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第5章 放大电路基础题目部分: (04 分)16.射极输出电路如右下图所示,分析在下列情况中对输出电压幅度的影响,选择A、B、C填空。1保持不变,将断开,这时将_; 2保持不变,将断开,这时将_。 (A明显增大, B明显.减小, C变化不大) (15题图) (16题图)(04 分)17.射极输出电路如图所示,分析在下列情况中对输出电压幅度的影响,选择A、B、C填空。1保持不变,将减小一半,这时将_; 2保持不变,将减小一半,这时将_。 (A明显增大, B明显.减小, C变化不大)五、解答题(52小题,共537.0分) (10 分)1.放大电路及晶体管输出特性如图所示。按下述不同条件估算静态电流IBQ(可视)并用图解法确定静态工作点Q(标出各Q点位置和确定ICQ、UCEQ的值)。1VCC12V,600, 3,求Q1;2VCC6V, 300, 1,求Q2;3VCC6V, 开路, 2,求Q3;4VCC12V,750, 0,求Q4。(10 分)2.放大电路及相应的晶体管输出特性如图所示。设UBEQ0.7V,UCES0.5V,电容容量足够大。1根据晶体管输出特性确定晶体管的 值;2求出静态电流IBQ的值,并用图解法确定ICQ和UCEQ的值;3图解确定此时该电路的最大不失真输出电压幅值。(10 分)3.已知左下图示放大电路的静态工作点正常,场效应管跨导1mS,可视为无穷大,电容的容抗可忽略不计。1画出微变等效电路图;2计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。 (10 分)4.已知右上图示放大电路的静态工作点正常,场效应管跨导2mS,可视为无穷大,电容的容抗可忽略不计。1画出微变等效电路图;2计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。(11 分)5.某硅晶体管的输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及其直流、交流负载线如图所示。由此求解:1电源电压VCC,静态电流ICQ,静态电压UCEQ;2电路参数、;3该电路在此条件下最大不失真输出电压幅值Uom。4为了获得更大的不失真输出电压,应增大还是减小?(15 分)6.已知左下图示电路中晶体管的120,UBEQ0.7V。1求电路静态时的、;2画出简化h参数交流等效电路图;3求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。 (15 分)7.已知右上图示电路中晶体管的80,UBEQ0.7V。1求电路静态电流、和集电极对地静态电压;2画出简化h参数交流等效电路图;3求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。(15 分)8.已知左下图示电路中晶体管的100,200,UBEQ0.7V,要求静态时集电极对地电压0V。1估算电路静态电流、和的值;2画出简化h参数交流等效电路图;3求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。 (10 分)9.已知右上图示电路中晶体管的60,200,UBEQ0.7V,电容的容量足够大,对交流信号可视为短路。1要求电路静态1.3mA,5.9V,估算、的值;2求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。(10 分)10.已知左下图示电路中晶体管的110,140,UBEQ0.7V;要求静态时1mA,5.1V;各电容的容量足够大,对交流信号可视为短路。1估算、的值;2求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。 (12 分)11.已知图示放大电路中晶体管的100,3k,UBEQ0.7V;要求静态时1mA,4V;电容C2上静态电压UC2Q6V。1估算、的值;2设各电容的容量足够大,对交流信号可视为短路,。求电路的放大倍数、输入电阻、输出电阻。(12 分)12.已知左下图示放大电路中晶体管的50,1k,UBEQ0.7V;要求静态时2mA,发射极、集电极的对地静态电压分别为1V,4V。