手机三级维修手册_第1页
手机三级维修手册_第2页
手机三级维修手册_第3页
手机三级维修手册_第4页
手机三级维修手册_第5页
已阅读5页,还剩25页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

1手机的特点 支持双频EGSM900 / DCS1800 Phase 2; 支持全速率、半速率和增强全速率(FR,HR,EFR)语音编码; 支持增强速率的SIM 卡(3V); 主芯片采用Infineon E-Gold+(PMB6850)、E-Power(PMB6810)和Smarti+(PMB6253); 射频电路采用传统超外差式电路结构,具有接收稳定,动态范围宽,灵敏度髙,元器件少,成本低等优点,高集成度,PCB 上全部元件约200 个。2手机的无线指标 工作频带:EGSM900 移动电话机发:880915MHz; 移动电话机收:925960MHz;DCS1800 移动电话机发:17101785MHz;移动电话机收:18051880MHz; 载频间隔:200kHz; 支持信道:EGSM:(975-1023,0-124)共174 信道;DCS:(512885)共374 信道; 双工频率间隔:GSM900:45MHz;DCS1800:95MHz; 双工时差:发射落后接收3 时隙; 数据调制方式:0.3 GMSK; 发射机输出功率:EGSM:5-33dBm;DCS:0-30dBm; 发射功控级别:EGSM:5(33dBm)-19(5dBm),STEP:2dBDCS:0(30dBm)-15(0dBm),STEP:2dB ; 接收灵敏度: EGSM:优于-102dBm(RBER2%)DCS:优于-100dBm(RBER2%); 频率误差:0.1ppm; 峰值相位误差:20deg; 均值相位误差:5deg ;3整机系统构成整机系统框图如下图:31 所示在GSM 手机中,整机电路结构可分为:1) 射频处理部分(RF);2) 基带及逻辑控制部分(Baseband)3.1 射频处理部分(RF)射频部分电路主要功能:射频部分一般指手机电路的模拟射频、中频处理部分,包括天线系统、发送通路、接收通路、模拟调制、解调以及GSM 信道调谐用的频率合成器等。射频部分电路主要完成无线信号的接收与发送,负责与基站之间通过空中接口的话音和信令的双向传输。具体的说,接收电路完成对接收到的基站高频信号的AGC 放大,混频和解调,产生一定幅度的模拟基带I/Q 信号,送基带电路做进一步处理。而发射电路完成对基带送来的模拟基带I/Q 信号的调制,上变频和功率放大,产生符合GSM 规范要求的突发脉冲信号通过天线发射到基站。射频电路与基带电路的接口为模拟基带I/Q 信号。射频电路的性能将直接影响到手机的信号传输质量。A321 GSM 双频手机射频电路原理框图如下图:32 所示由上图:32 可以看出,射频电路主要由一块髙集成度收发芯片PMB6253(SMARTI+)外加一些滤波器,VCO,PA 和天线开关等构成。射频电路包括:(1) 接收机;(2) 发射机;(3) 锁相环频率合成器3.1.1 接收机本机型射频接收机电路采用传统超外差式电路结构,接收中频为360MHz,具有接收稳定,动态范围宽,灵敏度髙等特点。接收机电路主要由天线及其匹配电路,天线开关(X4),GSM 接收声表滤波器(BPF2)及其匹配电路,DCS 接收声表滤波器(BPF3)及其匹配电路,GSM/DCS 接收高频LNA , MIXER(混频器),接收中频声表滤波器(BPF1),IFPGC(中频可编程增益放大器),I/Q 解调器及BBPGC(基带可编程增益放大器),以及前端切换逻辑(T3、T4)共同构成。其中LNA、MIXER、IFPGC、I/Q 解调器及BBPGC 已经集成在收发芯片IC1(SMARTI)里面,接收机电路将接收到的EGSM925960MHz 或DCS18051880MHz 的射频信号经过以上器件的放大和变换之后转换成67.708KHz 的模拟基带I/Q 信号送基带电路的IC7(EGOLD+)作A/D 变换和进一步的数字信号处理。