长春理工大学微电子学专业.doc

长春理工大学微电子学专业自 评 报 告评估基 元评 估 项 目自 评 依 据自评等级（一）专业培养方案1.1 指导思想 *针对我国微电子产业高速发展的需求以及相关产业对人才的需求，本专业有针对性地培养具备坚实的数理基础及创新精神，掌握微电子学专业所必需的基础知识、基本理论和实验技能，掌握大规模集成电路及其它半导体器件的设计方法和制造工艺、电路与系统的设计知识，能在微电子学及相关领域从事科研、教学、科技开发、工程技术、生产管理与行政管理等工作的高级创新型专业人才。A1.2 教学计划 *教学计划和人才培养模式符合目标要求，体现德、智、体全面发展，有利于人文素质、科学素质提高和实践能力、创新精神和创业精神的培养，执行情况好。见附件1。A（二）师资队伍2.1 队伍结构 *具有合理的年龄、学历、学位及职称结构，见附件2。A2.2 学术水平三年内完省部级科研项目7项（附件7），发表论文28篇（见附件6）。A2.3 主干课程教师状况教授、副教授为本科生上课比例不足95%，其余均满足要求C2.4 中青年教师培养 *有完备的中青年教师培养计划，见附件3。A（三）教学条件3.1 专业实验室建设 *能够满足教学要求，在满足本科生专业实验的基础上，还可以很好地满足学生参加科研和创新活动的需要。附件4。A3.2 教材建设能够选用水平较高的，获省部级以上奖励的教材，选用近三年出版的教材B3.3教学文件及图书资料建设教学文件、规章制度及图书资料齐全，学院有自己的资料室。管理上严格按照教学管理文件办事，执行情况良好，能够保证教学工作正常需要。A3.4 实习基地建设学生有固定的认识实习基地和生产实习基地，并能根据情况及时做出调整。实习管理由系统一管理，专业配合，达到较好的效果。A（四）人材培养质量4.1学生基本理论与基本技能的实际水平 *各种考试成绩合格，学生的综合能力较强。B4.2学生的创新精神和实践能力 *0101321班徐鸿卓等4名同学获第一届校园科技创新大赛校级二等奖，参赛题目：一维动态红外目标模拟。A4.3 毕业设计（论文） *选题能结合实际，符合专业培养目标要求，论文的质量较好。B4.4 思想道德修养 *学生思想上积极要求进步，各方面能够严格要求自己。涌现出一批思想道德水平比较高的好同学，起到了很好的带头作用。0101321班：李丽获校三好学生称号赵利民获优秀学生干部称号苏世杰获优秀团干部称号庞智敏、袁媛获优秀团员称号0201321班：包思琴获校三好学生称号李涛获优秀学生干部称号王义涛、王付荣获优秀团员称号A4.5 社会声誉05年毕业人数34人，就业率100%（6人考上硕士研究生），有着良好的社会声誉。A专业特色（1）体现在总体上的办专业的观念与思路；微电子学专业为新兴的专业，近年来发展很快，能够结合本校实际和社会需求，设置了大规模集成电路及半导体光电器件两个专业方向，既兼顾了社会的需求又体现了我校的特色。同时体现了科研促进教学的特点，使教学工作的后劲较足，有相对稳定的发展方向。A（2）教育模式、人才特色； 本专业应培养具备扎实理论基础，又具备一定实践能力的毕业生，集成电路CAD实验室全天向学生开放，加上专业实验室开放，使学生的实践能力大大提高，本专业毕业生在具备扎实理论基础情况下，具备良好的科研素养和实践能力，又具备较高的思想道德修养，真正体现了培养高级创新型人才的目的。B（3）课程体系、教学方法、以及解决教改中的重点问题等；见附件5B（4）科学先进的教学管理制度、运行机制等。校、院两级管理部门制定了科学、完备的教学管理制度，在学院统一领导下形成了良好的运行机制，教学工作井然有序，各个教学环节有章可寻、按章办事，保证了教学质量。A自评结论：13A，5B，1C运行情况为优秀附件1 微电子学专业培养方案和教学计划微电子学专业教学计划 专业代码：071202 1、 业务培养目标：本专业培养具备坚实的数理基础，掌握微电子学专业所必需的基础知识、基本理论和实验技能，掌握大规模集成电路及其它新型半导体器件的设计方法和制作工艺，能在微电子学及相关领域从事科研、教学、科技开发、工程技术、生产管理与行政管理等工作的高级专业人才。2、 业务培养要求：本专业学生主要学习微电子学的基本理论和基本知识，受到科学实验与科学思维的基本训练，具有良好科学素质，掌握大规模集成电路及新型半导体器件的设计、制造及测试所必需的基本理论和方法，具有电路分析、工艺分析、器件性能分析和版图设计等基本能力。