1估算、的值;2设各电容的容量足够大,对交流信号可视为短路,。求电路的放大倍数、输入电阻、输出电阻。 (04 分)13.放大电路如右上图所示,晶体管的饱和压降可忽略不计。调节,以得到尽可能大的不失真输出电压。试问这时的约等于多少?如果在此条件下,在输出端加一个负载电阻,试问这时的最大不失真输出电压增大了还是减小了?如果逐渐增大输入电压幅度,将首先出现饱和失真还是截止失真?(04 分)14.放大电路如左下图所示,调节以得到尽可能大的不失真输出电压。在不改变的条件下断开负载电阻,试问这时最大不失真输出电压增大了还是减小了?如果逐渐加大输入电压幅度,将首先出现饱和失真还是截止失真? (10 分)15.放大电路如右上图所示,晶体管的 100,UBEQ0.7V,0.5V。1估算静态电压和静态电流;2如果逐渐增大正弦输入信号幅度,输出电压首先出现顶部失真还是底部失真?3为了获得尽量大的不失真输出电压,应增大还是减小?(10 分)16.放大电路如左下图所示,晶体管的 50,0.7V,0.6V。电容的容抗可忽略不计。1为了获得尽量大的输出电压幅度,应取多大?2在上述条件下,最大不失真输出电压有效值为多少?3当输出端加接一个3k的负载电阻后,最大不失真输出电压有何变化(增大、减小、不变)?当输入信号逐渐增大,首先出现饱和失真还是截止失真? (10 分)17.在右上图示的放大电路中,晶体管的 110,0.7V,0.6V,电容的容抗可忽略不计。调整使放大电路最大不失真输出电压尽可能大。1估算这时的静态工作点、;和最大不失真输出电压有效值;2当输出端加接一4.7k的负载电阻后,最大不失真输出电压是增大了还是减小了?3为了在接负载后仍有较大的不失真输出电压,应如何调整(增大、减小、不变)?(10 分)18.已知左下图示电路中晶体管的0.7V,0.3V。1,各电容的容量足够大。要求电路静态电流2.5mA。1估算的值;2当正弦输入电压逐渐增大时 ,输出电压波形的正向还是负向首先出现削平失真? (10 分)19.已知右上图示电路中晶体管的0.7V,0.5V。1,各电容的容量足够大。要求电路静态电压4V。1估算的值;2当逐渐增大正弦输入电压时,输出电压波形首先出现饱和失真还是截止失真?(08 分)20.放大电路如左下图所示,当输入正弦信号电压时,输出电压波形出现了顶部削平失真。试问:1这是饱和失真还是截止失真?2为减小失真,应增大还是减小?3调整后,电压放大倍数将增大还是减小? (08 分)21.放大电路如右上图所示,当输入正弦信号电压时,输出电压波形出现了底部削平失真。试问:1这是饱和失真还是截止失真?2为减小失真,应增大还是减小?3调整后,电压放大倍数将增大还是减小?(12 分)22.左下图示电路中晶体管的 60,0.7V,输入电压产生的正弦基极电流幅值20。1为了不至于接近截止区,希望静态基极电流比 大5,试问静态电流应取多大?此时等于多少?2估算值。3如把由3.9k改为6.8k,其它条件不变,电压放大倍数是否可以增大? (12 分)23.右上图示电路中晶体管的 100,0.7V,输入电压产生的正弦基极电流幅值12。1为了不至于接近饱和区,希望静态基极电流比 大3,试问静态电流应取多大?此时等于多少?2估算的值?3如果把从5.1k改为10k,其它条件不变,电压放大倍数是否可能增大?(14 分)24.已知左下图示电路中晶体管的 60,200,UBEQ0.7V,0.5V;各电容的容量足够大,对交流信号可视为短路。1估算静态工作点、UCEQ;2估算电压放大倍数;3在图示电路参数条件下,最大不失真输出电压幅值为多大?4增大输入电压幅度直至输出电压临界不失真,然后保持输入电压幅度不变,逐渐增大,输出电压将会出现什么失真(饱和、截止)? (14 分)25.已知右上图示电路中晶体管的 120,300,0.7V,0.4V;各电容的容量足够大,对交流信号可视为短路。1估算电路静态时的、UCEQ;2估算电压放大倍数;3在图示电路参数条件下,最大不失真输出电压正弦有效值为多大?4为了获得更大的不失真输出电压,Rb2应增大还是减小?(12 分)26.已知左下图示放大电路中晶体管 150,0.6V,0.3V。1估算晶体管各极对地静态电压、;2当C2发生短路故障,重新估算、的值。 (10 分)27.已知右上图示放大电路中晶体管 120,0.7V,0.3V。1估算晶体管各极对地静态电压、;2当发生短路故障,重新估算、的值。(10 分)28.