其中接收信号的AGC 放大通过3 wire Bus(EN,DA, CLK)可编程控制。由基带逻辑控制电路(EGOLD+)通过3 wire Bus 实现对接收机及AGC 的控制。3.1.2 发射机发射机电路由I/Q 调制器,发射中频带通滤波器,发射上变频锁相环路,TXVCO(X3),发射混频,发射功率放大(IC3)和功控环路(IC5 和IC4)等构成。其中I/Q 调制器、锁相环的鉴相器和发射混频器已经集成到IC1(SMARTI+)。发射机电路完成将基带部分送来的模拟I/Q 信号变换成EGSM880-915MHz 或DCS1710-1785MHz 的射频信号,并放大到基站所要求的功率在相应时隙发送给基站。其中发射中频为424MHz/428MHz(当发射信道为781819 时TXIF 为428MHz)。3.1.3 锁相环频率合成器锁相环频率合成器由鉴频鉴相器PFD,CP(Charge Pump),环路滤波器LF,VCO和反馈支路的可编程分频器构成。在射频主IC1(SMARTI+)里面集成了合成信道频率所需的一本振(LO1)锁相环(其中LO1 VCO 和环路滤波器在外面)和I/Q 调制解调所需的二本振锁相环(其中环路滤波器在外面)。锁相环合成信道频率通过3 wire Bus可编程控制,逻辑控制电路(EGOLD+)通过3 wire Bus 向锁相环反馈支路的可编程分频器置不同的信道数据,通过改变分频器的分频比来产生不同的本振频率,从而选择不同的接收/发射信道。接收和发射时一二本振锁相环频率合成关系如下表:31 和下图:33 所示:3.2 基带及逻辑控制部分(Baseband)基带及逻辑控制部分电路主要功能:基带及逻辑控制电路主要完成对接收和发送基带信号的数字信号处理和整机系统的逻辑控制,包括对RF 部分,电源管理及充电部分以及各输入/输出(I/O)接口(包括键盘扫描,显示部分,音频输入/输出,SIM 卡,串行下载接口等)的控制和管理。当接收的时候基带电路将RF 部分送来的差分模拟基带I/Q 信号(IR,IRX,QR,QRX)进行GMSK 解调即A/D 变换变成数字信号,然后送DSP 作进一步的数字信号处理,包括信道均衡,解密,去交织,信道解码,话音解码得到数字音频信号,数字音频信号接着进行数模变换(D/A)和模拟音频放大去推动receiver 发出声音;当发送的时候基带电路将microphone 输入的模拟音频信号进行放大滤波和A/D 变换变成数字音频信号,然后送DSP 作进一步的处理,包括话音压缩编码(FR,ERF,HR),信道编码,交织,加密,信道均衡和GMSK 调制,变成差分的模拟基带I/Q 信号(IT,ITX,QT,QTX)送RF 部分处理。基带及逻辑控制原理框图如下图:34 所示由上图:34 可以看出,基带及逻辑控制电路由一块主IC PMB6850(EGOLD+),电源管理IC PMB6810(EPOWER),存储器(FLASH,RAM,EEPROM)和一些外围电路构成。其中主IC EGOLD+包括DSP(OAK+)和MCU(C166CBC),是整机的控制核心和基带信号处理核心。基带及逻辑控制电路包括:(1) 音频及数字信号处理部分;(2) 程序存储及逻辑控制部分;(3) 键盘及显示部分;(4) 电源管理及充电控制部分;(5) SIM 卡接口部分;(6) 和弦音乐及MMI 人机接口部分3.2.1 音频及数字信号处理部分该部分电路完成收发音频信号的放大,A/D,D/A 变换,以及数字信号处理:话音编解码,信道编解码,交织与去交织,加解密,信道均衡,GMSK 调制与解调,整个信号处理过程在EGOLD(IC7)内部完成,与射频接口为I/Q 信号线A/AX,B/BX。