化学沉铜介绍演示幻灯片

1,孔金属化,目的：在基材表面沉积导电层，实现层间电气连接化学沉铜（ElectrolessCopper)：latingThroughHoles,2,生产流程,刷板去钻污处理化学沉铜,3,刷板,目的：1.去孔口毛刺2.板面清洁,4,去钻污处理,目的:1.去除内层铜箔残留的钻污,保证结合良好.2.改善孔壁结构,加强结合力.工艺流程:溶胀去钻污中和,5,溶胀(Swelling),目的:使树脂表面膨胀,降低分子键能,利于去钻污反应的进行.工艺控制:温度60-80C时间5-10min,6,去钻污(Desmearing),目的:利用KMnO4的强氧化性,将钻污除去反应原理:MnO4+C+OHMnO42-+CO2+2H2O副反应:MnO4-+OH-MnO42-+O2+2H2OMnO42-+H20MnO2+O2+2OH-工艺控制:温度75-85C时间10-20min,7,中和（Reducing),目的：将残留于孔壁的MnO4-、MnO42-、MnO2还原工艺控制：温度40-50C时间4-8min,8,化学沉铜,工艺流程：调整微蚀预浸催化加速沉铜,9,调整（Conditioner),目的：调整孔壁电性，利于对胶体钯的吸附工艺控制：温度45-55C时间4-8min,10,微蚀（MicroEtch),目的：1.清洁板面2.板面形成粗糙结构,保证沉铜层与基材铜的结合力.反应原理:Cu+Na2S2O8CuSO4+Na2SO4工艺控制：温度25-35C时间1-3min,11,预浸(Predip),目的:防止前工位处理对催化槽的污染工艺控制：温度常温时间1-2min,12,催化（atalyst）,目的：孔壁吸附沉铜反应所需的催化剂钯胶体（dSnCL3n-)工艺控制：温度40-45C时间4-6min钯胶体的水解：d（SnCL）d+Sn(OH)2+Sn(OH)4+CL-,13,加速（ccelerator),目的：将钯d周围的n沉积物除去工艺控制：温度2-3C时间-min反应原理：Sn(OH)2+Sn(OH)4+-Sn2+Sn4+H2O,14,化学沉铜（lectrolessCopper),反应原理：Cu2+2HCHO+4OH-PdCu+2HCOO-+2H20+H2反应特点：.自身催化反应.一定时间内沉积一定厚度的铜层工艺控制：温度-3C时间-min,15,化学沉铜（lectrolessCopper),主要副反应：Cu2+HCHO+OH-CuO+HCOO-+H20CuO+H20Cu+Cu2+OH-HCHO+OH-HCOO-+CH3OH解决方法：.维持鼓气.加强过滤.周期性维护沉铜槽,16,品质控制,.背光检查：要求级.沉铜厚度：.um.去钻污厚度：.mg/cm2.层间结合：热冲击实验、金相切片,17,问题及设备加工能力,问题：.孔内无金属.孔壁粗糙.层间分离加工能力：.加工尺寸：“*”、板厚.mm、板厚孔径比：.最大加工产能m2/月,18,化学沉铜工艺分类,催化剂分类：.胶体钯d（SnCL）.离子钯d2+沉铜厚度分类：.沉薄铜（.um）.沉厚铜（.um）,19,化学沉铜存在的缺点,.溶液中含有，废水处理难.使用甲醛作还原剂，甲醛是致癌物质不利于健康.氧化还原反应，过程控制难,20,直接电镀,特点：.不含、等.反应为物理吸附过程，易控制。.工艺流程简化.适用于水平或垂直分类：.d导电金属薄层.导电高分子材料.炭或石墨导电层,21,钯系列,常见工艺流程：（去钻污处理）整孔预浸催化加速硫化后处理微蚀供应商：Shipley、Atotech、Blasberg等适用设备：水平线及垂直线,22,导电性高分子系列,常见工艺流程：（去钻污处理）整孔KMnO4氧化处理有机单体催化处理浸酸原理：C+KMnO4CO2+MnO2MnO2+吡咯导电性聚吡咯+Mn2+供应商：Atotech、Blasberg等适用设备：水平线及垂直线