已知左下图示放大电路中晶体管 110,0.7V,0.3V。1估算晶体管各极对地静态电压、;2当C1发生短路故障,重新估算、的值。 (12 分)29.能够正常工作的放大电路如右上图所示,晶体管的 100,0.7V。现用内阻为 20k/V的万用表的直流电压5V档测量基极和发射极对地电压和。1的测量值约为多少?2的测量值是大于?还是小于?或是相等?简要说明理由。3为了减小的测量误差,以下哪一种方法最好?A用50V档测;B用5V档测和UBE然后计算UBE;C用电流档测上的电流,然后计算。(20 分)30.在左下图示放大电路中晶体管的 100,0.7V,0.6V。1估算电路静态时的、;2保持、不变,增大到多大时,晶体管进入饱和状态?3保持、不变,为使管子饱和,晶体管的 至少应为多大?(06 分)31.已知右上图示电路中晶体管的 50,0.7V,0.3V,电容的容量足够大,对交流信号可视为短路。1估算C1、C2上的电压值;2若晶体管的 改为100。其它参数不变,则C1和C2上的电压又各等于多少?(08 分)32.已知图示电路中晶体管的 110,0.7V,0.2V。电容的容量足够大,对交流信号可视为短路。1估算C1、C2、上的电压值;2改为2,其它参数不变,各电容上的电压又各等于多少?(10 分)33.已知图示的三个放大电路中的晶体管参数完全相同,静态电流也都调整得相同,各电容都足够大,对交流信号可视为短路。试问在三个电路中,1电压放大倍数哪一个最大?哪一个最小?2的温度稳定性哪一个最好?哪一个最差?(05 分)34.在图示两个放大电路中为热敏电阻,用来抑制晶体管静态工作点的温度漂移的。试说明这两个电路中的分别具有正温度系数还是负温度系数?(08 分)35.已知图(a)所示的放大电路中晶体管的输入特性如图(b)所示, 100,饱和电压可忽略不计。画出该放大电路的电压传输特性曲线(即关系曲线),要标明转折点坐标值。(10 分)36.射极输出电路和晶体管输出特性如图所示,设0.6V,电容对交流信号可视为短路。1画出直流负载线和交流负载线,确定静态工作点、;2当逐渐增大正弦输入电压幅度时,首先出现饱和失真还是截止失真?3为了获得尽量大的不失真输出电压,应增大还是减小?(10 分)37.射极输出电路和晶体管输出特性如图所示,设0.6V,电容的容抗可忽略不计。1画出直流负载线和交流负载线,确定静态工作点、;2当逐渐增大正弦输入电压幅度时,输出电压首先出现顶部失真还是底部失真?3为了获得尽量大的正弦电压跟随范围,应增大还是减小?(10 分)38.某硅晶体管的输出特性曲线和该晶体管组成的共集电路及其直流、交流负载线如图所示。1确定电源电压、静态电流、静态电压;2估算、的值,(设0.7V) ;3确定在以上条件下最大不失真输出电压幅值(输入为正弦电压)。(10 分)39.某硅晶体管输出特性和用该管组成的射极输出电路及其交、直流负载线如图所示。由此求解:1电源电压、静态电流、发射极对地静态电压;2电阻、的值,3在上述条件下最大正弦电压跟随幅度。(08 分)40.放大电路如左下图所示,当输入正弦信号电压时,输出电压波形出现了顶部削平失真。试问:1这是饱和失真还是截止失真?2为减小失真,应增大还是减小?3调整后,电压放大倍数将增大还是减小? (08 分)41.放大电路如右上图所示,当输入正弦信号电压时,输出电压波形出现了底部削平失真。试问:1这是饱和失真还是截止失真?2为减小失真,应增大还是减小?3调整后,电压放大倍数将增大还是减小?(14 分)42.已知左下图示电路中晶体管的 60,200,UBEQ0.7V,0.5V;各电容的容量足够大,对交流信号可视为短路。1估算静态工作点、UCEQ;2估算电压放大倍数;3在图示电路参数条件下,最大不失真输出电压幅值为多大?4增大输入电压幅度直至输出电压临界不失真,然后保持输入电压幅度不变,逐渐增大,输出电压将会出现什么失真(饱和、截止)? (14 分)43.已知右上图示电路中晶体管的 120,300,0.7V,0.4V;各电容的容量足够大,对交流信号可视为短路。1估算电路静态时的、UCEQ;2估算电压放大倍数;3在图示电路参数条件下,最大不失真输出电压正弦有效值为多大?4为了获得更大的不失真输出电压,Rb2应增大还是减小?(12 分)44.已知左下图示放大电路中晶体管 150,0.6V,0.3V。1估算晶体管各极对地静态电压、;2当C2发生短路故障,重新估算、的值。 (10 分)45.