提职申请报告

2004年5月12日,提职申请报告,软件与微电子学院,XXX,2004年5月12日,个人简历教学工作科研工作社会工作,主要内容,2004年5月12日,简 历,1991. 7 在北京大学计算机系获硕士学位2001. 7 在北京大学计算机系获博士学位1991. 7-至今 ，北京大学软件与微电子学院任教19951996 香港科大，访问学者，显示用IC设计1999. 7-至今，北京大学软件与微电子学院 副教授,2004年5月12日,教学工作,承担的课程,本科生课程2 门，研究生课程 2 门，其中基础课或专业基础课 2 门,1、主讲研究生专业基础课高等半导体器件物理 连续讲授了四年（ 01，02，03，04年）借鉴国外优秀教材，实现了课程更新，由过去的以传统器件为主转变为以当代微电子学中的主流器件为主线，并介绍集成电路进入纳米尺度后的各种新效应、新结构、新器件的课程体系取得了较好效果，并建立了较为完整的课件,2004年5月12日,2、主讲本科生基础课微电子与电路基础 2004年起开始主讲这门新课之前合作讲授微电子学概论 3年（00、02、03）,3、连续5年开设本科生实验课微电子学专业实验自2000年起对微电子学专业实验进行了全面更新，由以前分散的半导体材料和器件测试实验转变为系统的IC设计和测试实验。4、合作开设研究生限选课程纳米半导体器件 已讲授了5年，每次都根据微电子学的发展进行更新,教学工作,2004年5月12日,指导硕士研究生4名，2003年7月毕业1名 （陈松涛）协助韩汝琦教授指导博士研究生5名合作出版教材/讲义3本，其中微电子学概论，张兴、黄如、刘晓彦 ， 2002年全国普通高等学校优秀教材二等奖,教学工作,2004年5月12日,科研工作,小尺寸半导体器件模拟蒙特卡罗器件模拟流体动力学器件模拟超深亚微米MOSFET器件模型新型器件结构,主要研究领域,2004年5月12日,小尺寸半导体器件模拟,作为负责人建立了包括全能带半导体器件蒙特卡罗模拟软件和全流体动力学器件模拟软件的半导体器件模拟平台。包括了一系列的创新性成果：提出了电子隧穿势垒的蒙特卡罗模拟方法；首次提出了基于量子波尔兹曼方程的MC模拟方法，实现了多维量子效应的MC模拟；在流体动力学器件模拟中提出双量子效应修正方法为半导体器件的研究和设计提供了先进的CAD工具。成为国内唯一同时拥有这两种自主知识产权软件的单位，并受到了国际同行的关注。大大提升了北京大学在半导体器件模拟领域的水平和知名度。,2004年5月12日,小尺寸半导体器件模拟,全能带蒙特卡罗半导体器件模拟软件已推广到中科院微电子中心使用，并完成了国防科技预研项目“深亚微米纳米器件物理研究”的器件模拟部分，并通过鉴定，鉴定委员会认为：“该软件为深亚微米/纳米半导体器件的设计提供了强有力的分析工具。该工作有所创新，并已进入该研究领域的国际先进水平。”该软件已在973和自然基金项目中应用，并被富士通和三星公司采用。全流体动力学半导体器件模拟软件该软件已在973项目、自然基金和富士通项目中应用。通过验收。,2004年5月12日,超深亚微米MOSFET器件模型,提出了一系列深亚微米MOSFET量子效应的模型并建立了与BSIM3兼容的整套器件模型相关论文在国际学术会议上宣读获奖,在国际刊物发表并被他人引用，完成了国防科技预研项目“深亚微米纳米器件物理研究”的器件模型部分的工作，并通过鉴定，鉴定委员会认为：“所开发的这整套器件模型，可为MOSFET的设计和优化提供基础”。完成了 2项863项目，通过了验收。提出了新结构器件模型首次提出可描述高K栅介质MOSFET的器件模型。相关论文在IEEE Electron Device Letter 上发表。作为负责人，开发了通用的半导体器件特性参数及模型参数提取软件包集成电路工艺和集成电路设计之间的桥梁作用。通过了863项目的验收 。,2004年5月12日,新型器件结构,新器件结构的研究及优化设计提出了基于积累模式的n沟 SBTT提出了SOI SBTT、双栅 SBTT,亚100nm SOI 肖特基势垒隧道晶体管的制备,设计了栅长为100nm60nm的新型n沟SOI SBTT利用我们提出的新型微细加工技术制备成功了70nm的n沟SOI SBTT，在Electronic Letter 上发表 。,2004年5月12日,主持国家级项目 4 项，总经费 378 万元，到校经费总额 144.6 万元。参加国家级项目 1 项，省部级项目 3 项，到校经费总额 216.5 万元 。主持其他项目 3项，到校经费总额 8.02万美元,承担的科研项目,科研工作,2004年5月12日,主持的国家级科研项目,目前承担的国家级项目973项目：适于2050纳米的器件模型、仿真及模拟软件基础研究； 2000.5-2005.5, 300万；课题负责人（北大：刘晓彦；清华：余志平）国家自然科学基金重大研究计划项目：双栅肖特基隧道晶体管（30万元）；2004.12006.12, 课题负责人完成的国家级项目国家八六三计划预启动项目：超深亚微米设计关键技术， 2001.3-2001.8, 课题负责人，17万，通过验收国家八六三计划项目：VDSM器件与互连线建模关键技术研究 2002.9-2003.12, 课题负责人，36万，通过验收,2004年5月12日,主持的其它科研项目,三星公司：Device modeling and simulation for nano-scale non- planar MOSFETs，2003.82004.7, 负责人，10.02万美元,目前承担的项目,富士通公司：Device simulation for SBTT，2000.72001.6，负责人之一（韩汝琦），4万美元富士通公司：Semiconductor device simulation， 2000.72001.6，负责人之一（韩汝琦），4万美元,已经完成的项目,2004年5月12日,参加的科研项目,国防科技预研项目深亚微米/纳米硅器件及其物理研究1996.01-2000.12 ， 器件模型和模拟， 150万元，通过验收教育部科学技术研究重点项目突破微电子器件物理限制若干关键问题的研究 1998.12-1999.12，子课题负责人，15万元，通过验收国防科技预研基金项目：深亚微米半导体器件的蒙特卡罗模拟 1999.92001.9, 项目负责人之一，7.5万元，评议为优,目前参加的科研项目,国家八六三计划项目：0.09umCMOS集成电路大生产工艺与可制造性 ，负责器件模型建立，2003.62005.10,已经完成的项目,2004年5月12日,科研工作,合作出版译著1部，著作1部，教材1部在国内外学术刊物和重要学术会议上发表论文30余篇。