品进行组成、结构及性能等相应检测即可。在上述制备方法中，根据本发明提出的配方，在对各组分进行称量、混料的同时，还按照所设计的SnO2 基压敏电阻材料中全部固相的总质量，分别添加质量分数0 10的分散剂和粘接剂。在上述制备方法中，所述混料采用高能球磨方式，所述高能球磨为湿式球磨，即将所称得的所有陶瓷原料的粉料( 混合粉料)、分散剂和粘接剂、氧化锆磨球、去离子水分散介质按照一定的比例同时放在聚氨酯球磨罐中，在高能球磨机上磨细、混匀；其中，混合粉料、氧化锆磨球、去离子水的质量比为1 (2 10) (2 5)，球磨时间24 72 小时。在上述制备方法中，所述烘干在常压干燥箱中进行，将磨细混匀的浆料在温度100 150下保温24 72 小时。在上述制备方法中，所述预烧的温度为450 850，保温时间1 4 小时。在上述制备方法中，需将预烧好的粉料进行研磨，并选用合适目数的筛子进行过筛。所述研磨和过筛后，粉料晶粒小于0.1m，团聚体小于0.15mm。在上述制备方法中，所述模压成型是对研磨后的粉料随产品尺寸需要在指定规格和形状的模具中干压成型。在上述制备方法中，所述烧结在电炉中和空气全循环环境下进行，升温速度1 5 /min，300 550保温排胶1 6 小时，在最高温度1100 1500下保温1 5 小时，然后随炉冷却。在上述制备方法中，所述被银工艺为，将样品两极均匀涂抹上特制银浆料，并在500 800下保温1 4 小时焙干。用本发明提供的材料配方及制备方法制得的二氧化锡基压敏电阻片，其电位梯度E( 电流密度为1mA/cm2 时对应的电位梯度值) 为400 1200V/mm，非线性系数 根据公式 1/log(E10mA/E1mA) 计算 为10 40，漏电流IL(75 E 所对应的电流密度值) 为10 100A/cm2，综合性能优良。可用于手机、家用电器以及高压避雷器等领域。”附图说明产品构造或装置或设备的图解，图应以电子制图或流程图的标准绘制，而非扫描图。使专利工作人员可直接在附图上编辑修改，实用新型申请必须带附图。示范性举例：“图1 是本发明实施例1 所制得二氧化锡基压敏电阻材料的X- 射线衍射谱图；图2 是本发明实施例1 所制得二氧化锡基压敏电阻材料的扫描电镜照片；图3 是本发明实施例2 所制得二氧化锡基压敏电阻材料的X- 射线衍射谱图；图4 是本发明实施例2 所制得二氧化锡基压敏电阻材料的扫描电镜照片。”具体实施方式对照附图，说明本专利的具体实施方式，必须有详细的工作机理，包括附图中各具体器件功能介绍、及流程图中具体各个流程的功能。最好提供相应的技术参数、数据来具体说明有益效果，可同时提供原有技术的参数数据进行对比。示范性举例：“下面结合实施例对本发明的技术方案做进一步说明。本发明提出一种新型二氧化锡基压敏电阻材料及制备方法，其特征在于，所述二氧化锡基压敏电阻材料以SnO2 为主相，采用Ta2O5 为非线性形成氧化物，ZnO、TiO2 为非线性增强剂，并含有CoO、Cr2O3、Fe2O3、CuO、MnO、NiO 中的一种或者多种添加剂。所述主相SnO2摩尔百分含量为70 99.95，非线性形成氧化物Ta2O5 的摩尔百分含量为0.01 8，非线性增强剂ZnO、TiO2 的摩尔百分含量分别为0.02 10，其他添加剂的摩尔百分含量为0 2。所述制备方法，包括如下工艺步骤和内容：1) 按照所述二氧化锡基压敏电阻材料的设计组成称取原料，并分别添加质量分数0 10的分散剂和粘接剂。2) 将所称粉料、分散剂和粘接剂、氧化锆球、去离子水在聚氨酯球磨罐中混合，在高能球磨机上磨细、混匀。3) 在常压干燥箱中，将磨细混匀的浆料在温度100 150下保温24 72 小时烘干。4) 将烘干的粉料在450 850下进行预烧，保温时间1 4 小时。5) 将预烧好的粉料进行研磨，并选用合适目数的筛子进行过筛。6) 对研磨后的粉料在指定规格和形状的模具中干压成型。7) 按照预先设定的烧结制度对二氧化锡基压敏陶瓷素坯进行烧结。8) 对二氧化锡基压敏陶瓷烧结体进行被银，制作电极。9) 在银电极上焊制引线。所得到二氧化锡压敏电阻为青白色固体。实施例1 ：将市售分析纯SnO2、Ta2O5、ZnO、TiO2 以摩尔比进行混料，其中SnO295.49mol、Ta2O50.01mol、ZnO 0.5mol、TiO24.0mol，并添加5 ( 质量分数) 聚乙烯醇和5 ( 质量分数)Davon C，按1 4 2 的粉料锆球去离子水的质量比投入聚氨脂球磨罐中，在球磨机上球磨24 小时后，在空气中、干燥箱中150下24 小时烘干，在450保温4 小时进行预烧，研磨后，干压成型，在1100下烧结5 小时，在800下保温1小时被银制作电极。本实例所得二氧化锡基压敏电阻经分析为典型的单相结构( 如图1 所示)，晶粒大小均匀、致密( 如图2 所示)。本实例所制作