已知右上图示放大电路中晶体管 120,0.7V,0.3V。1估算晶体管各极对地静态电压、;2当发生短路故障,重新估算、的值。(10 分)46.已知图示放大电路中晶体管 110,0.7V,0.3V。1估算晶体管各极对地静态电压、;2当C1发生短路故障,重新估算、的值。(10 分)47.已知图示的三个放大电路中的晶体管参数完全相同,静态电流也都调整得相同,各电容都足够大,对交流信号可视为短路。试问在三个电路中,1电压放大倍数哪一个最大?哪一个最小?2的温度稳定性哪一个最好?哪一个最差?(10 分)48.射极输出电路和所用晶体管的输出特性以及直流负载线和静态工作点Q如图所示。1确定、的值,(设,0.6V)2画出交流负载线(要标明关键点的坐标值)3当输入正弦信号时,最大不失真输出电压幅值等于多少?(08 分)49.已知左下图示电路中晶体管的 100,可忽略不计,电容足够大,对交流信号可视为短路。1调整使1mA,求此时输出电阻;2重新调整,使2mA,此时输出电阻将发生什么变化(约增大一倍,约为原来的1/2,基本不变)?(08 分)50.已知右上图示电路中 50,可忽略不计,电容足够大,对交流信号可视为短路。1调整使2mA,求此时输出电阻;2改用 100的晶体管,同时调整,保持2mA不变,此时输出电阻将发生什么变化(约增大一倍,约减小到原来的1/2,基本不变)?(06 分)51.试证明左下图示共集电路的输出电阻大致与静态电流成反比。(设晶体管的可忽略不计,在mA级范围)(12 分)52.已知右上图示电路中晶体管的 50,0.7V,100,各电容足够大,对交流信号可视为短路。1求静态工作点、;2求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻 (12 分)53.已知图示电路中晶体管的 120,0.7V,300,各电容的容抗可忽略不计。1求静态电流、和发射极对地静态电压;2求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。(左下图)(12 分)54.已知图示电路中晶体管的 100,200,各电容的容抗可忽略不计。1求静态工作点、;2求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。(右上图)(18 分)55.已知图示电路中晶体管的 80,0.7V,300,各电容的容抗可忽略不计。1求静态工作点、;2求电压放大倍数和以及输入电阻和输出电阻。(左下图)(18 分)56.已知图示电路中晶体管的 120,0.6V,200,各电容的容抗可忽略不计。1求静态电流和发射极对地静态电压;2求电压放大倍数和及输入电阻和输出电阻。(右上图)(14 分)57.已知图示电路中晶体管 100,200,电容的容抗可忽略不计。1判断该电路是共射、共集、还是共基接法?2估算该电路的静态电流,发射极对地静态电位;3当=100mV时,等于多少?4求该电路的输入电阻和输出电阻。(左下图)(14 分)58.已知图示电路中晶体管的 120,300,电容的容抗可忽略不计。1估算静态电流和发射极对地静态电位;2画出简化h参数等效电路图;3求该电路电压放大倍数、输入电阻和输出电阻(08 分)59.已知图示电路中晶体管的1,电容足够大,对交流信号可视为短路。1写出电压放大倍数和表达式;2如何选择参数使。(右上图)(08 分)60.已知图示电路中晶体管的 100,可忽略不计,电容足够大,对交流信号可视为短路。1调整使1mA,求此时输出电阻;2重新调整,使2mA,此时输出电阻将发生什么变化(约增大一倍,约为原来的1/2,基本不变)?(左下图)(08 分)61.已知图示电路中 50,可忽略不计,电容足够大,对交流信号可视为短路。1调整使2mA,求此时输出电阻;2改用 100的晶体管,同时调整,保持2mA不变,此时输出电阻将发生什么变化(约增大一倍,约减小到原来的1/2,基本不变)?(右上图)(12 分)62.已知图示电路中晶体管的 50,0.7V,100,各电容足够大,对交流信号可视为短路。1求静态工作点、;2求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻(左下图)(12 分)63.已知图示电路中晶体管的 120,0.7V,300,各电容的容抗可忽略不计。