被SCI收录13篇，EI收录18篇，被ISTP收录8篇。2篇论文被他人引用3次SCI/EI 收录 第一作者4篇，第二作者8篇作为第一撰稿人完成GF报告2篇，863项目验收报告2篇。,主要论著,2004年5月12日,论（译）著：S.Sze主编，刘晓彦、贾霖、康晋锋译当代半导体器件物理” （译著），科学出版社，2001年6月，全书共八章，本人翻译了其中的第三、五、八章并负责全书的初审和统稿张兴、黄如、刘晓彦微电子学概论，北京大学出版社，1999年9月，全书共九章，本人编写了第二章半导体物理及半导体器件物理基础和第三章集成电路基础。该书获2002年全国普通高等学校优秀教材二等奖。2003年又完成了该书第二版的修改工作。甘学温,黄如,刘晓彦,张兴 纳米CMOS器件， 科学出版社， 2003年8月，全书共六章，本人编写了第四章纳米CMOS器件中的栅工程。,讲义：1、刘晓彦 韩德栋微电子学专业实验，校内讲义 2002年7月，2003年7月修改,主要论著,论文：Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang, Ruqi Han, Direct Tunneling Current Model for MOS Devices with Ultra-thin Gate Oxide Including Quantization Effect and Polysilicon Depletion Effect, Solid State Communication，Vol 125, n 3-4, January, 2003, p 219-223，被SCI、EI收录 （引用因子1.671）Liu Xiaoyan, KANG Jinfeng, HAN Ruqi, Gate Current for MOSFETs with High K Dielectric Materials, Chinese J. Semiconductor Vol 23, n 10, October, 2002, p 1009-1013，被EI收录Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang; Lei Sun, Ruqi Han. Threshold Voltage Model for MOSFETs with High-K Gate Dielectrics IEEE Electron Device Lett. Vol.23, No.8, 2002,270,被SCI、EI收录 (引用因子2.619）Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang, Ruqi Han, The Influence of Tunneling Effect and Inversion Layer Quantization Effect on Threshold Voltage of Deep Submicron MOSFET Solid State Electronics, 44(2000), pp1435-1439，被SCI、EI收录，被Hou YT, Li MF，IEEE T ELECTRON DEV 48 (12): 2893-2898 DEC 2001引用 (引用因子0.913)Xiaoyan Liu; Shuzuo Lou; Zhiliang Xia; Dechao Guo; Huiwen Zhu; Jinfeng Kang; Ruqi Han, Characteristics of different structure sub-100nm MOSFETs with high-k gate dielectrics, 2001. 6th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, Volume: 1 , 2001 333 336，被ISTP收录Xiaoyan Liu; Kui Luo; Gang Du; Lei Sun; Jinfeng Kang; Ruqi Han, N channel SOI Schottky barrier tunneling transistors. 6th International Conference on ICSICT, Volume: 1 , 2001 Page(s): 562 565，被ISTP收录,经验收的研究报告：刘晓彦 韩汝琦 中国国防科学技术报告深亚微米纳米硅器件及其物理2000年10月，撰写人，已通过验收刘晓彦 韩汝琦中国国防科学技术报告深亚微米半导体器件的蒙特卡罗模拟2001年10月，撰写人，已通过验收刘晓彦 国家八六三计划项目验收自评估报告SOC设计关键技术和制造关键技术研究2001年8月, 撰写人，已通过验收刘晓彦 国家高技术研究发展计划(863计划)中期评估报告VDSM器件与互连线建模关键技术研究2003年3月, 撰写人，已通过验收,2004年5月12日,社会工作,微电子学系副主任，分管教学工作ULSI科学与技术研究所副所长新器件研究室副主任微电子学专业教学实验室主任参加北京大学创建世界一流大学工程学科建设 子项目：微电子测试分析教学实验室的建设，在实验室的发展方向、水平、管理、具体布置、测试设备选购和安装调试等方面做了大量工作。 担任国家自然科学基金委重大研究计划“半导体集成化芯片系统基础研究”专家组秘书，参与了该重大计划的申请、研究指南的编写及项目评审等的工作。,承担了4门课程，2门基础课，1门实验课，1门一般课指导硕士研究生4名，2003年7月毕业1名合作出版译