低频电子线复习题一.doc

低频电子线复习题一1.1在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是A. NPN型硅管B. PNP型硅管C. NPN型锗管图1.12V6VD. PNP型锗管1.3V1.2某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是A. 饱和B. 放大C. 截止图1.2D. 已损坏1.3在如图1.3所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是A.I=2mAB.I2mAD.不能确定图1.31.4在如图1-7所示电路中电源V=5V不变。当温度为20OC时测得二极管的电压UD=0.7V。当温度上生到为40OC时,则UD的大小将是A.仍等于0.7VB.大于0.7VC.小于0.7VD.不能确定图1.41.5在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是A.ICBOB.ICESC.ICERD.ICEO1.7二极管的主要特性是A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9下列选项中，不属三极管的参数是A.电流放大系数B.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM1.10温度升高时，三极管的值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11在N型半导体中，多数载流子是A.电子B.空穴C.离子D.杂质1.12下面哪一种情况二极管的单向导电性好A.正向电阻小反向电阻大B.正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D.正向电阻反向电阻都大1.13在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1mA,反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于A.0.1mAB.2.5mAC.5mAD.15mA图1.131.14在P型半导体中，多数载流子是A.电子B.空穴C.离子D.杂质1.15下列对场效应管的描述中，不正确的是A场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；C场效应管工作时多子、少子均参与导电；D场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。1.16在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的A.可变电阻区B.截止区C.饱和区D.击穿区1.17表征场效应管放大作用的重要参数是A.电流放大系数B.跨导gm=ID/UGSC.开启电压UTD.直流输入电阻RGS1.18下列选项中，不属场效应管直流参数的是A.饱和漏极电流IDSSB.低频跨导gmC.开启电压UTD.夹断电压UP1.19双极型晶体三极管工作时参与导电的是A多子B少子C多子和少子D多子或少子1.20双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是A发射结正偏，集电结正偏B发射结正偏，集电结反偏C发射结反偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏1.21选择括号中的答案填空（只填答案a、b、c、）。1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系，（a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺陷）2、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。(a.大于，b.小于，c.等于，d.变宽，e.变宽f.不变)3、温度升高时，晶体管的电流放大系数，反向饱和电流ICBO，正向结电压UBE。(a.变大，d.变小，c.不变)4、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。(a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e.增大，f.减小，g.不变)1.22用大于号()、小于号()或等号(=)填空：1、在本征半导体中，电子浓度空穴浓度；2、在P型半导体中，电子浓度空穴浓度；3、在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。1.23判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画或。1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（）2、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（）3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）4、PN结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（）5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（）6、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（）7、PN结方程可以描述PN结在的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。（）8、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（）9、通常的JFET管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（）10、有人测得某晶体管的UBE=0.7V，IB=20A，因此推算出rbe=UBE/IB=0.7V/20A=35k。（）11、有人测得晶体管在UBE=0.6V，IB=5A，因此认为在此工作点上的rbe大约为26mV/IB=5.2k。（）12、有人测得当UBE=0.6V，IB=10A。考虑到当UBE=0V时IB=0因此推算得到（）1.24选择正确的答案填空：1、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三个电极时以测出最为方便。a.中极间电阻b.各极对地电位c.各极电流2、一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。若UD增大到0.66V（即增加10%），则电流ID。a.约为11mA（也增加10%）；b.约为20mA（增大1倍）；c.约为100mA（增大到原先的10倍）；d.仍为10mA（基本不变）。3、设电路中保持V=5V不变，当温度为20时测得二极管的电压UD=0.7V。当温度上升到40时，则UD的大小将是。a.I=2mAb.I2mA1.25填空：1、半导体中载流子的基本运动形式有：和。2、二极管的最主要特性是，它的两个主要参数是反映正向特性的和反映反向的特性的。3、在常温下，硅二极管的开启电压约V，导通后在较大电流下的正向压降约V；锗二极管的开启电压约V，导通后在较大电流下的正向压降约V。4、场效应管从结构上分成和两大类型。它们的导电过程仅仅取决于载流子。5、场效应管属于控制型器件。6、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参于导电。7、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。