1求静态电流、和发射极对地静态电压;2求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。(右上图)(18 分)64.已知图示电路中晶体管的 80,0.7V,300,各电容的容抗可忽略不计。1求静态工作点、;2求电压放大倍数和以及输入电阻和输出电阻。(左下图)(08 分)65.已知图示电路中晶体管的1,电容足够大,对交流信号可视为短路。1写出电压放大倍数和表达式;2如何选择参数使。(右上图)(10 分)66.在图示电路中晶体管的 100,0.7V,0.5V,1估算静态工作点、;2如果逐渐增大正弦输入信号电压幅度,输出电压首先出现顶部削平失真还是底部削平失真?3为了获得尽量大的不失真输出电压幅度,应增大还是减小?(左下图)(10 分)67.在图示电路中晶体管的 50,0.6V,0.3V,1估算静态电流、和发射极对地静态电压;2在此条件下,最大不失真输出电压幅度为多少?3为了获得更大的不失真输出电压幅度,应增大还是减小?(右上图)(12 分)68.已知图示放大电路的静态工作点正常,场效应管跨导3mS,可视为无穷大,电容的容抗可忽略不计。1画出微变等效电路图;2计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。(左下图)(12 分)69.图示电路中场效应管的转移特性可表达为:其中 5mA,3V,各电容都足够大,对交流信号可视为短路。1求静态工作点、;2画出微变等效电路图;3求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。(右上图)(12 分)70.图示电路中场效应管的转移特性可表达为:其中 6mA,4V。1求静态工作点、;2画出微变等效电路图;3求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。(左下图) (12 分)71.图示电路中场效应管的转移特性可表达为:其中 4mA,2V,电容的容量足够大,对交流信号可视为短路。1求静态工作点、;2画出微变等效电路图;3求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。(右上图)(18 分)72.图示电路中场效应管的转移特性可表达为:其中 6mA,2V,各电容的容量都足够大,对交流信号可视为短路。1求静态工作点,;2画出微变等效电路图;3求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。(左下图) (18 分)73.图示电路中场效应管的转移特性可表达为:其中 2V,3mA,电容的容量均足够大。1求静态工作点、;2画出微变等效电路图;3求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。(右上图)(18 分)74.图示电路中场效应管的转移特性可表达为:,其中5mA,2V,各电容的容抗可忽略不计。1求静态工作点、;2画出微变等效电路图;3求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。(左下图) (15 分)75.图示电路中场效应管的转移特性可表达为:,其中 6mA,2V,并已知电路静态的1mA,5V。1、应取多大?2电压放大倍数、输入电阻、输出电阻各等于多大(电容的容抗可忽略不计)?(右上图)(15 分)76.图示电路中场效应管的转移特性可表达为:,其中5mA,2V,并已知电路静态时1.5mA,6.5V。1和应取多大?2求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻(电容的容抗忽略不计)。(左下图) (15 分)77.图示电路中场效应管的转移特性可表达为:,其中3mA,2V,并已知电路静态时1mA,4V。1、应取多大?2求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻(电容的容抗忽略不计)。(右上图)(15 分)78.图示电路中场效应管的转移特性可表达为:,其中 4mA,2V,并已知源极静态电流2mA,源极静态电位4.5V。 1和应取多大?2求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻(电容的容抗可忽略不计)。