神硅新能源单晶学徒试题范本.doc

单晶学徒试题 一、员工基本素养（10分）1、仪容仪表要做到整洁，头发不遮眼不染色露双耳，且每天上班要穿 和 。 2、上下班要准时并打 ，工作中对领导的下达的指令做到令必行，禁 ，尊重领 导，见到公司领导要主动打招呼。3、请假必须写请假条，并须经过车间主管 ，工作中必须要尽力为公司创造 ，减少浪费和 ，节约成本。4、平时日常生活中要爱护公司财物，要勤俭 ，避免奢侈浪费。养成良好的生活习惯。5、每次开会或则集体活动，要做到准时参加，遵守纪律，不大声喧哗，手机调至 ，公众场合不能抽 。二、判断题（对打勾，错打叉并在错误的地方用下划线标出，如一元钱等于十角，等于五十分，每题1分，标出错误地方另加一分，总分15分）1、 我们公司所拉制的单晶是P型单晶，所使用掺杂剂（母合金）是磷，在硅晶体中磷属于受主杂质，P型半导体的少数载流子是空穴。 （ ）2、 半导体的电学特性有；压敏性，热敏性，光敏性。热敏性是指半导体在受热后电阻随温度升高而迅速减小；光敏性是指半导体在光照下电阻大为变大 （ ）3、 实际正常拉制单晶时必须是单核成晶，且以外加入晶种做为基底，生成非自发晶核，熔体中存在两个以上晶核，晶体就不成单晶，如在拉制硅单晶时，坩埚边结晶掉渣变多晶就属于这种情况。 （ ）4、 硅几乎不溶所有的酸，包括氢氟酸，但硅能溶解在氢氟酸和浓硝酸的混合溶液中，硝酸起氧化作用，而氢氟酸则起络合剂作用，常温下硅也不和碱反应。 （ ）5、一定的热场中，强迫对流越强则能使自然对流抑制到较小程度，使单晶生长界面平坦，生长稳定，生长的单晶质量高。 （ ）6、单晶冷却过程位错过成：单晶和熔硅脱离接触，进行冷却。单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力，同时晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力，这些应力都足以使单晶界面生成新位错，所以在拉制无位错单晶过程中我们必须收尾且尽量收尖。 （ ）7、提高硅单晶寿命主要是拉晶过程中防止深能级杂质污染，避免铜、铁等金属和多晶硅接触，尽量不采用钼保温罩，多晶硅和石英坩埚含深能级杂质尽量少。拉晶的保护气氛的纯度尽量高，消除单晶的结构缺陷，无位错单晶尽量消除杂质条纹和旋涡条纹，这样都能提高硅单晶寿命。 （ ）8、单晶硅棒中氧含量一般是头高尾低，碳含量一般是尾高头低。 （ ）9、适合拉制晶向单晶的热场用来拉晶向单晶，一般说来，晶体很难拉成单晶，即使拉成单晶，单晶缺陷也较多。硅单晶各晶面之间的间距是不同的，各晶面上的原子密度也不同。（100）的面间距小于（110）的面间距，（111）的面间距最大；所以，（100）的面密度小于（110）的面密度，（111）的面密度最大。因此，直拉法生长单晶硅的热场，沿111晶向生长的纵向温度梯度大于沿110晶向生长的纵向温度梯度，沿100晶向生长的纵向温度梯度最小。 （ ）10、目前常用的制备高纯水的方法主要有：自来水蒸馏水离子交换和自来水电渗析离子交换二种方法。我们公司用的主要是：自来水蒸馏水离子交换。 （ ）三、填空题（每个空格1分，总分55分）1、晶体与非晶体主要有哪三个方面的区别： ， ， 。2、元素周期表中，以下元素排列分别是第几位：硼 磷 硅 碳 。3、晶体中有无限多在空间按一定规律分布的格点，称为空间点阵。组成空间点阵最基本的单元叫 。它能反映整个晶体的性质。