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文档简介

1,1,SOICMOS基本工艺,SOI结构SOI工艺SOI优点,2,2,SOICMOS结构,1.（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）2.衬底相对沟道区也相当于一个MOS结构，因此也把SOIMOSFET的衬底又叫做背栅,是五端器件。,3,形成SOI材料的技术,注氧隔离技术（SIMOX）通过高能量、大剂量注氧在硅中形成埋氧化层.O+的剂量在1.81018cm-2左右；能量200kev埋氧化层把原始硅片分成2部分，上面的薄层硅用来做器件，下面是硅衬底,4,SIMOX的基本工艺,(1)氧离子注入(剂量约为3101721018cm-2)；(2)高温(1350)热退火14小时；(3)晶片清洗(即去掉表面微粒和沾污)。,5,形成SOI材料的技术,键合减薄技术（BE）把2个生长了氧化层的硅片键合在一起，两个氧化层通过键合粘在一起成为埋氧化层其中一个硅片腐蚀抛光减薄成为做器件的薄硅膜，另一个硅片作为支撑的衬底,6,形成SOI材料的技术,智能剥离技术（smartcut）解决了如何用键合技术形成薄膜SOI材料可以形成高质量的薄硅膜SOI材料,7,8,8,基于台面隔离的SOICMOS基本工艺流程,9,9,基于台面隔离的SOICMOS基本工艺流程,6,7,8,9,10,10,10,SOICMOS的优越性,每个器件都被氧化层包围，完全与周围的器件隔离，从根本上消除了闩锁效应；减小了pn结电容和互连线寄生电容不用做阱，简化工艺，减小面积极大减小了源、漏区pn结面积，从而减小了pn结泄漏电流有利于抑制短沟效应；有很好的抗幅照性能；,11,11,SOICMOS反相器结构
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