(左下图) (10 分)79.已知图示电路中场效应管的跨导3mS,电容足够大,对交流信号可视为短路。1求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻;2若开路,则变为多大?(右上图)(10 分)80.设图示电路中场效应管的跨导为已知,输出电阻可视为无穷大,各电容对交流信号可视为短路。1画出微变等效电路图;2写出电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的表达式。(左下图) (12 分)81.图示电路中场效应管的转移特性可表达为:,其中3mA,2V。1求静态工作点,;2当CS开路时,静态工作点、电压放大倍数将发生什么变化(增大、减小)?3当CS短路时,上述情况又如何变化?(右上图)(12 分)82.已知图(a)、图(b)两个电路中晶体管参数相同: 100,2k,电容的容抗可忽略不计。1求每个电路的电压放大倍数和输出电阻;2两个电路分别接上大小相同的输入电压和负载电阻(500mV,3k),分别求各电路的输出电压;3说明哪个电路带负载能力强?(12 分)83.已知图(a)、图(b)两个电路中晶体管参数相同:50,1k,电容的容抗可忽略不计。 1求每个电路的电压放大倍数和输出电阻;2两个电路分别接上大小相同的输入电压(300mV)和负载电阻(500),分别求各电路的输出电压;3说明哪个电路带负载能力强?(06 分)84.已知图(a)和图(b)电路中场效应管的跨导均为2mS,各电容的容量足够大。分别估算各电路的电压放大倍数。(06 分)85.已知图(a)和图(b)电路中场效应管的跨导均为3mS,各电容的容量都足够大。分别估算各电路的输出电阻的值。(15 分)86.已知图示两个电路中的场效应管的跨导均为=5mS,电容对交流信号可视为短路。1分别求每个电路的电压放大倍数和输出电阻;2两个电路分别接上相同的输入电压(500mV)和相同的负载电阻(3k)后,分别求两个电路的输出电压的值;3说明哪个电路带负载能力强。(08 分)87.已知图示电路中场效应管的跨导5mS,双极型晶体管的50,1.5k,各电容对交流信号可视为短路。分别求各电路的电压放大倍数。(08 分)88.已知图示电路中场效应管的跨导2mS,双极型管的100,3k,各电容对交流信号可视为短路。分别求各电路的输入电阻。(12 分)89.已知图(a)、图(b)两个电路中晶体管参数相同: 100,2k,电容的容抗可忽略不计。 1求每个电路的电压放大倍数和输出电阻;2两个电路分别接上大小相同的输入电压和负载电阻(500mV,3k),分别求各电路的输出电压;3说明哪个电路带负载能力强?(12 分)90.已知图(a)、图(b)两个电路中晶体管参数相同:50,1k,电容的容抗可忽略不计。1求每个电路的电压放大倍数和输出电阻;2两个电路分别接上大小相同的输入电压(300mV)和负载电阻(500),分别求各电路的输出电压;3说明哪个电路带负载能力强?(06 分)91.已知图(a)和图(b)电路中场效应管的跨导均为2mS,各电容的容量足够大。分别估算各电路的电压放大倍数。(06 分)92.已知图(a)和图(b)电路中场效应管的跨导均为3mS,各电容的容量都足够大。分别估算各电路的输出电阻的值。(15 分)93.图示两个电路中的场效应管跨导均为=5mS,电容对交流信号可视为短路。1分别求每个电路的电压放大倍数和输出电阻;2两个电路分别接上相同的输入电压(500mV)和相同的负载电阻(3k)后,分别求两个电路的输出电压的值;3说明哪个电路带负载能力强。(08 分)94.已知图示电路中场效应管的跨导5mS,双极型晶体管的50,1.5k,各电容对交流信号可视为短路。分别求各电路的电压放大倍数。(08 分)95.已知图示电路中场效应管的跨导2mS,双极型管的100,3k,各电容对交流信号可视为短路。分别求各电路的输入电阻。(08 分)96.已知图示电路中场效应管的跨导2mS,双极型管的100,3k,各电容对交流信号可视为短路。分别求各电路的输出电阻。(05 分)97.将图示的共射放大电路改成结型N沟道场效应管组成的共源放大电路,要求不改变电源电压和电阻、电容元件的数量。(左下图) (05 分)98.将图示的共源放大电路改为采用双极型管的共射放大电路,要求不改变电源电压和电阻、电容元件的数量。(右上图)(15 分)99.