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文档简介
20022003学年第二学期电子线路期中试卷选择:A卷 B卷(说明:A为基本卷,B为加强卷)一、填空题(1-12题AB卷,共28分)1、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物体。2、当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为 ,锗二极管的正向压降为 。3、将 变成 的过程叫整流,在单相整流电路中,常用的整流形式有 、 和倍压整流等几种。4、晶体三极管IE、IB、IC之间的关系式是 。5、晶体三极管中有两个PN结,其中一个PN结叫做 ,另一个叫做 。6、硅晶体三极管发射结的截止电压(门坎电压)约为 V,锗晶体三极管发射结的截止电压约为 V。7、NPN型晶体三极管的发射区是 型半导体,集电区是 型半导体,基区是 型半导体。8、晶体三极管的输出特性曲线可分为 区、 区和 区。9、共发射极基本放大电路兼有和作用。10、放大器的放大倍数有三种,即为 、 和 。11、滤波电路的作用是使 直流电变成较 的直流电,电容滤波电路常用在 的场合,电感滤波电路常用在 的场合。二、判断题(1-8题A卷,5-12题B卷,共24分)1、在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。2、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。3、晶体二极管击穿后立即烧毁。4、为使晶体管处于放大工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压。5、用万用表测二极管正向电阻,插在万用表标“+”号插孔的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管正极,另一为负极。6、共发射极放大器的输出信号和输入信号反相。7、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。8、画交流放大器的直流通路时,电容要作开路处理,画交流通路时,直流电源和电容器应作短路处理。9、直流负载电压相同时,单相全波整流电路中二极管所承受的反向电压比单相半波整流和桥式整流高一倍。10、单相桥式整流电路在输入交流电压的每个半周内都有两只二极管导通。11、选择整流二极管主要考虑两个参数:反向击穿电压和正向平均电流。12、单相桥式整流电路在输入交流电压的每个半周内都有两只二极管导通。题号123456789101112A卷AB卷B卷答案三、选择题(1-8题A卷,5-12题B卷,共24分)1、半导体的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为( )AP型半导体 B本征半导体 CN型半导体2、当晶体二极管的PN结导通后,参加导电的是( )A少数载流子 B多数载流子 C既有少数载流子又有多数载流子3、用万用表测小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到( )AR100或R1k挡 BR1挡 CR10k挡4、晶体三极管的两个PN结都反偏时,晶体二极管所处的状态是( )A放大状态 B饱和状态 C截止状态5、晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,晶体三极管处于( )状态。A放大 B饱和 C截止6、在三极管放大电路中,三极管最高电位的一端是( )ANPN管的发射极 BPNP管的发射极 CPNP管的集电极7、用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地电位是:VB=4.7V,VC=4.3V,VE=4V,则该管的工作状态是( )A饱和状态 B截止状态 C放大状态8、晶体三极管工作在饱和状态时,它的IC将( )A随IB增加而增加 B随IB增加而减小 C与IB无关9、某单相半波整流电路中,变压器次级电压为U2,若电路改为桥式整流电路,负载上仍要得到原有的直流电压,则改成桥式整流后,变压器的次级电压应为( )A0.5 U2 BU2 C2 U2 D2 U210、如图所示电路中,可作为桥式整流电路的是( ) A B C D11、正确的稳压管稳压电路是如图所示的( )。A B C D 12、半波整流加电容滤波后,正确的说法是( )。A输出电压不变 B二极管的导通时间变短 C二极管承受的最大反向电压不变、题号123456789101112A卷AB卷B卷答案四、按要求解各题:(1-3题为A卷,1-5题为B卷,24分)1、单相全波整流电路中,已知U2a=U2b=20伏,RL=10欧,试求输出直流电压和负载电流。2、电路原理如图,设二极管的正向压降VF=0.7V,试求A点电位和流过二极管的电流IV。(5分)3、判断下列各三极管的工作状态。4、电路如图所示,设u=15sint伏,稳压管V的稳定电压为8伏、正向压降为0.7伏,限流电阻为R,试画出UL的波形。
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