音频接口信号线为receiver1,receiver2,mic1 或耳机。3.2.2 程序存储及逻辑控制部分本机的存储电路由一块IC8 FLASH 来完成,包括32M FLASH(64M),4M SRAM(8M)和eeprom,FLASH 中存储了最重要的GSM 通信协议软件和整机控制程序以及MMI 人机操作界面软件,EGOLD+中的MCU 通过运行FLASH 中的相关软件来协调整机的运作,包括对RF 和各I/O 接口的控制以及对用户操作的响应。MCU 通过地址线Adr0Adr22 和数据线Data0Data15 以及片选信号CSRAM,读写请求信号RDQ,WRQ 来访问FLASH 或SRAM,通过控制线TXON,PLLON,TX900_RX1800,TX1800_RX900,AFC,PALEVEL,3 wire bus(EN,DA,CLK),TEMP 来对RF 部分电路进行控制和管理;通过EPOWER_SCL,EPOWER_SDA(I2C 总线)实现对EPOWER 的控制和管理。3.2.3 键盘及显示部分本机键盘矩阵为6行4列,最多支持24按键。其中kp0kp5为键盘扫描电路的行输出,kp6kp9为键盘扫描电路列输入,MCU通过检测键盘矩阵中行列的导通状况来判断用户的按键操作;基带电原理图中三极管T7是手机关机和退出操作检测开关管(参见基带电原理图)。LCD显示屏通过FPC 与主板相连接,由E-GOLD(IC7)负责对显示屏进行显示控制。控制及数据信号包括:(1) 黑白双屏机:V3V:LCD供电DISP_SCLK:串行时钟信号DISP_SID :串行数据DISP_RS:指令/数据控制线:低电平DISP_SID传送控制指令,髙电平DISP_SID传送显示数据DISP_RST:LCD复位信号,由EGOLD+对其复位DISP_CS_MAIN:主屏片选信号DISP_CS_SUB:小屏片选信号(2) 彩色双屏机:V3V:LCD供电DISP_CS_MAIN:主屏片选信号DISP_CS_SUB:小屏片选信号DISP_RST:LCD复位信号RDQ:LCD读请求信号WRQ:LCD写请求信号LED_MAIN_EN:主屏背光灯使能信号LED_SUB_EN:小屏背光灯使能信号DATA0DATA7:显示并行数据线ADR1;ADR7:显示地址线E-GOLD通过这些控制及数据线来控制显示屏的显示内容。LCD 显示部分接口原理请参见整机电原理图中基带部分。3.2.4 电源管理及充电控制部分电源管理电路负责整机的供电,为射频,基带及接口电路提供所需的电压供给。其电原理图如下图:35 所示由上图:35 可以看出,电源管理及充电电路由一块集成电路IC6 PMB6810(EPOWER)、充电控制管T6、充电检测/涓流充电管D2 以及外围滤波电路构成。电源管理IC 工作的时候可以为射频和基带电路提供以下稳定电压:(1) 基带供电:V_SD : 1.92V 给EGOLD(IC7)数字逻辑部分供电VANA: 2.39V 给EGOLD 模拟电路部分供电VINT: 2.62V 给EGOLD 接口部分电路供电V3V: 2.85V 给FLASH(IC8)供电,同时也给LCD 供电。VSIM: 2.85V 给SIM 卡供电VRTC: 1.942.5V 给EGOLD 的实时钟电路(32.768KHz)供电,同时给后备电池BATT1 充电,该电压即使手机处于关机状态也存在,以确保手机关机时内部时钟仍能运行。(2) 射频供电:VCC_VCXO: 2.85V 为射频电路的13M 晶振提供工作电压。RF2V8: 2.85V 供给射频电路除了PA 和13M 晶体以外的所有有源器件,包括SMARTI+,RFVCO(X2),TXVCO(X3),天线开关的切换逻辑,Power Controller IC4.射频电路的PA(IC3)由于是大功率器件,所以由电池电压VBAT 直接供电。