航空航天工业标准规范文件：QJ 10007-2008

中华人民共和国航天行业标准中华人民共和国航天行业标准 FL 6131 QJ 100072008 宇航用半导体分立器件通用规范 General specification for discrete semiconductor devices of space applications 20080216 发布 20080601 实施 国防科学技术工业委员会发 布 QJ 100072008 I 目 次 前 言.III 1 范围.1 2 规范性引用文件.1 3 要求.1 3.1 总则.1 3.2 生产线认证和资格维持.2 3.3 鉴定或认定.2 3.4 结构分析.3 3.5 设计与结构.3 3.6 禁用工艺和材料.3 3.7 返工规定.3 3.8 外购芯片.3 3.9 批失效处理.4 3.10 生产控制.5 3.11 承制方外协控制.6 3.12 信息交换与失效报警要求.6 3.13 外购材料控制要求.6 3.14 可追溯性要求.7 3.15 可交付的器件要求.7 3.16 标志.7 3.17 器件总剂量辐射试验.7 3.18 使用方监制和验收.7 4 质量保证规定.8 4.1 总则.8 4.2 检验分类.8 4.3 破坏性试验和非破坏性试验.8 4.4 试验和检验的环境条件.8 4.5 使用方监制.8 4.6 承制方筛选.9 4.7 鉴定或认定检验.12 4.8 质量一致性检验.13 4.9 使用方验收.22 5 交货准备.26 5.1 包装.26 QJ 100072008 II 5.2 运输、贮存.27 5.3 标识.27 5.4 发货时应提供的文件.27 6 说明事项.27 6.1 采购文件要求.27 6.2 操作.28 6.3 订购文件中应明确的内容.28 6.4 术语和定义.28 6.5 替代性.29 附 录 A（规范性附录）数据文件要求.30 QJ 100072008 III 前 言 本规范的附录A为规范性附录。 本规范由中国航天科技集团公司提出。 本规范由中国航天标准化研究所归口。 本规范起草单位：中国航天科技集团公司第一研究院、中国航天标准化研究所。 本规范主要起草人：张晖、管长才、蔡娜、周倜、王敬贤。 QJ 100072008 1 宇航用半导体分立器件通用规范 1 范围 本规范规定了宇航用半导体分立器件生产、鉴定、质量一致性检验以及使用方认定、采购、监制、 验收、补充筛选等质量保证的通用要求。 本规范主要适用于按照 GJB 33A1997 半导体分立器件总规范 进行质量控制的半导体分立器件 （以下简称器件） ，按照其他标准进行质量控制的器件亦可参照执行。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。 GB 2491989 半导体分立器件型号命名方法 GB/T 45871994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GJB 33A1997 半导体分立器件总规范 GJB 128A1997 半导体分立器件试验方法 GJB 548A1996 微电子器件试验方法和程序 GJB 762.21989 半导体器件辐射加固试验方法 总剂量辐照试验 GJB 8411990 故障报告、分析和纠正措施系统 GJB 923A2004 半导体分立器件外壳通用规范 GJB 40272000 军用电子元器件破坏性物理分析方法 QJ 1906A1997 半导体器件破坏性物理分析（DPA）方法和程序 QJ 3065.31998 元器件监制与验收管理要求 QJ 31642004 宇航用元器件供货单位质量保证能力的审查与认定 QJ 100042008 宇航用半导体器件总剂量辐照试验方法 QJ 100052008 宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南 MILSTD750E TEST METHOD STANDARD，TEST METHODS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES 3 要求 3.1 总则 3.1.1 器件承制方应满足 GJB 33A1997 和本规范的规定，应具备满足本规范规定的生产设备、试验 设备和质量保证大纲，或者具备对器件生产设备、试验设备和质量保证大纲控制的能力和手段。