某硅晶体管的输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及其交流负载线、静态工作点Q如图所示。1画出直流负载线;2该电路的电源电压为多少伏?Rb1应取多大(设UBEQ0.7V)?3在给定的静态工作点下,最大不失真输出电压幅值是多少?4为获得更大的不失真输出电压,Rb1应增大还是减小?(15 分)100.某硅晶体管输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及其交流负载线、静态工作点Q如图所示。1画出直流负载线;2该电路的电源电压为多大?Rb2应取多大(设UBEQ0.7V)?3在给定的Q点下,最大不失真输出电压幅值是多少(设)?4为获得尽可能大的不失真输出电压,Rb2应增大还是减小?(16 分)101.在图示放大电路中晶体管的 100,100,0.7V,0.5V;各电容对交流信号可视为短路。1为了获得尽可能大的不失真输出电压幅度,Rb1应为多大?2在上述条件下,电压放大倍数()有多大?(左下图) (12 分)102.要求图示电路的不失真输出电压幅值不小于3V,并且,为了不至于产生饱和失真,要求的最小值不小于0.5V,为了不至于产生截止失真,要求的最小值不小于0.1mA。试为该电路确定电源电压VCC的值(在满足上述条件基础上,应尽量降低电源的功耗)。(右上图)(16 分)103.要求图示电路的不失真输出电压幅值不小于3V,并且,为了不至于产生饱和失真,要求uCE的最小值不小于0.5V,为了不至于产生截止失真,要求的最小值不小于0.2mA。试为该电路确定和静态电流的值(在满足上述要求的基础上,应尽量降低电源功耗)。(左下图) (14 分)104.已知图示电路中晶体管的 100,0.7V,可忽略不计。为获得尽量大的不失真输出幅度,应取多大?(右上图)(08 分)105.在图示两个放大电路中二极管VD都是用来抑制晶体管静态工作点的温度漂移的。试说明这两个电路分别是利用二极管什么样的温度特性来抑制晶体管的温漂的?(12 分)106.放大电路如图所示,晶体管 100,0.7V,0.3V。1估算晶体管的e、b、c极对地静态电压、的值;2假设发生开路故障,重新估算、。(左下图) (18 分)107.已知图示电路中晶体管的 150,3k,各电容的容抗可忽略不计。1画出简化h参数交流等效电路;2求电压放大倍数和;3当100mV时,等于多少?在保持不变的条件下,断开负载电阻,又等于多少?(右上图)(18 分)108.已知图示电路中晶体管的 100,1k,各电容的容抗可忽略不计。1画出简化h参数交流等效电路图;2求电压放大倍数和;3当100mV时,等于多少?在保持不变的条件下,输出端加接负载电阻2k后,又等于多少?(12 分)109.射极输出电路和所用晶体管的输出特性以及交流负载线和静态工作点Q如图所示。1确定的值,画出直流负载线(要标明关键点的数值);2确定和的值(设,0.7V);3为了获得尽量大的正弦输出电压幅度,应增大还是减小?(10 分)110.共集放大电路及晶体管输入、输出特性如图所示。1确定晶体管的 值;2在输入特性曲线上,图解确定静态电流;3在输出特性曲线上图解确定静态电流和静态电压。五、解答题 (10 分)1.答案Q点见图1Q1:IBQ20A, ICQ2mA, UCEQ6V 2.52Q2:IBQ20A, ICQ2mA, UCEQ4V3Q3:IBQ0A , ICQ0mA, UCEQ6V 7.54Q4:IBQ15A , ICQ1.5mA,UCEQ10V(10 分)2.答案150 2IBQ40A 作直流负载线 ICQ2mA UCEQ6V3 过Q作交流负载线,斜率为,作图得:Uom3V, Uom5.5V, 最大不失真输出电压幅值Uom3V (10 分)3.答案12 (10 分)4.答案1 2 (11 分)5.答案1VCC12V, ICQ4mA, UCEQ4V 2Rc2k, RL667 3Uom2V, Uom3.5V, 取Uom2V 4 减小Rb(15 分)6.答案118.5A 9V Rc / RL3.1k (VEE) 231.5k RiRb+rbe28.5k RoRc= 6.2(15 分)7.答案1 20.5A 1.64mA 7.5V Rc / RL=2.55k 231.57k RiRb+rbe40.6k RoRc = 5.1(15 分)8.答案1 A 232.4k RiRb+rbe110k RoRc = 10(10 分)9.