其在空间重复排列起来就得到整个晶体。不同的晶体，其基本单元型式不同。4、热系统包括密封环、上下保温盖、内外导流筒、电极护套、托杆护套、上中下保温筒、 、 、 、 、 、炉底上压片、石墨电极及石墨毡。5、直拉法生产硅单晶工艺尽管种类繁多，但大体可分为：真空工艺、气氛工艺和减压拉晶工艺，我们公司用的拉晶工艺属于 ，它的工艺特点是易于成晶，炉膛干净，单晶参数易于控制，生产比较稳定。缺点是消耗大量高纯氩气，生产成本相对提高。6、地球上含量前三的分别是 ， ， 。硅是构成矿石和岩石的主要元素。在自然界中无游离态硅，主要以硅酸盐和硅石（主要成分是二氧化硅）的形式存在。7、硅一般是银灰色的固体，带有金属光泽，质硬且脆，切割时易碎裂。硅比重较小，固态密度为 克/厘米3，液态时 克/厘米3，熔点 ，沸点 ，硅单晶的结构与金刚石完全相似，8、合格的籽晶必须要符合三点： ， ， 。9、物质内部原子或分子的热运动称为 。由于固相中的杂质原子扩散速度很小浓度高速缓慢，先凝固的与后凝固的固相杂质浓度不同，晶体中各种杂质浓度不再均匀分布，有的地方杂质浓度低，有些地方杂质浓度高，这种由杂质偏析引起的现象叫 。10、晶体生长过程中主要通过哪三种方式进行热输送： ， ， 。 其中高温时热量以 为主进行热传输。溶体里热量以 为主传输。11、石英坩埚中的熔硅流动有两种类型：一是由温度梯度形成叫 ，其是由于熔体内部各点温度不同，因而比重不同，在浮力作用下形成；二是晶体、坩埚旋转千万叫 ，其则由于晶体和坩埚转动，在熔体粘滞度作用下，熔体随晶体和坩埚转动，因离心力作用向坩埚壁方向流动。12、根据缺陷相对晶体尺寸或影响范围大小，可分为以下四类 ， ， 。其中位错属于 缺陷。旋涡条纹和杂质条纹和孔晶属于 缺陷。13、籽晶的位错来源是由于籽晶表面损伤、机械磨损裂痕等使籽晶表面晶格受到破坏形成位错或籽晶本身有位错，籽晶与熔硅接触时受到强烈的热冲击，熔接后的籽晶位错密度一般都在 数量级，熔硅温度较低，籽晶和熔硅熔接不好也会产生位错，熔硅表面有浮渣，浮渣附着在籽晶表面，使单晶产生不同取向，同样可以产生位错14、单晶生长中位错来源：一是如果受到机械震动，产生 应力而产生位错；二是单晶内部如果径向温度梯度较大，单晶各微区的热膨胀率不同。晶体表面温度低，膨胀率小，中间温度高，膨胀率大。因此单晶表面受到扩张的应力，内部受到压缩应力而产生 应力也会产生位错产生和进行增殖；三是熔硅温度的起伏和单晶生长速率的起伏，可以引起结晶界面上原子振动的变化，使原子排列偏离点阵，产生晶格畸变，形成位错也可能使单晶偏离生长取向产生位错。四是硅单晶内杂质浓度过高，形成杂质析出也容易产生位错15、单晶硅中的碳和氧的来源主要：多晶硅、 ， 。16、不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为 半导体。17、我们现在拉制的单晶是P型，头部电阻控制范围是 ，晶向是 。如果我们正常情况下P型母合金掺的越多电阻则会相应的变 。18、拉晶过程中，捡漏要求真空漏速在 内才算达标。1KG硅料拉制单晶标准直径150mm的能拉 mm，拉制标准直径165mm的能拉 mm。19、1英寸= 毫米，20寸石英埚拉标准8寸单晶我们起始埚根应该给 。20、制造单晶的主要方法有：直拉发法（CZ法）、悬浮区熔法（区熔法、FZ法）、基座法、片状单晶生长法（EFG法）、蹼状单晶生长法、气相生长法、铸锭法、液相外延生长法。我们公司现在所用的方法是属