器件应 符合本规范及相应详细规范规定的所有要求， 当本规范的要求与详细规范不一致时， 应以详细规范为准。 为确保解释的统一性和在文件之间出现抵触时理解的统一性，应遵循以下优先顺序： a) 采购文件； QJ 100072008 2 b) 按照本规范制定的详细规范； c) 本规范； d) GJB 33A1997； e) 本规范引用的其它文件。 3.1.2 根据对器件质量保证的严格程度，质量保证等级从高到低分为 YA、YB 和 YC。 3.1.3 本规范规定的辐射强度保证等级分为八个等级，分别用字母 M、D、P、L、R、F、G 和 H 表示。 辐射强度保证等级的规定见表 1： 表 1 辐射强度保证等级 辐射强度保证等级 抗电离总剂量辐射能力（Gy（Si） 无 M 30 D 102 P 3102 L 5102 R 103 F 3103 G 5103 H 104 3.2 生产线认证和资格维持 应由国家授权的机构按照 GJB 33A1997 中 3.4.2.2 的规定对器件生产线进行认证。 3.3 鉴定或认定 3.3.1 鉴定 应由国家授权的机构按照 GJB 33A1997 规定对器件的质量进行鉴定。鉴定合格产品的资格维持 按照 GJB 33A1997 中 4.5.8 的规定。 3.3.2 认定 认定由使用方根据项目对器件的质量要求， 对承制方的生产能力进行考察， 对器件进行评估并对器 件的质量进行认定检验。若鉴定能够满足宇航对器件的质量要求，可不再进行认定。对已经认定合格产 品，出现重大质量问题或连续 2 年以上未供货时，由使用方重新进行认定。 认定包括以下 3 方面内容： a） 承制方评价。按照 QJ 31642004 的规定，对承制方的组织机构、生产能力进行考察，确定是 否适合生产宇航用器件。评价应至少包括：生产试验工具、设备、组织管理机构，承制方对生 产线的检查和控制能力，生产线的鉴定情况； b） 器件评估。对器件的整体情况进行评估，至少包括：建立器件评估程序，确定器件评估试验方 法、需要包括在过程识别文件（PID）中的内容； c） 器件试验评估。对器件评估试验的结果进行评估，确定是否满足预定的需求。 3.3.3 鉴定或认定合格产品的更改 鉴定合格产品的更改按照 GJB 33A1997 中 3.4.3 的规定。更改批准后，承制方在 5 个工作日内将 更改、批准的相关信息书面通知使用方。 非鉴定合格产品的更改应遵循以下原则： QJ 100072008 3 a） 承制方在对产品或质量保证大纲做出任何重大更改以致会影响产品的性能、质量、可靠性、辐 射强度保证、静电放电敏感度等级或互换性时，应事先通知使用方。通知书应包括更改的详细 说明，承制方提供相关的试验数据或拟采用的试验方案，以证明更改将不致影响产品的性能、 质量、可靠性或互换性、辐射强度保证和静电放电敏感度，并证明更改后的产品仍能满足规范 的要求； b） 使用方同意之后，方可进行更改； c） 重大更改以及更改项目的试验指南可参考 GJB 33A1997 中 3.4.3 的规定； d） 与更改相关的试验完成之后，承制方应在 5 个工作日内将试验结论通知使用方； e） 更改后，应重新通过使用方的认定。 3.4 结构分析 使用方根据需要制定结构分析方案，分析器件的设计、材料和工艺等是否满足使用要求。如鉴定或 认定时未进行结构分析或分析不充分时，应补做结构分析。 3.5 设计与结构 器件的设计与结构应符合 GJB 33A1997 中 3.5 的规定。 器件外壳应符合 GJB 923A2004 的规定。 3.6 禁用工艺和材料 禁用工艺和材料要求如下： a) 不应采用 GJB 33A1997 明确规定不允许的工艺和已经有明确数据表明不适合的工艺； b) 芯片表面不应涂有机胶，采用表面钝化工艺； c) 硅铝丝不应采用热压键合，键合点不应涂有机胶； d) 器件的管壳内不应使用干燥剂和有机材料，管壳内不应填入聚合物浸渍剂（填充料等） ； e) 禁止使用纯锡作为引线和壳体的最后涂覆。 3.7 返工规定 不允许在管壳密封前对晶片金属化层、氧化层、玻璃钝化层或任何互连的各层（如多晶硅，铝等） 进行补充淀积和对任何组装工艺进行返工。 3.8 外购芯片 3.8.1 总则 承制方采用外购芯片时，应遵循以下原则： a) 应获得鉴定机构的认可； b) 外购芯片的生产线应经过国内或国外鉴定机构的认证， 外购芯片的生产过程控制应符合鉴定机 构以及本规范的规定； c) 外购芯片应为已知合格芯片（KGD） ，并按照 3.8.4 的规定进行芯片评价；否则除按照 3.8.4 的 规定进行芯片评价之外，每晶片批还应按照 4.7 的规定进行鉴定检验。 