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文档简介
1,半导体知识介绍,陈灿文2012.3.26,2,内容,1.半导体相关知识介绍2.半导体产业介绍3.半导体晶圆制造4.半导体封装测试5.封装形式介绍6.封装测试厂流程细则7.半导体中国产业分布,著名半导体厂,3,制程相关:,晶圆制造工艺的微米是指IC内电路与电路之间的距离。制造工艺的趋势是向密集度愈高的方向发展,。密度愈高的IC电路设计,意味着在同样大小面积的IC中,可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。微电子技术的发展与进步,主要是靠工艺技术的不断改进,使得器件的特征尺寸不断缩小,从而集成度不断提高,功耗降低,器件性能得到提高。晶圆尺寸.6寸8寸12寸16寸(400um)芯片的厚度:整体芯片的厚度。引脚大小及个数封装形式,4,半导体生产环境:无尘室,无尘室是指将一定空间范围内之空气中的微粒子、有害空气、细菌等之污染物排除,并将室内之温度、湿度、洁净度、室内压力、气流速度与气流分布、噪音振动及照明、静电控制在某一需求范围内,而所给予特别设计的车间。,5,无尘室的等级,洁净度级别粒径(um)0.10.20.30.55.01357.531NA10350753010NA100NA750300100NA1000NANANA1000710000NANANA1000070100000NANANA100000700等级概念:如1000级,每立方英尺内,大于等于0.5的灰尘颗粒不能超过1000颗,6,IC产业链,芯片制作完整过程包括:芯片设计、晶圆制造、芯片生产(封装、测试)等几个环节。芯片设计晶圆制造,FAB晶圆厂。芯片封装芯片测试,封装测试厂,7,Customer客户,ICDesignIC设计,WaferFab晶圆制造,WaferProbe晶圆测试,Assembly晶圆和芯片除了生产需要都是存储于氮气柜中,20,图解操作,21,22,Wirebonding固线/键合,WB目的:为了使芯片能与外界传送及接收信号,就必须在芯片的接触电极与框架的引脚之间,一个一个对应地用键合线连接起来,这个过程叫键合。线分为:金线,银线,铜线,铝线金线采用的是99.99%的高纯度金;同时,出于成本考虑,目前有采用铜线和铝线工艺的。优点是成本降低,同时工艺难度加大,良率降低;,23,如何固线,KeyWords:Capillary:陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个BondingTool,内部为空心,中间穿上金线,并分别在芯片的Pad和LeadFrame的Lead上形成第一和第二焊点;EFO:打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温,将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形,以便在Pad上形成第一焊点(BondBall);BondBall:第一焊点。指金线在Cap的作用下,在Pad上形成的焊接点,一般为一个球形;Wedge:第二焊点。指金线在Cap的作用下,在LeadFrame上形成的焊接点,一般为月牙形(或者鱼尾形);W/B四要素:压力(Force)、超声(USGPower)、时间(Time)、温度(Temperature);,24,EFO打火杆在磁嘴前烧球,Cap下降到芯片的Pad上,在压力和超声形成第一焊点,Cap牵引金线上升,Cap下降到LeadFrame形成焊接,Cap侧向划开,将金线切断,形成鱼尾,Cap上提,完成一次动作,Cap运动轨迹形成良好的WireLoop,25,封装Molding,主电控,LF进料,塑封料进料,LFShifter,模具预热台,出料手臂,进料手臂,模具,产品出料,去残胶/塑封料进料,AutoMold模机器构造,26,Molding,MD(封胶)的作用:是为了保护器件不受环境影响(外部冲击,热及水伤)而能长期可靠工作,在表面封一层胶。封装形式按封装材料划分为:金属封装、陶瓷封装、塑料封装。塑料封装材料:环氧树脂塑封料。存储温度:-15-5度。使用前从冰库拿出,回温24H,除回温时间,可使用时间48H。也就是说暴露在空气中72小时后不可使用。,27,如何封装,此过程分为三段时间:溶解时间,注胶时间,固化时间。整个时间一般在30秒以上。一般在40S左右。,MoldingCycle,L/F置于模具中,每个Die位于Cavity。模具合模-块状EMC放入模具孔中,-高温下,EMC开始熔化,顺着轨道流向Cavity中,-从底部开始,逐渐覆盖芯片,-完全覆盖包裹完毕,并成型固化,28,常见封装形式,DIP双列直插式封装;SIP单列直插式封装,DIP,SOP,SOP小型双列鸥翼封装;SSOP更小型SOP;QFP四边带引线的扁平封装,QFP,加前缀“F”为带散热片加前缀“S”为缩小型“T”为薄型;”C”为陶瓷;P为塑料,FSIP,PGA针栅阵列封装;BGA球栅阵列封装,PGA,BGA,29,烤箱,将封好胶的芯片,放入烤箱烘烤。