场效应管从结构上分成和两大类型，它们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。8、场效应管属于控制型器件，而晶体管若用简化的h参数等效电路来分析则可以认为是控制型器件。9、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置。2.1在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.2在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.3在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.4在电路中我们可以利用实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。A共射电路B共基电路C共集电路D共射-共基电路2.5在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.6在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是A. 饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真2.7以下电路中，可用作电压跟随器的是A差分放大电路B共基电路C共射电路D共集电路2.8晶体三极管的关系式iE=f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性2.9对于图2.9所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A. ICEO=ICEO2ICEOB. ICEO=ICEO1+ICEO2C. ICEO=（1+b2）ICEO1+ICEO2D. ICEO=ICEO1图2.92.10在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是B. 饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真2.11对于基本共射放大电路，Rb减小时，输入电阻Ri将A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.12在基本共射放大电路中，信号源内阻RS减小时，输入电阻Ri将A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.13在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.14在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.15某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3KW的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。2.16双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结、集电结。2.17对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大，b.减小，c.不变)，选择正确的答案填入空格。1、Rb减小时，输入电阻Ri。2、Rb增大时，输出电阻Ro。3、信号源内阻Rs增大时，输入电阻Ri。4、信号源内阻Rs减小时，电压放大倍数。5、负载电阻RL增大时，电压放大倍数。6、负载电阻RL减小时，输出电阻Ro。2.18选择正确的答案填空。1、复合管的额定功耗是。(a.各晶体管额定功耗之和；b.前面管子的额定功耗；c.后面管子的额定功耗；d.各晶体管额定功耗的平均值)2、复合管的反向击穿电压等于。(a.各晶体管反向击穿电压之和；b.前面管子的反向击穿电压；c.后面管子的反向击穿电压；d.各晶体管反向击穿电压值中的较小者)3、复合管的集电极最大允许电流等于。(a.各晶体管集电极最大允许电流之和；b.前面管子的集电极最大允许电流；c.后面管子的集电极最大允许电流；d.各晶体管集电极最大允许电流值中的较小者)4、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的。a.输入电阻大b.输入电阻小c.输出电阻大d.输出电阻小2.19在实验桌上放有下列仪器：A、WQ-2-A型直流稳压电源：输出电压在030V范围内可调；B、FG-163型函数发生器：可产生正弦波、三角波、方波等信号，频率范围为0.0001Hz20MHz，输出电阻约为50；C、DA-16型晶体管毫伏表：频率范围为20Hz1MHz，输入电阻在频率为1kHz时大于1MQ，输入电容为5070pF；D、DT-830型数字万用表：交、直流挡的输入电阻均为10M，交流电压挡的频率范围45500Hz，输入电容为100pF；E、CS-1830型示波器：频率范围为030MHz，输入电阻为1M，输入电容为23pF。问测量放大电路的下列性能指标需用哪些仪器设备？（只需写出上述仪器设备的标号，如A、B等）1、静态工作点：2、电压放大倍数：3、输入电阻：4、输出电阻：5、上限截止频率（预计约1MHz）：2.20为了测量交流放大电路的电压放大倍数，需要在放大电路的输入端加进10mV的正弦信号。问下列几种获取信号的方法是否正确？为什么？1、调整信号发生器的电压幅度，利用信号发生器上的表头指示和衰减倍数产生10mV的正弦电压，然后将它加到放大电路的输入端。2、调整信号发生器的电压幅度，利用晶体管毫伏表测量其输出端电压，从而得到10mV信号。然后将它接到放大电路的输入端。3、先将尚无输出电压的信号发生器连接到放大电路的输入端，然后由小到大地调节信号源的电压幅度，用晶体管毫伏表测量其大小，使之达到10mV。2.21某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件下对同一个电路测了四级数据。试找出其中错误的一组。a.Ic=0.5mA，Ui=10mV，Uo=0.37Vb.Ic=1.0mA，Ui=10mV，Uo=0.62Vc.Ic=1.5mA，Ui=10mV，Uo=0.96Vd.Ic=2mA，Ui=10mV，Uo=0.45V2.22判断下列说法是否正确，对的画，错的画。1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（）2、在基本共射放大电路中，若晶体管的增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。（）3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1，故不能用来实现功率放大。（）4、只有当两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管）时才能组成复合管。（）5、复合管的类型（NPN或PNP）与组成它的最前面的管子类型相同。（）6、只要把两个晶体管的复合管，一定可以提高管子的输入电阻。（）7、复合管的值近似等于组成它的各晶体管值的乘积。（）8、复合管的空透电流等于组成它的各晶体管的空透电流之和。（）9、两个同类晶体管（例如都是NPN管）复合，由于两管的UBE叠加，受温度的影响增大，所以它产生的漂移电压比单管大。（）10、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以两个场效应管不能组成复合管。（）11、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以场效应管与双极型晶体管也不能级成复合管。（）41输入失调电压UIO是A.两个输入端电压之差B.两个输入端电压之和C输入端都为