d) YA 级器件不应采用外购芯片。 3.8.2 外购芯片相关信息 对以下各个方面，承制方应掌握足够的资料。当使用方有要求时，提交使用方审查： a) 外购芯片的质量和可靠性历史； b) 外购芯片供方的历史； QJ 100072008 4 c) 外购芯片供方生产线状况； d) 外购芯片供方与器件承制方的合作情况。 3.8.3 外购芯片质量等级要求 外购芯片质量等级要求如下： a) YB 级采用外购芯片时， KGD 的质量等级可为以下之一： 1) 国家军用标准 JCT 级或以上； 2) 美国军用标准 JANKC 级或以上。 3) 满足 ESCC 5000 规定。 b) YC 级采用外购芯片时， KGD 的质量等级可为以下之一： 1) 国家军用标准 JT 级或以上； 2) 美国军用标准 JANHC 级或以上。 3) 满足 ESCC 5000 规定。 3.8.4 外购芯片评价要求 按 GJB 128A1997 方法 5001 的要求对每个晶片批的外购芯片进行评价，项目及要求见表 2。 表 2 外购芯片评价要求 GJB 128A1997 分组 试 验 方法 YB 条件 YC 条件 n（c） 芯片内部结构检查 a 10（0） 1 芯片尺寸测量（长、宽、厚度）b 10（0） 2 电参数测试 按照适用的详细规范 25 25 100% 3 内部目检 c 2072，2073 按规定 按规定 100% 4 不合格品率计算 e PDA=10% PDA=15% 稳定性烘焙 1032 最高存储温度，340h 温度循环 1051 条件 B 条件 B 中间电测试 按照适用的详细规范 老炼 d 1038、1039、1040、1042 条件 B，240h 条件 B， 160 h 5 老炼后测试 按照适用的详细规范 10（0） 6 稳态寿命 d 1027 最高结温，340 h 10（0） 7 引线键合强度评价 2037 15（0） 8 扫描电子显微镜检查 （SEM） 2077 不要求 每个晶片随 机抽取 1 只 a 检查芯片版图结构是否符合预定要求。按每晶片批抽样，样品尽量分布在每个晶片。 b 检查芯片尺寸是否符合要求。按每晶片批抽样，样品尽量分布在每个晶片。 c 按每晶片批抽样，样品尽量分布在每个晶片。 d 管芯封装后进行。 e 第 2、3 分组记入 PDA。 3.8.5 标识 器件采用外购芯片时，按规定在器件外壳进行标识。 3.9 批失效处理 批失效可发生在生产控制、 筛选试验、 鉴定或认定检验、 质量一致性检验以及使用方的验收过程中。 若这种失效发生于鉴定、鉴定维持或 QPL 中器件的采购，承制方应将有关失效数量、失效模式和 可能的失效原因在 5 个工作日内以书面方式通知鉴定机构（如鉴定机构有要求时）和使用方。对失效批 QJ 100072008 5 次涉及的器件不得进行后续试验。 若这种失效发生于非QPL器件的采购，承制方应将有关失效数量、失效模式和可能的失效原因在5 个工作日内以书面方式通知使用方。若使用方无明确意见，对失效批次涉及的器件不得进行后续试验。 3.10 生产控制 3.10.1 总则 生产过程的最低要求规定于过程识别文件（PID）中。 除非详细规范另有规定，提交鉴定或认定、鉴定或认定维持、质量一致性检验和交付的所有器件均 按照相应质量保证等级的规定，按照图 1 的要求，进行生产控制。 若发生了批失效，承制方应按3.9进行处理。 a 抽样进行。 b 承制方应担保，不需试验。 c 若详细规范有规定或采购文件有要求。 d YA级、YB 级器件要求。 e 如使用方监制合格，可进行筛选试验。 图 1 生产控制 3.10.2 特殊的过程控制 3.10.2.1 封装前检验 封装前随机抽取 3 个样品进行检验。 检验应进行内部目检、键合强度和芯片剪切强度试验。 晶片质量控制 3.10.3.1 3.10.3.2 3.10.3.3 过程监督评审 d SEMa,d 总剂量辐射试验 a,c 器件生产控制 特殊的过程控制 3.10.2.1 3.10.2.1 3.10.2.1 3.10.2.2 3.10.2.3 内部目检(封装前检验) 键合强度(封装前检验) a 芯片剪切强度(封装前检验) a 封装 尺寸检查 a 重量 b 筛选试验 e QJ 100072008 6 内部目检按照按照 GJB 128A1997 的规定进行。