此步骤主要是作用:保护IC内部结构,消除内部氧气,水珠,应力等。烤箱温度在125度左右,历时5H左右。,30,电镀,电镀是金属和化学的方法,在Leadframe的表面镀上一层镀层,以防止外界环境的影响(潮湿和热)。并且使元器件在PCB板上容易焊接及提高导电性。引线脚的后处理工艺有:电镀(SolderPlating)和浸锡(SolderDipping)两种。电镀成分,通常有纯锡、和锡铅电镀两种。,没电镀前,电镀后,31,X-Ray,X-Ray设备:X-Ray机器内部产生X光照射IC产品,可透过表面胶体,看清芯片内部状况。如金线是否弯曲、断裂、弧度高度,die是否偏位等。,32,TrimForm切筋成型T/F:把塑封后的框架上的制品分割成一个一个的IC产品。,冲塑,切筋,切脚,冲弯,切吊筋,33,LaskMarking打字/印字,利用激光在封胶体上刻字。如标准商标,产品型号等。机器上有个激光头产生激光源,将电脑设计好的图标与文字打印在封胶体上。,JKai,34,测试:Test,测试工序是确保向客户提供产品的电气性能符合要求的关键工序.它利用与中测相类似的测试台以及自动分选器,测定IC的电气特性,把良品、不良品区分开来.测试按功能可分为DC测试(直流特性)、AC测试(交流特性或timing特性)及FT测试(逻辑功能测试)三大类。同时还有一些辅助工序,如BT老化、插入、拔出、实装测试、电容充放电测试等。外观测试:它通过IC的图像二元化分析与测试。检查IC的管脚(如管脚形状、间距、平坦度、管脚间异物等)、树脂(异物附着、树脂欠缺)、打印(打印偏移、欠缺)、IC方向等项目,并分拣出外观不合格品。,35,包装Packing,包装的主要目的是保证运输过程中的产品安全,及长期存放时的产品可靠性。因此对包装材料的强度、重量、温湿度特性、抗静电性能都有一定的要求。包装按容器形态可分为载带包装、托盘包装及料管包装;按干燥形态可分为简易干包、完全干包及通常包装;按端数形态又可分为满杯(满箱)包装与非满杯包装。一般采用托盘完全干包。采用真空抽压的方法,36,WaferIncoming晶圓,是否需要研磨,貼膠布TapingWafer,研磨GrindingWafer,撕膠布DetapingWafer,是否使用UVTape,貼晶圓WaferMount(BlueTape),貼晶圓WaferMount(UVTape),晶圓切割WaferSaw,晶圓清洗WaferClean,晶圓檢驗PSI,是否照UV,No,Yes,Yes,No,紫外線照射UV,接下頁,Yes,No,封装测试整体流程细则,37,銀膠烘烤EpoxyCure,推力試驗PushingTest,電漿清洗Plasma,特殊產品,一般產品,接線拉力推球試驗WirePull&Ball,接線WireBond,是否需要覆晶,前段製程完成,Yes,No,覆晶膠DieCoating,覆晶膠烘烤CoatingCure,接下頁,接線目檢PBI,上片DieBond,38,No,Yes,烘烤Cureing,植散熱片,電漿清洗Plasma,No,壓模Molding,蓋背印BackMark,壓模後烘烤PostmoldCure,接下頁,是否為BGA產品,BGA產品,點膠WireCoating,是否需要植散熱片,Yes,39,正印烘烤MarkCure,切連桿Deiunk,切單Sigulation,彎腳裝盤LeadTrim&Form,測球BallScan,彎腳裝盤LeadTrim&Form,後站製程完成,测试/检测FVI,包裝出貨,一般產品,PDIP產品,BGA產品,切連桿Dejunk,除膠渣Deflsh,除膠渣Deflsh,電鍍SolderPlating,電鍍SolderPlating,蓋正印Mark,蓋正印Mark,正印烘烤MarkCure,植球BallMount,水洗D.I.Water,過IRIR-Reflow,為何種產品,40,2003.4,營業一部,中国IC企業分布图,上海市ShanghaiChipPAC、Amkor、Intel、IBM松下Simconix、Chipmos、Liteon、Vishay、華旭威宇(GAPT)、凱虹(DIODES)、捷敏(GEM)Alphatec、日月光、宏盛、泰隆(ACE)、尼赛拉中芯(SMIC)、貝岑(UMC)、宏力(GSMC)華虹NEC、先進(ASMC)、台積電(TSMC),蘇州市Suzhou瑞萨、SAMSUNG、飞索、PHILIPS、松下NationalSemiconductor、EPSON、SANYOFairchildSemiconductor、巨豊KASEN、SPIL和艦(UMC)、旺宏(Macronix),無錫市WuxiTOSHIBA、INFENION、AUK、華润、矽格、敦南、華晶,南通市NantongFUJITSU,江陰市Jiangin長電科技,寧波市ninbao明昕、元泰、中緯、元泰,紹興市Shaohsin
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