毕业生应获得以下几方面的知识和能力： 掌握数学、物理等方面的基本知识和基本理论； 掌握半导体物理、电子器件和VLSI设计与制造等方面的基本理论和基本知识，掌握集成电路和其它半导体器件的原理与设计方法，具有VLSI制造的基本知识与技能，掌握新型设计软件； 掌握电子电路技术、计算机原理与应用、软件设计与制作等基本知识，以能适应在相应专业（如通信、电子技术、自动控制、计算机应用等）的工作要求； 掌握微电子学基本实验技能； 了解VLSI和其它新型半导体器件的理论前沿、应用前景和最新发展动态以及电子产业发展状况；掌握资料查询、文献检索及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法；具有一定的实验设计，创造实验条件，归纳、整理、分析试验结果，撰写论文参与学术交流的能力。 熟悉国家电子产业政策、国内外有关的知识产权及其他法律法规。要求学生在校期间必须修满194学分方可毕业。3、专业方向与专业特色：专业特色：本专业以现代物理学、半导体物理和器件物理为基础，以大规模集成电路、新型半导体器件为核心，学习微电子理论、工艺、物理效应和工作机理等内容，培养学生从事各种集成电路、微电子器件、光电子器件的设计、生产、管理和测试技术的实际技能，使之能在微电子学及其相关的交叉学科从事科研、教学工作及在本学科相关的产业部门从事科学研究和技术开发工作。4、主干学科：电子科学与技术5、主要课程：模拟电子技术、数字电子技术、理论力学、热力学与统计物理、电动力学、量子力学、固体物理、半导体物理、半导体器件物理、集成电路设计原理、集成电路工艺原理、集成电路CAD、微电子学专业实验和集成电路工艺实习等。6、主要实践性教学环节：详见表17、修业年限：基本学制修业年限为4年，采取弹性学制，可在36年获得全部学分，完成学业8、授予学位：理学学士9、相近专业：电子信息科学与技术、物理学、电子科学与技术。表1 教学运行计划安排表表2 教学计划进程表 教学院长：薛玲玲2003年10月 教学运行计划安排 编 号 内 容周数学分数周 次备注一二三四12345678 入学教育1开学前S0103001军事训练22开学前S0103003金工实习22S0103004电工电子实习22S0103002公益劳动10.5S0103005计算机实习11S0103007认识实习11S0103006生产实习22S0103056电动力学课程设计22S0103063半导体光电子学课程设计11S0103064半导体集成电路原理与设计或半导体光电器件原理 课程设计11S0103065集成电路CAD或半导体光电器件设计课程设计11S0103008科研训练33S0103055毕业设计14144-17课程教学112163.516161616161616考试1418-1920-2120-2120-2119-2020-2119-20寒假2420-2522-2721-2621-26暑 假1522-2622-2622-26毕业教育1机 动3111 合 计2001942526272626262618 (200周不含入学教育和军事训练周数) 模 块课程编号 课 程 名 称学分数总学时学 时 分 配学 期 周 学 时 分 配课程类别讲课实验上机习题一二三四1234567816161616161616人文社会科学基础1110101思想道德修养348483必修1110102法律基础2323221110103马克思主义哲学原理3484831110104马克思主义政治经济学原理2323221110105毛泽东思想概论2323221110106邓小平理论概论4646441090201外语1625625644441090202第二外语4646441120101体育812812822221120102军事理论232322人文社会科学基础任选课4646422选修自然科学基础2010103高等数学()1219219266必修2010104线性代数3484832010105概率论与数理统计3484832010106数学物理方法4646442010403大学物理()152402404562010405大学物理实验()2.58080/2/3工程化学2.54832162/1自然科学基础任选课232322选修工程学基础3050301计算机文化基础36432322/2必修3050303C语言及程序设计3.57248243/1.53050307计算机应用基础2403282/0.53030301工程制图()3484833040403电路分析3.56448163/13040413电子技术基础()59664324/2工程学基础