半导体器件物理第三章PN结作业_第1页
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第三章作业题 2 硅突变结二极管的掺杂浓度为ND 1015cm 3 NA 4 1020cm 3 在室温下计算 1 内建电势差 2 零偏压时的耗尽区宽度 3 零偏压下的最大内建电场 1 推导PN结空间电荷区内建电势差公式 3 推导加偏压的PN结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式 4 推导杂质分布公式 5 长PN结二极管处于反偏压状态 求解下列问题 1 解扩散方程求少子分布np x 和pn x 并画出他们的分布示意图 2 计算扩散区内少子存储电荷 6 把一个硅二极管用做变容二极管 在结的两边的掺杂浓度分别为ND 1015cm 3 NA 1019cm 3 求在反偏电压为1V和5V时的二极管势垒电容 忽略二极管截面积的影响 7 一理想硅p n结二极管 NA 1016cm 3 ND 1018cm 3 p0 n0 10 6s ni 9 65 109cm 3 Dn 30cm2 s Dp 2cm2 s 器件面积为2 10 4cm2 计算室温下饱和电流的理论值及 0 7V时的正向和反向电流值 8 采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结空间电荷区的形成 9 采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结的单向导电性 第二章作业答案 n 超量载流子注入一厚度为W的薄n型硅晶的一个表面上 并于另一个表面上
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