答案1 21.4k Rirbe / Rb1.4k RoRc = 4.7(10 分)10.答案1 23k Rirbe / Rb3k RoRc = 3.9 (12 分)11.答案1k k k 2 k RoRc6k(12 分)12.答案1k k k2 k RoRc2.5k(04 分)13.答案UCEQ5V;最大不失真输出电压将减小,首先出现截止失真(04 分)14.答案不变,将首先出现饱和失真。(10 分)15.答案1A 2 Uom2.8V Uom+ICQ(Rc/RL)4.3V 所以将首先产生底部失真。3应增大 Rb。(10 分)16.答案1 2 3减小,首先出现截止失真。(10 分)17.答案1 A 2减小了。 3Rb应往小调。(10 分)18.答案1 2 Uom+ICQ (Rc / RL)= 5V Uom=3.2V 首先出现饱和失真,即负向削平失真(10 分)19.答案1 2Uom+ICQ (Rc / RL)2.4V Uom=3.5V 首先出现截止失真(08 分)20.答案1截止失真 2Rb2应减小。3当Rb2减小后,ICQ增大,rbe减小,所以增大。(08 分)21.答案1饱和失真2Rb1应减小3当Rb1减小后,ICQ减小,rbe增大,所以减小(12 分)22.答案1 2 解得 3 晶体管饱和,不能正常放大。(12 分)23.答案1 2解得3,晶体管饱和,不能正常放大。(14 分)24.答案1 21.68k 3 ( / )5.3V 5.7V 取5.3V4截止失真(14 分)25.答案1 2 1.67k 3Uom+ICQ (Rc / RL)3.5V Uom2.4V 取Uo1.7V4增大Rb2 (12 分)26.答案12 (10 分)27.答案12 晶体管饱和。(10 分)28.答案1 2 晶体管截止。 (12 分)29.答案12UB测量值小于UE测量值。 万用表5V档内阻为20/V5V100,测量UE时,与3并联,影响不大,所以UE测量值基本准确。但测量UB时,万用表与43并联,并联电阻约为30,使UB分压值由原来的4.1V左右下降到3.2V,小于UE。.3方法B最好。(20 分)30.答案1A 234解得182(06 分)31.答案1UBEQ0.7V UCEQ5.7V20.7V UCES0.3V(晶体管饱和)(08 分)32.答案1 2UB0.5V 晶体管截止,所以 VCC12V 0V(10 分)33.答案1(b)最大,(c)最小 2(b)最好,(a)最差(05 分)34.答案(a)应为正温度系数 (b)应为负温度系数(08 分)35.答案(10 分)36.答案1IBQ20A ICQ2mA UCEQ3V2首先出现截止失真。3减小Rb (10 分)37.答案1IBQ60A ICQ=3mA UCEQ=3V2首先出现顶部失真(饱和失真)3Rb应增大(10 分)38.答案1VCC12V,ICQ3mA,UCEQ3V2Re3 3Uom+2.5V,Uom3V 取Uom2.5V.(10 分)39.答案1VCC12V,ICQ4mA, UEQVCCUCEQ8V2Re2, 3Uom2V,Uom+3.5V 最大跟随幅度为2V。(08 分)40.答案1截止失真 2Rb2应减小。3当Rb2减小后,ICQ增大,rbe减小,所以增大。(08 分)41.答案1饱和失真 2Rb1应减小3当Rb1减小后,ICQ减小,rbe增大,所以减小(14 分)42.答案1 21.68k 3 ( / )5.3V 5.7V 取5.3V4截止失真(14 分)43.答案1 2 1.67k 3Uom+ICQ (Rc / RL)3.5V Uom2.4V 取Uo1.7V4增大Rb2 (12 分)44.答案1 2 (10 分)45.答案1 2 晶体管饱和。(10 分)46.答案1 2 晶体管截止。 (10 分)47.答案1(b)最大,(c)最小 2(b)最好,(a)最差(10 分)48.答案1VCC6V Re1.2 Rb962 3Uom1.5V (08 分)49.答案1 2约为原来的1/2 (08 分)50.答案An1 2基本不变(06 分)51.答案 即反比于ICQ.(12 分)52.答案1AUCEQVCCIEQRe6.7V2 其中 Ri rbe + (1+) (Re/ RL) / Rb7
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