任选课232322学科基础4010201理论力学348483必修4010202热力学与统计物理4646444010203电动力学4726484/0.54010204量子力学5888085/0.54010205近代物理实验2.58080/3/24010206固体物理4646444010207半导体物理348483学科基础选修课232322选修专业平台5010201半导体器件物理348483必修5010202半导体光电子学2323225010203薄膜物理与技术2323225010204专业实验1.54848/3微电子学概论232322专业选修课232322专业方向方向1 大规模集成电路选修6010201半导体集成电路原理与设计3484836010202集成电路CAD2.54832162/16010203集成电路工艺原理（CAI）232322方向2 新型半导体器件6010205半导体光电器件原理3484836010206半导体光电器件设计3484836010207半导体光电器件工艺232322合计163.52816244827280162829.528.525.525.52316 教学计划进程表 附件2 微电子学专业师资队伍情况表姓 名学 历职 称年龄毕业学校毕业时间毕业专业李野硕士副研究员1969.1长春理工大学2003.4微电子学与固体电子学姜德龙本科高工1953.7长春光机学院1997.7电子技术田景全本科教授博导1938.11南开大学物理系1963.7物理富丽晨本科教授1941.3中国科技大学1964.7电子物理端木庆铎博士教授博导1956.2长春理工大学2003.7军用光学吴奎本科高工1960.3长春光机学院1989.07电子工程王国政硕士讲师1977.5长春理工大学2003.4光学工程付申成硕士助教1979.9东北师范大学2005.06理论物理刘国军博士教授-博导1964.11 清华大学1990.07光学王晓华博士教授1967.11长春光机所2002.07凝聚态物理王 勇硕士讲 师1978.08长春理工大学2002.06光学工程李 林博士讲 师1972.11长春理工大学2004.04光学工程张 晶硕士讲 师1975.04长春理工大学2004.04光学工程附件3 微电子学专业中青年教师培养计划02.9-03.9微电子学专业师资培养计划及执行情况姓 名学历培养内容李 野硕士推荐报考物理电子学博士研究生王国政硕士李 林硕士在职攻读光学工程博士研究生张 晶本科在职攻读光学工程硕士研究生03.9-04.9微电子学专业师资培养计划及执行情况姓 名学历培养内容李 野硕士在职攻读物理电子学博士研究生王国政硕士吴 奎本科推荐报考电路系统硕士研究生李 林硕士在职攻读光学工程博士研究生张 晶本科在职攻读光学工程硕士研究生04.9-05.9微电子学专业师资培养计划及执行情况姓 名学历培养内容李 野硕士在职攻读物理电子学博士研究生王国政硕士吴 奎本科在职攻读电路系统硕士研究生付申成硕士计划推荐报考物理电子学博士研究生为了全面提高教学水平，必须建设一支过硬的师资队伍。从微电子学专业教研室成立以来，非常重视教师的培养工作。主要从以下几个方面入手：一、 鼓励和支持现有教师攻读学位，提高综合素质。在不影响本职工作的前提下，鼓励教师在职攻读学位。教师在职攻读学位，有利于现有师资队伍整体水平的提高，对提高教学水平具有长远的意义。二、 对新教师提供外出学习机会。新教师由于对专业熟悉程度较差，缺乏教学经验。微电子学专业是一个发展十分迅速的专业，知识的更新周期短，尤其体现在微电子CAD教学工作中。为此，我们在2005年准备补充一名青年教师到师资队伍中来，并承担CAD教学工作。在这方面，北京大学微电子专业的软硬件设施在国内领先，所以计划新教师到位后，送到北大学习半年，学习先进知识及教学管理理念，提高我们的教学水平。三、 积极参加国内国际的学术交流活动。2005年北京华大电子将举办微电子CAD专题研讨会及培训班，我们准备派出一名同志参加，以期交流经验，与国内同行们共同发展。附件4 微电子学专业实验室建设规划及利用情况微电子学实验室建设规划微电子学专业为新建专业，为满足本科生教学计划要求，微电子学专业实验室拟设立二十个实验题目，考虑到本专业的特殊性，将实验室分为两个部分：1、微电子学专业实验室；2、集成电路CAD实验室。其中集成电路CAD实验室目前主要负担集成电路工艺原理的教学工作，在今后CAD软件购置后将把集成电路设计作为教学重点。学校分两次投资共计110万元，在原有设备基础上，制定设备采购计划，着手实验讲义的编写工作。