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文档简介

A,1,内容,一个典型的IC制作工艺简介晶片制备光刻淀积掺杂键合刻蚀,A,2,键合,A,3,键合,A,4,键合工艺,键合：静电键合、热键合、“复合”键合,键合的目的是通过外界作用将多个基片“粘接”,不同的键合方式，键合原理不同,A,5,静电键合,静电键合：Wallis和Pomerantz于1969年提出，静电键合可把金属、合金、半导体与玻璃键合,原理：硼硅玻璃、磷硅玻璃在一定温度下软化，行为类似电解质，外加电压下，正离子（Na）向阴极漂移，在阳极形成空间电荷区，外加电压落于空间电荷区，漂移停止如硅接阳极，玻璃接阴极，硅玻璃接触，在界面形成的负空间电荷区与硅发生化学反应，形成化学键Si-O-Si，完成键合可通过检测电流监测键合是否完成,A,6,工艺及工艺参数的影响,温度：低温：没有导电电流，键合无法进行高温：玻璃软化，无法键合一般：180500度,电压：低压；静电力减弱，无法键合高压：击穿玻璃一般：2001000伏,静电键合,A,7,键合产生的应力：热膨胀系数相近、热匹配电极形状：点接触、平行板电极非导电绝缘层的影响；减弱静电力，460nm后，键合失效表面粗糙度的影响极化区中残余电荷的作用；键合完成后在极化区内残余的电荷形成静电力，加强键合,静电键合,A,8,例子,A,9,键合工艺,热键合：高温处理后，硅片直接键合在一起。Lasky提出硅直接键合（SDB）硅熔融键合（SFB）直接样品键合（DWB）,工艺：表面处理表面帖合高温处理,对键合面要求：平整度：无凸起粗糙度：Ra0.6nm清洁度：无沾污,A,10,原理：三个阶段,室温200度：表面吸附的OH根在接触区产生氢键，随温度增高，OH根得到热能增大迁移率，氢键增多，硅片产生弹性形变，键合强度增加。在200400度间，形成氢键的两硅片的硅醇键聚合反应，产生水合硅氢键，键合强度迅速增大Si-OH+HO-SiSi-O-Si+H2O500800度：水基本不扩散，OH根破坏桥接氧原子的一个键，使之转换为非桥接氧原子，使键合面带负电荷HOH+Si-O-Si2H+2Si-O-800度以上：水扩散显著，间隙和空洞中的水扩散到氧化硅中，产生局部真空空洞，硅片发生塑性形变消除空洞。SiO2产生粘滞流动，消除微间隙。大于1000度后，临近原子相互反应产生共价键，键合完成,A,11,工艺及参数影响,表面处理的作用：吸附OH根很关键NH4OH、H2SO4、等离子体处理温度的影响；与温度有关的孔洞；沾污碳氢化合物随温度生高（200800度）释放产生孔洞，大于1100高温退火或先800度退火处理可消除键合强度：随温度生高增加界面氧化层的稳定：三种机制解释表面平整度：沾污粒子：1微米粒子产生4.2mm孔洞,足够清洗、超净环境、平整表面、高温处理、,低温键合：在小于500度下完成键合,A,12,复合键合,“复合”键合,原理利用中间层之间的反应完成键合,带硅化物的键合：NiSi，PtSi，TiSi2等金硅键合：利用金硅互熔点低的特点（400度左右
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