电源管理IC 的工作状态由EGOLD 通过I2C 总线(EPOWER_SCL,EPOWER_SDA)进行控制,由信号管脚ON 激活工作,RESET 是复位信号,用于开机时对EGOLD 和FLASH进行复位,当用户按了开机键ON/OFF 时,电池电压VBAT 加到EPOWERON 管脚,EPOWER开始工作输出各路电压以及复位信号,基带及射频各电路因得到工作电压而纷纷工作起来,包括13M,32.768KHz 实时钟,EGOLD+,FLASH,LCD 等,此时EGOLD 和FLASH 因为EPOWER 输出的复位信号而先进行复位,然后EGOLD 执行内置的BOOT 引导程序进行开机自检, 包括硬件自检和软件自检, 自检通过以后EGOLD 通过I2C 总线(EPOWER_SCL,EPOWER_SDA)向EPOWER 发送开机维持信号,让EPOWER 维持各路输出电压,此时用户可以松开ON/OFF 开机键,EGOLD 调用FLASH 的相关软件实现开机和网络搜索。充电电路充电电路原理框图如下图:36 所示该手机支持开机和关机两种状态充电。当外部有充电器接到DC 插孔(J3)时,会被E-POWER 的管脚7(VDDCH) 检测到。当手机电池电压髙于3V时,EPOWER可以工作(当电池电压低于3V时EPOWER将不能工作),手机处于正常充电模式,E-POWER 内部的T2管导通,从而将充电控制管脚#4(VCHC)下拉至低电平,此时场效应管T6导通,于是充电器输出的直流充电电流通过D3和电阻Rsense开始给电池充电,电池电压开始上升。在基带电原理图中,电池电压VBAT通过电阻R33和R34分压送到EGOLD的VBAT管脚进行ADC(详见基带电原理图),E-GOLD通过检测VBAT的ADC值可以知道当前的电池电压,然后通过I2C总线对充电实行监控,若电池充满E-GOLD将T2基极变为低电平,从而EPOWER管脚4(VCHC)因电阻R2的上拉作用而为髙电平,场效应管T6截至,此时充电停止。当手机电池电压低于3V时,此时EPOWER无法正常工作,因而逻辑控制电路(EGOLD)也无法正常工作,但EPOWER里面的预充电电路可以工作,手机处于预充电模式(这种情况多出现在电池储藏时间过长或者过度放电),此时充电适配器的电流由EPOWER的管脚7(VDDCH)流过内部的预充电控制管T3再由管脚VCHS经由电阻Rsense给电池小电流充 电,充电电流为3050mA,直到电池电压上升到超过3V时,充电模式转为正常模式。注意:处于预充电模式时,手机屏幕上没有任何指示!因为逻辑控制电路还未工作!关机充电和开机充电原理相同,只是在关机状态下,E-GOLD 未执行其它程序,使手机仍处于关机状态。另外跟充电密切相关的一个参数:电池温度,会影响手机对充电的控制,从上图:35中可以看出,电池连接器J2的第2脚(电池温度检测脚)连到了EGOLD的电池温度检测ADC,同时该管脚还通过一个电阻R30连到了VINT(2.62V),电池温度检测原理为:在电池的保护板里面有一个温敏电阻NTC由电池温度检测脚(J2的2脚)连到了电池的地(负极),NTC的电阻会随着电芯的温度而变化,电压VINT经过电阻R30和NTC的分压送到了EGOLD进行ADC,随着电池温度的变化,该检测电压也随着变化,EGOLD通过识别该电压的变化可以知道电池的当前温度。该电压的ADC在生产的时候要进行校准。出于安全和对电池的保护,电池温度只有在5050之间才能进行充电,温度超过该范围,EGOLD将关断充电电路!所以在维修的时候出现不充电不妨测量一下该电压是否正常!