另外我们正和北京华大电子探讨引进集成电路CAD软件的工作，只要资金到位，马上可以开展IC设计方面的实验及教学工作。并可承担一定的科研和设计工作。详细情况见下表：实验项目与学时分配一览表序号实验项目内容提要学时实验性质备注演示验证设计综合必选1化学清洗和超纯水制备在超净清洗台上清洗硅片、铝丝、钨丝和石英舟，观察清洗效果；仔细观察实验室超纯水设备，了解洁净原理和结构，并测量超纯水的电阻率与自来水作比较。32用椭偏仪测量薄膜厚度用椭圆偏振光测量透明膜厚和折射率，使用椭偏仪测量SiO2薄膜的厚度和折射率。33半导体的霍尔效应测半导体Ge的霍尔系数和电阻率，用范德堡法测Si薄片的霍尔系数和电阻率。34PN结的显示与结深的测量对单扩散和双扩散的二个试片进行磨角，用电解槽电解水氧化显结， 用金相显微镜观察并测量显结后的试片。35各向异性湿法腐蚀湿法腐蚀硅，测量腐蚀速率与温度和腐蚀液浓度的关系。36光刻工艺涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、 除胶37硅热氧化工艺热氧化方法生长SiO2，建立起厚度d和时间t的函数关系。38扩散工艺对硅片进行硼扩散和磷扩散39真空蒸发镀膜工艺使用蒸发镀膜机在硅片镀Al膜，了解抽气原理及热偶规、真空规的真空测量原理；310MOS结构高频C-V特性的测量使用半导体专业最典型参数测量装置高频C-V特性测试系统绘制出MOS结构样品在BT处理前后的C-V曲线，读出并计算出衬底的导电类型、氧化层厚度 Di、硅表面掺杂浓度 Dp等参数。311PN结势垒电容的测量使用半导体专业最典型参数测量装置高频C-V特性测试系统绘制出PN结势垒电容Cr随偏压V的变化曲线，根据绘制的曲线，读出并计算PN结掺杂浓度、PN结势垒高度等参数。312芯片解剖解剖芯片，分析产品并提出一个较为完整的线路图、逻辑图、横向工艺尺寸。313肖特基势垒高度的测量正向电流-电压法测量肖特基势垒高度，绘制lnJ-V曲线并计算出肖特基势垒高度。314四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻315 分立元件反相器设计了解设计集成电路的重要步骤，了解电路参数和线路形式及其各元件参数之间的关系，选取合适的电路形式和元件，设计出合理的电路。316TTL与非门版图设计根据给定的电路原理图划分隔离区，根据设计规则确定各单元尺寸，人工布局布线，进行设计规则检查。317基于PSPICE的电路模拟与仿真测取BJT模型参数。优化提取BJT模型参数的方法。318双极型晶体管参数的测量熟悉DF4810晶体管图示仪的使用方法，运用特性曲线求晶体管参数。319MOS场效应晶体管电参数的测量用DF4810晶体管图示仪测量MOS场效应晶体管电参数。320集成运放参数的测量测试集成运算放大器部分参数，了解集成运算放大器的特点。3申请仪器设备计划统计表申请单位：理学院微电子学专业 金额单位：千元实验室实验题目仪器名称型号规格数量单价金额备注微电子CAD设计与仿真实验室PSPICE电路模拟与仿真台式计算机投影仪激光打印机微机桌椅仿真与教学平台CAI教学课件连网等杂项兼容机EMP-730LJ-100025台1243116283.20. 235155150286.48.635155因厂家型号、配置变化太快，无法具体提供型号、厂家，建议购买大厂产品，以获得完善售后服务配屏幕应配置相应数量微机，但经费不足，考虑到桌椅的一致性，占用经费又较少，所以先配齐。TTL与非门版图设计集成电路工艺原理课程教学微电子专业实验室MOS结构高频C-V特性的测量高频C-V特性测试仪CTG-113535四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻四探针测试仪SZ-8211212集成运放参数测量IC运放参数测试仪BJ3190155申请仪器设备计划统计表申请单位：理学院微电子学专业 