键合强度和芯片剪切强度试验，试验样品应从通 过内部目检的器件中抽取，键合强度和芯片剪切强度试验使用同一组样品。只要有 1 个样品不通过，则 该批应视为失效。对所有内引线进行键合强度试验。 3.10.2.2 尺寸检查 仅对 3 个样品，按照详细规范的要求实施。 只要有 1 个样品不通过，就应对整批进行尺寸检查。 3.10.2.3 重量 应确保详细规范规定的器件最大重量时，但不需实测。 3.10.2.4 文件 特殊的过程控制的文件应按附录 A 中 A.2.5 编制。 3.10.3 晶片质量控制 3.10.3.1 过程监督评审 过程监督评审要求适用于 YA 级。 过程监督评审应按 PID 中描述的承制方统计过程控制（SPC）规则实施。 若一个或多个过程控制参数超出了 PID 规定的允许分布，相关晶片批应被拒收。 3.10.3.2 扫描电子显微镜检验 扫描电子显微镜检验要求适用于 YA 级和 YB 级器件。 按本规范供货器件的芯片所属晶片批应已按 GJB 128A1996 方法 2077 进行，并通过了扫描电子 显微镜检验。 3.10.3.3 晶片总剂量辐射试验 按照详细规范的规定或采购文件的要求，按照本规范 D 组检验的规定进行总剂量辐射试验，总剂 量量级按详细规范或采购文件的规定。 3.10.3.4 文件 晶片质量控制的文件应按附录 A 中 A.2.6 编制。 3.11 承制方外协控制 器件生产、质量保证过程应在器件承制方完成。如果某些项目需要外协，器件承制方应建立合格外 协单位管理制度，对外协单位的资质进行审查，形成合格外协单位清单。 YA 级器件承制方外协单位发生变化时，应征得使用方的同意；YB 级和 YC 级器件承制方外协单 位发生变化时，应通知使用方。 3.12 信息交换与失效报警要求 批失效报告按照 3.9 的规定处理。 对于使用方使用过程中反馈的失效问题， 承制方在5 个工作日内， 将失效问题以及处理结果通报使用方。 使用方补充筛选过程中，如发现器件失效属于固有问题，承制方有责任对失效原因进行分析。在失 效模式、失效原因明确后，承制方 2 日内将失效分析结论通知所有使用方。承制方应针对失效模式和失 效原因确定改进措施，并在改进措施确定后的 5 个工作日内以书面方式通知所有使用方。 3.13 外购材料控制要求 3.13.1 总则 承制方应对外购材料生产厂的生产和鉴定资格进行确认。 外购材料至少包括外壳、 晶片、 粘接材料、 QJ 100072008 7 键合丝等。 应制定外购材料入厂检验文件，文件中应说明检验的方式、抽样与检验的程序，接收、拒收的判据 以及试验实施的周期。 3.13.2 材料状态 对 QPL 器件，材料状态变化时，承制方在 5 个工作日内将状态变化的相关信息书面通知鉴定机构 （如鉴定机构有要求）和使用方； 对非 QPL 器件，材料状态变化时，承制方在 5 个工作日内将状态变化的相关信息书面通知使用方。 3.14 可追溯性要求 3.14.1 外购关键材料 外购关键材料应能追溯到其生产批、 检验批或其他规定的编组。 外购关键材料入厂检验报告应在承 制方至少保存 20 a。 3.14.2 生产过程 对交货的每个器件都应可追溯到封装批和晶片批。 批流程卡应在承制方至少保存 20 a。 3.14.3 质量一致性检验样品和试验报告 质量一致性检验样品和试验报告（含测试数据）应在承制方至少保存 20 a。 3.14.4 筛选试验报告 筛选试验报告（含测试数据）应在承制方至少保存 20 a。 3.14.5 验收报告 验收报告、验收试验数据以及 DPA 报告在承制方至少保存 20 a。 3.15 可交付的器件要求 按本规范交付的器件应按相关的 PID 进行制造和检验。按本规范交付的器件应已完成所有要求的 试验。 3.16 标志 器件上的标志应满足 GJB 33A1997 中 3.7 和使用方的特殊要求，并在标志前端增加宇航用标志 “YA”、“YB”或“YC”，后端增加外购芯片标志。 3.17 器件总剂量辐射试验 对于 QPL 及 QPL 维持，若详细规范有要求，应按详细规范的规定进行电离总剂量辐射试验。 对于采购， 若采购文件要求， 应按详细规范规定的量级或采购文件规定的可选量级进行电离总剂量 辐射试验。 被采购器件的鉴定状态不受所施加总剂量量级变化的影响。 