如该管脚接触不良或对地短路,手机将不能充电!3.2.5 SIM 卡接口部分本机型手机仅支持3V SIM 卡,在开机时,E-GOLD 与SIM 卡通信的各输出脚(CCIO、CCCLK、CCRST)送出脉冲信号,在插入SIM 卡开机后,SIM 卡收到E-GOLD的脉冲信号后,作出回应,E-GOLD 收到响应信号后,确认SIM 卡的存在,开始与SlM 卡进行通信,进行用户鉴权等有关SlM 卡的操作. SIM 卡接口电路电路较为简单,请参考整机电原理图中基带部分.3.2.6 和弦音乐及MMI 人机接口部分本机型支持16和弦/40和弦铃声,和弦铃声部分电路图如下图:37所示和弦铃声电路主要由YAMAHA和弦IC YMU762(759),(R14,C130,IC2构成的振荡电路),IC10 LDO供电管,和外围分立电路构成。主要完成和弦音乐的合成,将EGOLD送来的铃流数据合成悦耳的音乐送SPEAKER播放。MMI人机接口电路主要包括Microphone(麦克风)、Receiver(听筒)、Speaker(铃声器)Earphone(耳机)、Motor(马达)、backlight(背光灯)、7彩指示灯,Keyboard & LCD(前面已述及)。MMI接口中涉及的控制信号线如下:(1) EAR_DETECT:外接免提耳机检测信号,髙电平:音频输入输出为手机内部麦克风和听筒;低电平:音频输入输出为免提耳机;(2) VIBRATOR:振动马达驱动信号,髙电平马达将转动;(3) LED_G、LED_B、LED_O:七彩灯驱动信号,髙电平相应颜色的灯将点亮;(4) SP1,SP2:来自和弦IC9的音频信号,送SPEAKER.;(5) 键盘背光灯和LCD背光灯驱动请参见基带电路原理图。4. 维修指南手机出现故障的情况主要有以下几种:不能下载程序;不能开机;不能建立呼叫(包括无接收,不发射);不能充电;接收/发射功率异常;无声音;无振动;无显示;漏电;不识卡等。在整个手机电路系统中,所有的线路我们可以分成三种:供电线,控制线和信号线。在分析故障的时候,对于有源器件,我们应该遵从先查供电线,再查控制线,最后查信号线的原则,逐步排除故障。在分析射频电路故障的时候应该先排除接收电路故障,再排除发射电路的故障。检查手机各电路供电电源是否正常的时候我们可以使用万用表或示波器,检查控制线的控制信号的时候我们可以使用示波器;对于信号线,如果是高频信号(比如接收/发射的射频信号,收发中频信号),我们可以用频谱分析仪在频域上测量信号的幅度,如果是低频信号(比如收发I/Q信号,RTC等),我们可以用示波器测量信号的时域波形。4.1 常见故障的检修流程4.4 常见故障的检修实例1) 故障现象: 不能下载程序故障分析:(1) 下载的通路可能有问题,即电原理图上从download1、download2(MIC2、EP2) 到E-GOLD上的RXD0、TXD0 之间的下载通路。但检查发现该电路正常。(2) TCXO(13MHz 参考时钟)是否工作正常,检查发现13Mhz 没有输出且其工作电压(2.85V)也没有,于是查E-POWER 的VCC-VCXO 发现其没有输出,吹焊E-POWER 后,重新下载程序成功。2) 故障现象:不能下载程序故障分析:接通电源,整机电流在35mA左右,正常时应该在10mA到20mA之间,测L3上有正常13M的参考时钟信号,手动触发时发现电流维持在35mA不变,测量数据的发送(Tx)通道上TP5到J7的3脚电阻为1K,数据接收(Rx)通道上TP6到J7的4脚电阻为47K,判断数据发送和接收通道都正常,故障应该出现在IC7(EGOLD)上,因为是刚从SMT下来的新板,IC7坏掉的可能性不大,重新吹焊IC7后正常。3) 故障现象: 不能下载程序故障分析:接通电源,整机电流在15mA左右,电流正常,测L3上有正常13M的参考时钟信号,手动触发时电流升大到40mA左右,由此判断手机已经和电脑建立连接,数据发送和接收通道都应该正常,IC7(EGOLD)也已经工作,问题可能出在IC8上,重新吹焊IC8后正常。4) 故障现象:无法DOWNLOAD 程序故障分析:下载的时候可以触发,但很快提示FLASH not support,很可能是FLASH虚焊或损坏,重新焊接FLASH 后可以下载程序。