额单位：万元序号题目仪器名称型号规格数量单价（万元）金额（万元）1化学清洗和超纯水制备超纯水装置超净工作台超声波清洗机CS-02+CS-ZJHT-403DTL-3001127+1.950.750.4188.950.750.8362硼扩散工艺二管扩散炉系统超净工作台数字温度表L4514-2FJHT-402F-52II11112.50.650.28512.50.650.2853磷扩散工艺二管扩散炉系统数字温度表L4514-2FF-52II1112.50.28512.50.2854光刻工艺光刻机显微镜匀胶机照度计亮度计JKG-2AXBC-1SJT-ALX-102LP-3111115.551.82.70.1250.35.551.82.70.1250.35肖特基势垒高度测量示波器数字万用表恒压恒流电源GOS-6103CEDM-169SPR30-3W1211.050.10.871.050.20.876IC工艺的微电子测试图技术图像金相显微镜计算机4XC-TV2800D112.240.62.240.67P-n结显示与结深的测量透反两用正置金相显微镜计算机BM122800D111.710.61.710.68用椭偏仪测量膜层厚度激光椭圆偏振仪计算机WJZM735S110.80.9490.80.9499MOS结构高频C-V特性的测量虚拟仪器计算机DSO5002800D110.590.60.590.610Pn结势垒电容的测量存储示波器台式万用表直流稳压电源直流稳压电源TDS2014GDM-8245GPR-6030DGPR-3060D12111.640.2650.150.151.640.530.150.1511芯片解剖图像金相显微镜计算机4XC-TV2800D112.240.62.240.612蒸发镀膜电脑涂层测厚仪KCC-3011.451.45微电子CAD实验室开设实验题目及所需设备：序号实验题目仪器名称型号规格性能参数数量单价金额（万元）1PSPICE电路模拟与仿真半导体工艺模拟与仿真（一）半导体工艺模拟与仿真（二）半导体工艺模拟与仿真（三）集成电路工艺原理课程教学计算机外置COMBO光驱打印机打印机无线局域网连接设备液晶显示器碎纸机？华硕超薄双接口hp1010hp301516端口VE710bSD9520不低于以下配置:CPU:P4-2.4GRAM:512MHDD:80G显卡：64M显示器：19纯平100M网卡光驱（COMBO）软驱高精度光电鼠标、键盘耳麦USB+IEEE139416速刻录802.11b17寸20台2111套120.70.20170.2905030.14140.40170.2905030.1415.82345678910实验室利用情况1、 微电子学专业实验室实验题目：（1）化学清洗和超纯水制备（2）用椭偏仪测量薄膜厚度（3）半导体的霍尔效应（4）PN结的显示与结深的测量（5）真空蒸发镀膜工艺（6）芯片解剖（7）肖特基势垒高度的测量（10）四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻（11）双极型晶体管参数的测量（12）MOS场效应晶体管电参数的测量（13）集成运放参数的测量（14）各向异性湿法腐蚀（15）光刻工艺（16）分立元件反相器设计2、 集成电路CAD实验室开设实验：（1）TTL与非门版图设计（2）基于PSPICE的电路模拟与仿真集成电路CAD实验室还承担着集成电路工艺原理、集成电路CAD两门课程的教学工作。目前正在和北京华大电子协商熊猫系统的引进工作，如果资金到位，集成电路CAD实验室将可以开展集成电路设计方面的教学和科研工作。集成电路CAD实验室面向本专业学生全天开放，给学生创造了实践机会，为学生学习微电子软件系统创造了条件。附件5 微电子学专业课程建设规划微电子学专业设两个方向，分别是大规模集成电路和新型半导体器件，专业课共11门，半导体器件物理、半导体光电子学、薄膜物理与技术、微电子学概论、真空物理与技术、半导体集成电路原理与设计、集成电路CAD、集成电路工艺原理（CAI）、半导体光电器件原理、半导体光电材料、半导体光电器件工艺。微电子是一门发展极其迅速技术，知识更新快，专业知识量大，信息丰富，为适应专业发展需要，使学生能更快更多的了解专业发展动向，应尽量多开设多媒体课，同时要提高课程质量，课程建设规划具体如下：到2005年采用多媒体进行教学的课程达到5门，以后每年递增1门，力争到2008年除少数不宜采用多媒体教学的课程外均采用多媒体教学。2006年申报校级优秀课程1门，2007年再申请一门校优课程，力争在4年内申报成功一门省级优秀课程。附件6 近3年发表的学术论文1. 端木庆铎 李野 姜德龙 高延军 富丽晨 田景全. Silicon Micro-channel Array Based on MEMS Process. 2002，SPIE 4928: 237240,收入ISTP: BV65P2. 李野 富丽晨 但唐仁 姜德龙 端木庆铎 田景全. New Type X-Ray Imaging Intensifier. 