未通过所要求量级总剂量辐射试验的器件，若试验结果满足较低量级要求，可按该辐射量级接收。 在此情况下，该批标识中的总剂量辐射量级字母应作相应改变。 3.18 使用方监制和验收 3.18.1 总则 使用方有权对与产品技术、质量有关的任何试验和检验进行检查，但产品的质量由承制方负责。 使用方进行监制和验收工作时，承制方应提供相应器件的 PID。 使用方派质量代表到器件承制方， 根据采购文件规定的品种及技术条件， 对制造中的器件进行质量 QJ 100072008 8 检验、控制和对提交的完成生产的合格品进行验收，并了解承制方的质量管理情况。在监制或验收过程 中出现严重质量问题或不合格器件比例较大时， 应停止监制或验收工作， 并责成承制方重新检验或拒收 有质量问题的批次。监制和验收的管理应符合 QJ 3065.31998 的规定。 3.18.2 使用方监制 监制可采用以下两种方式： a) 监制人员对器件承制方的重点工序进行逐批监控； b) 监制人员驻厂，从投料开始对器件生产全过程进行监督。 监制工作至少包括封帽前内部目检，监制工作按照 4.5 的规定进行。 3.18.3 使用方验收 除非另有规定，器件在筛选、质量一致性检验后由使用方进行验收，验收的项目和要求按照 4.9 的 规定。 4 质量保证规定 4.1 总则 对器件的质量保证应按 GJB 33A1997 第 4 章以及本规范的要求实施。 4.2 检验分类 本规范规定的检验分类如下： a) 使用方监制； b) 承制方筛选； c) 鉴定或认定检验； d) 质量一致性检验； e) 使用方验收； f) 使用方补充筛选。 4.3 破坏性试验和非破坏性试验 除非另有规定， 按照 GJB 33A1997 中 4.3.3.1 和 4.3.3.2 的规定区分破坏性试验和非破坏性试验。 除非另有规定， 承受了破坏性试验的器件不能作为合格品交付使用。 承受了非破坏性试验的器件通 过验收可作为合格品交付使用。 4.4 试验和检验的环境条件 环境条件要求如下： a) 电测量环境温度要求：25 +3 - 5； b) 其它试验环境温度要求： （2510）； c) 环境气压 86kPa106kPa。 4.5 使用方监制 除另有协议外，使用方监制按下列规定进行： 使用方或其委托单位可以对承制方的质量保证体系、产品设计与结构、材料、外购件、制造工艺等 进行监督检查，并对与产品技术、质量有关的任何试验和检验进行检查，但产品的最终质量由承制方负 责。 QJ 100072008 9 4.6 承制方筛选 4.6.1 总则 除非详细规范另有规定，在鉴定或认定检验、质量一致性检验之前对全部器件进行筛选。 在试验和检验前所有器件均应编序列号。除非详细规范另有规定，试验的顺序应按表 3 的规定。不 满足规定要求的所有器件均应剔除，且不得再次提交筛选。 4.6.2 承制方筛选的项目和方法 承制方筛选按照表3规定的项目、方法和要求进行。 表 3 筛选项目和方法 序 号 项目 GJB 128A1997 方法号 条 件 YA 要求 YB 要求 YC 要求 1 晶片批接收 5001 按规定 2 非破坏性键合拉力 GJB 548A1996 方法 2023A 按规定 功率 FET 2069 微波晶体管 2070 晶体管 2072 二极管芯片 a 2073 3 内 部 目 检 （封帽前） 二极管 2074 100 100 100 4 高温寿命 非工作寿命（稳定性烘焙） 1032 最大贮存温度 Tstgmax 可选 温度循环（空气空气） 1051 试验条件 C 或最大贮存温度， 取小者，至少 20 次循环 浪涌（按规定）b 4066 条件 B，按规定 功率 FET 3161 双极型晶体管 GB/T 45871994 IV，11 IGBT 3103 GaAs FET 3104 5 热响应（按 规定） 二极管 GB/T 40231997 IV，2 按规定 100% 6 恒定加速度 （柱式器件和熔焊键合二极管 不要求） （见 GJB 33A1997 中 4.6） 2006 Y1 方向，加速度至少 196 000m/s2；对于 TC25 时功率额定值10W的器件， 加速度至少为 98 000m/s2； 但对带内匹配的微波功率器 件加速度至少为 9 800m/s2； 保持 1 分钟的要求不适用 100 7 粒子碰撞噪声检测 c （PIND） 2052 条件 A 100 见 GJB 33A1997 中 4.6.4.2 a）正向不稳定性 