如何判断显卡电子元件的好坏.doc

电子知识显卡(352)电感(149)MOS管(11)电容(360)显卡上的电子元件就像汽车中的各种零件一样，其好坏对整体的稳定和寿命有直接影响。比较显眼的部件有电容、电感、MOS和供电芯片，这些容易看懂，好理解。电容篇：显卡用电容起到滤波、去耦、耦合、充放电等功能。滤波电容是储能元件，它把电压的变动转化为电流的变动，防止各种脉冲干扰，净化使波形平滑。就好比饮水机过滤掉自来水中的杂物，使流出来的水纯净一样。目前常见的电容有“电解电容”、“铝固态电容”、“陶瓷电容”和“钽电容”。我想大家都知道固态电容不错，但也不要迷信固态电容有多好。首先它们都是电容，起到的作用是一样的，主要区别在于耐受、内阻和寿命。电解电容相比较铝固态电容，其最大的缺点在于相同容量占用的体积更大，以及高温耐受差（传统电容通常沸点为103度左右，铝固态电容沸点可高达350余度）。如果长期高温或遇到不能承受的压力时会“爆浆”！固态电容内部示意图咱很乐意吓唬你一下，呵呵。当然，电解电容也有它不能被取代的地方，那就是它拥有极好的低频响应能力。所以涉及声音输出的部分还是需要电解电容来出力，使用固态电容的主板集成声卡就逊色很多。电解电容的特征是顶端“拥有K型防爆槽”。另外有一种酷似固态电容的名叫“铝壳电解电容”的东西，大家注意千万不要混淆，仔细看它也有K槽。爆浆的电解电容。不管是传统的还是铝壳的都会爆。固态电容也会爆，当然只限你很2的接反正负极。这些都是电解电容，从左至右（下同）依次是传统电解电容和铝壳电解电容。另外，电容的安装方式有“插件式”和“贴片式”两种，只是安装方式的差异，并没有太大不同。贴片式电容的特点是使用黑色底座或直接焊接，插件式很暴力要穿透PCB电路板。插件式电容会有2个针脚穿透电路板。贴片式电容能看到有一个黑色底座。最后来说说高端电容钽电容家族的兄弟们！钽是一种珍贵的金属，价格很好很强大。钽电容内部没有金属液，而是使用金属钽做介质。钽电容拥有很多特性和强项，它具有非常高的工作电场强度，体积小却能达到较大的电容量、寿命长、耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好。在钽电容工作的过程中，具有自动修补或隔绝氧化膜中的疵点的功能，使氧化膜介质随时得到加固和恢复其应有的绝缘能力，而不致遭到连续的累积性破坏（信春哥，得自我修复）。这种独特的自愈性能，保证了其长寿和可靠性。好话说尽，该说话坏了，毕竟这家伙不是开挂的！钽电容的缺点一是嗷嗷昂贵，二是耐电压及电流能力较弱。所以这豆子适合工作在压流不大的地方。还好这么多年下来，高聚合物钽电容等新星的出现使得缺点没那么严重了。目前高端钽电容以美国的Kemet和AVX，以及日系的Sanyo这三家为全球最大的钽电容生产商。其中AVX专注于传统的钽二氧化锰钽电容，坦聚合物电容是它的软肋。Kemet精于制造耐高压钽聚合物电容，价格也很强悍。Sanyo是后来者，直奔钽聚合物电容而去，主打产品是Poscap系列。美国人喜欢把电容做成黄色豆子，黄灿灿的外表上还有独特的“橙色横杠”，Kemet的黄豆子区别是横杠中间会有2位字符标示。日系则是黑色方块。四种常见钽电容，从弱到强依次是常规钽二氧化锰电容、AVX二氧化锰钽电容、日系HI-C军工级高导电钽聚合物电容、Kemet高压钽聚合物电容。另外还有新型的SP-CAP固态高分子聚合物电容。电容就讲到这里了，希望大家选择时能知道这小家伙是什么，不要被忽悠。对了，电容也有品牌之分，好品牌的电容电气性会更好一点，这点大家不用太在意，把握好总体就可以了。最后咱来一个直观的电容类型排名，方便大家了解哪些“更好”。电容从弱至强大排队。IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS模型优点可以概括为：在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题，而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上，所有EDA供应商现在都支持IBIS模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS模型优点可以概括为：在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题，而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上，所有EDA供应商现在都支持IBIS模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS模型优点可以概括为：在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题，而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上，所有EDA供应商现在都支持IBIS模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 More: 数码万年历 More:s2csfa2IBIS本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS模型优点可以概括为：在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题，而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上，所有EDA供应商现在都支持IBIS模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS模型优点可以概括为：在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 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