2002，SPIE4919:421423 收入ISTP,BV55P;收入EI,EI02517276499 3. 田景全 姜德龙 孙秀平 富丽晨 但唐仁 李野 端木庆铎. 新型变密度卤化物/M CP反射式X-射线敏感薄膜的研究 发光学报，2002，23（5）：513-5164. 富丽晨 李野 姜德龙 端木庆铎 田景全. 电子轰击型PSD器件的研究与应用，红外技术，2003(2) 5. 李野，但唐仁，高延军，程轶，姜德龙，田景全. 金属膜UV透过特性对MCP电子增益测量影响的研究. 红外技术， 2002，249（3）：1-36. 端木庆铎，田景全，李野，卢耀华，姜德龙，富丽晨，王桂芬. Imaging detector in near UV. 1998，SPIE3558：168-170， 02年收入EI，EI02417137355， 7. 端木庆铎 李野 姜德龙 牛洁斌 张艳凤 但唐仁 富丽晨 田景全. 以硅为基底的微通道板的研究. 兵工学会全国第三届夜视技术学术交流会. pp179-182,2002.10昆明8. 端木庆铎、姜德龙、李野、卢耀华、富丽晨、田景全。Cr3+在锌尖晶石玻璃陶瓷中的发光特性。中国稀土学报，1998，16：1114-1116,9. 端木庆铎、姚兰芳、姜德龙、李野、卢耀华、富丽晨、田景全。Luminescence of Cr3+ in the Gahnite Glass Ceramics。IEEE press, Infrared and Millimeter waves conference，2000，10. 李野、端木庆铎、王国政、吴奎、但唐仁、姜德龙、富丽晨、田景全。A New Type of Lixiscope and Application In Nondestructive Examination. ISTM/2003-5th International Symposium on Test and Measurement, 2003, 3: 26392641 EI: EI0342767906311. 吴奎、姜德龙、高延军、王国政、李野、端木庆铎、富丽晨、田景全。UV-photoelectric method for testing MCP characteristic parameters and image tube dynamic analogy. ISTM/2003-5th International Symposium on Test and Measurement, 2003,5: 38823884收入收入EI: EI0342767844912. 富丽晨、李野、姜德龙、端木庆铎、田景全。电子轰击型PSD器件的研究与应用。红外技术， Vol.25 No.2 2003.3. 13. 姜德龙，吴奎，王国政，李野，富丽晨，端木庆铎，田景全.基于BCG-MCP的四代微光像增强技术.红外技术，Vol.25 No.6 2003.11.14. 王新，富丽晨，吴奎，王国政，端木庆铎，李野，姜德龙，田景全。微球板电子倍增器基体制备技术研究。发光学报，2003.11. Vol.24 No.615. 吴奎 ，端木庆铎，姜德龙 ，王国政 ，高延军，李野。金属UV光敏薄膜的实验研究. 发光学报，2003.11. Vol.24 No.616. 姜德龙，端木庆铎，李野，王国政，吴奎，富丽晨，田景全. 21世纪微光像增强技术的新热点. 第4届夜视技术年会，2003.11.北海17. 田景全，端木庆铎，李野，姜德龙，王国政，吴奎，富丽晨.21世纪微光像增强技术的新热点无膜微通道板及四代微光像管。新概念武器论文集，中国兵器工业集团公司科技委，2003，10，北京18. 李野，吴奎，姜德龙，王国政，端木庆铎，富丽晨，田景全.低强度X射线影象诊断系统展望，中国激光，2003，30：20520719. 姜德龙，端木庆铎，吴奎. 高性能三代微光器件防离子反馈膜制备技术电性能测试部分GF报告. 2003.1220. 端木庆铎，王国政，姜德龙. 高长径比新型Si-MCP列阵加工技术基础研究高长径比微孔列阵形成及其相应物理问题GF报告. 2003.1221. 但唐仁，田景全，端木庆铎，李野，高延军。一种基于相位信息的低强度X射线影像系统图像去噪方法。电子学报,32(6)，2004.622. 李野，田景全，New development of low-intensity x-ray imaging scope. SPIE,Vol.5630，2004.1123. 王国政，王蓟，端木庆铎，李野，