5) 故障现象:无法DOWNLOAD 程序故障分析:下载的时候触发不了(boot fail),电流源有10 几毫安的电流,所以很可能是手机的供电系统有问题,逐一检查EPOWER 各路输出电压,都正常,再测量13M 输出,也正常,但当测量13M_BB 的时候没有信号,说明EGOLD 得不到工作时钟而无法工作,因为13M_BB 是从SMARTI 出来的,所以怀疑SMARTI虚焊,用风枪吹一吹SMARTI 后13M_BB 正常,可以下载了。6) 故障现象:不能开机故障分析:接通电源,整机电流为12mA,按开机键后,电流没有明显的变化,LED闪一下即灭,用示波器测L5 有13M_BB 的参考时钟信号送往IC7,重新下载程序能正常下程序,但是下完后故障依旧,由此判断问题应该出在IC7及其外围电路上,测XTAL1时,发现没有32.768K的时钟信号输出,换XTAL1后,有时钟信号输出,手机能正常开机。7) 故障现象:不能开机故障分析:接通电源,整机电流为15mA,按开机键后,电流没有明显的变化,用示波器测L5 有13M_BB的参考时钟信号送往IC7,重新下载程序时也下载失败,而且触发时没有电流变化,由此判断故障出在IC7上,重新吹焊IC7,故障依旧,换IC7后,重新下载程序成功,手机开关机也正常。8) 故障现象:不能开机故障分析:接通电源,电流接近短路电流,由此估计手机内部出现短路,按以往的经验,短路故障多出现在PA IC3上,判断方法是将IC3的电源通道上L11去掉,如果电流还是短路,即短路点不是在IC3上,如果电流恢复正常,即短路点是在IC3上,取下L11后,电流恢复正常,由此应该是PA短路,焊下IC3后,量IC3的电源脚跟地为0欧姆,重新换IC3后,复原L11,电流恢复正常,手机能正常工作。9) 故障现象:开机后找不到网络故障分析:开机后找不到网络的原因较多,但大致可以按收发电路两条主线去找原因,且在通常情况下发射电路出现故障的概率要大的多。且发射部分主要检查PLL、PA 和天线开关。有关这些部分的电路资料请参阅前面RF 部分的原理介绍。此处仅介绍一实例。在综测仪上用手机建立呼叫时,发现手机的工作电流只有4OmA 左右(在稳压电源的面板上观察),此应该是手机的PA 没有工作。重新焊接后能建立呼叫,但又发现各个等级功率不正常,检查PA 的控制回路,发现检波二极管D1 反向电阻很小,更换后重新建立呼叫,输出功率恢复正常。10) 故障现象:不能呼叫故障分析:装上SIM卡,开手机后,能正常找到网,但是不能呼叫对方,也不能呼上本机,由故障现象看,手机能找到网说明手机的接收是正常的,问题应该出在发射通道上,把手机置于常发状态,用示波器测量TxVCO X3 的3脚有正常的1.2V 直流控制信号,判断IC1已经正常工作,按以前的经验,问题出现在PA(IC3)的可能性比较大,用频谱仪测IC3没有相应的输出信号,所以应该是IC3没有工作,而这种故障一般是由于IC3虚焊所至,重新吹焊IC3后手机正常。11) 故障现象:不能呼叫故障分析:装上SIM卡,开手机后,手机不能正常找到网,测量天线连接器J1 正常,把手机置于常收状态,用示波器检测R1上的四路差分IQ信号A、AX、B、BX都正常,测接收通道的1次本振X2的5脚,即TP27有1.15V左右的直流信号,测2次本振TP29时,发现信号波形是类似于纹波的的不规则波形,正常时应该是0.8V2.25V左右的直流信号,由此判断2次本振工作不正常,由于2次本振工作是在芯片IC1里完成,外围电路只有C21、C24、R11,检查时发现C24出现虚焊,重新吹焊C24后,手机恢复正常。12) 故障现象:不能呼叫故障分析:用维修软件在测试模式试图与综测仪建立呼叫的时候Idle 不了,说明接收机有问题,强制手机进入非信令(inline 模式)突发接收状态,用频谱仪测量接收前端射频信号正常,再 测接收中频信号,发现测不到接收中频信号,这时测量3wirebus(EN,DA,CLK)发现EGOLD 送出的3wirebus 控制信号正常,但有一路EN 信号在经过排阻R1 之后测不到,用万用表测量排阻R1 的EN 支路,发现电阻为无穷大,说明该电阻已坏,更换排阻R1 之后故障排除。13) 故障现象:不能呼叫故障分析:用维修软件与综测仪呼叫的时候Idle不了,说明接收机有问题,强制手机发接收状态,用频谱仪测量接收前端射频信号正常,再测接收中频信号正常,但当测量I/Q信号的时候发现有一路I/Q信号幅度比较弱,用万用表测量排阻R2阻值正常,怀疑排阻R2虚焊,用风枪吹吹,居然好了。14) 故障现象:BUZZER 不响故障分析:手机播放铃声时,BUZZER 没有声音,换新BUZZER后,故障依旧,由此排除是BUZZER 坏的原因,用示波器检测T9的输入端1 脚,有正常的铃声电压信号,但是4 脚没有输出信号,判断故障出在铃声推动场管T9上,重新吹焊T9,故障依旧,换新的T9后,手机能正常播放铃声。15) 故障现象:通话Receiver 没声音故障分析:拨通电话,对方听不到自己说话声,自己也听不到对方的说话声,检查Receiver正常,外围电路也没发现问题,但是当用耳机通话时,却能听到对方的声音,对方也能正常听到自己的声音,重新下载软件后,故障依旧,由此估计手机通话时切换出现问题,也就是手机处于耳机通话状态,不能切换到Receiver及MIC通话方式, L14的好坏直接影响通话的切换,检查发现L14出现虚焊现象,重新吹焊L14后通话正常。16) 故障现象:通话Receiver 有干扰声故障分析:手机在通话过程中,Receiver 能听到明显的“咝咝”响的干扰声,而且不随位置的变化而变化,检查Receiver及外围电路都没发现异常,用耳机通话时正常,重新下载软件后,故障没有改善,判断可能是手机MIC性能不好,在通话中出现对Receiver串音干扰,换新的MIC后通话再没有干扰声,手机工作正常。17) 故障现象:Vibrator 不震动故障分析:手机打开震动报警方式,来电时不能震动报警,换新的Vibrator 故障依旧,排除是Vibrator 坏,把手机打开震动状态,检测Vibrator 的1 脚有3.8V 左右的供电电压,T1 的6 脚也有3.8V 左右,由此判断是T1 没有导通的缘故,导致6 脚不能变成低电位,所以Vibrator 不能运行,测T1 的2 脚,由IC7 送来的控制T1 导通的信号正常,所以问题应该出在T1 不能导通上,重新吹焊后故障依旧,换新的T1,故障排除,手机震动报警方式正常。18) 故障现象:GSMLEV5 发射电流大,功率低故障分析:用小功率建立呼叫,把功率逐渐曾大到LEV5,电流上升到450mA 左右,功率只有30dBm 左右,强制手机进入非信令突发发射状态,用示波器测量PALEVEL控制信号正常,测量VAPC(TP19),电压幅度达到2.7V,难怪电流那么大,再测量功率检测反馈信号(IC4 第4 脚),几乎测不到反馈信号,所以问题出在功率检测反馈支路,很可能耦合器(IC5)虚焊或损坏,吹吹IC5,再建立呼叫,功率电流都正常了!19) 故障现象:从GSM 切换到DCS 掉话故障分析:试图在DCS 频段上建立呼叫(可以IDLE:说明DCS 接收正常),无法建立呼叫,强制手机在DCS 频段非信令突发发射,测量3wirebus PLLON 正常(其实不测也知道正常,因为GSM 是正常的),测量LO1,LO2 正常,CPTX 正常,但TXVCO 无输出,再测量TXVCO 的BAND 控制脚,发现为低电平(不对,DCS 应该为髙电平),BAND 信号来自SMARTI,所以测量SMARTI BSW(4 脚),发现BSW脚有髙电平输出,毫无疑问,SMARTI 虚焊了(PCB 断线的可能性很小),所以吹吹SMARTI,DCS 正常了。20) 故障现象

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论