冲击试验（FIST） 2081 8 不 稳 定 性 冲击试验 d （ 仅 对 轴 向 引 线 二 极管） b） 反向不稳定性 冲击试验（BIST） 2082 100% QJ 100072008 10 表 3（续） 序 号 项目 GJB 128A1997 方法号 条 件 YA 要求 YB 要求 YC 要求 9 编序列号 见 GJB 33A1997 中 3.7.9 100% 10 中间测试电参数 按规定 100%（读 取并记录 数据） 对管壳安装的整 流管按规定 晶体管 1039 根据适用情况，至少为额定值 VCB（双极型晶体管） 、VGS（场 效应晶体管）或 VDS（场效应晶 体管）的 80%。试验条件 A； 功率 FET 1042 至少为 VGS额定值的 80。试 验条件 B； 11 高温反偏 （HTRB） 二极管和整 流管 （发光二 极管和齐纳 二极管除外） 1038 至少为 VR额定值的 80或 VRWM 的 95%100， 当规定 半正弦波条件时，试验条件 A。 100%e 12 计算电参数的（）变化 量及不合格品率 按规定，但最少应包括全部 （）变化量，在进行其它任 何测试之前应测试每个器件的 漏电流 100%，（测 试所有要 求的电参 数；在去 掉HTRB 所加电压 后 16h 内 测试漏电 流；记录 有（） 变化量要 求的电参 数） （见筛 选 14） 100% （测试所有 要求的电参数； 在去掉 HTRB 所 加电压后 24h 内 测试漏电流；记 录有（）变化 量 要 求 的 电 参 数） （见筛选 14） QJ 100072008 11 表 3（续） 序 号 项目 GJB 128A1997 方法号 条 件 YA 要求 YB 要求 YC 要求 双极型晶体 管 1039 按规定 试验条件 B 100% 至少 240h 100% 至少 160h 100% 至少 160h 功率 FET 1042 试验条件 A 至少 240h 至少 160h 至少 160h 齐纳二极管和 整流二极管 试验条件 B 至少 240h 至少 96h 至少 96h 管壳安装的 整流器 1038 试验条件A， YB、 YC级； 试验条件 B，YA级 不适用 至少 240h 至少 48h 不适用 至少 48h 不适用 13 功率老炼 阐流晶体管 f 1040 至少 240h 至少 96h 至少 96h 按规定 100% 100% 100% PDAg的中间 电 测 试 和 （） 变化量 从老炼条件后下取出 的必须在 96h 内完成 全部中间电参数和规 定变化量的参数测试 A2分组， 读 取并记录中 间电测试参 数和（） 变化量 A2分组， 读 取并记录中 间电测试参 Z数和 （） 变化量 A2 分组， 读 取并记录中 间电测试参 数和（） 变化量 14 终点测试 （见 GJB 33A1997 中4.6和4.6.5） 其它电参数 A3 分组 15 特性曲线测试 按规定 100% 细检漏 试验条件 H1 100% 100% 100% 16 密封 h 粗检漏 1071 试验条件 C 17 X 射线照相 i 2076 100% 18 外观和机械检查 2071 打标志之后进行 100% 100% 100% a 应在筛选项目 9 之前的任一时间进行透明玻璃封装二极管的目视检查（方法 2074） 。 b 仅适用于二极管和整流器，应在筛选项目 14 之后的任一时间进行。当浪涌电流和热响应试验都要求进行时，应 先做浪涌试验。 c PIND 不适用于其内部和外部挤压连接（电接触到芯片）的任何器件、光耦合隔离哭和双插头式二极管。当合 同或订货单规定时，PIND 筛选可在筛选项目 6 后的任一时间进行（见 GJB 33A1997 中 3.7.6.1） 。 d 双插头式二极管、螺栓安装二极管或玻璃钝化实体封装二极管，可不做 BIST 和 FIST 试验；温度补偿基准二极 管也可不做 FIST 试验。 e 仅适用于 YA级器件，V Z10V 的齐纳二极管在标称值 VZ的 80%85%下，进行高温反偏试验，VZ10V 的器 件可不做该项试验。 f 对 YC 和 YB 级的所有阐流晶体管，应采用全波阻断试验代替功率老炼。 g 第 12 和 14 项 PDA总和，YA级为 5%，YB 和 YC 级为 10%。 h YA的密封筛选可在最终电测试后按任一顺序进行，密封试验前不得给玻璃封装二极管上漆。 i 在最后测试之后，YA级器件的 X 射线照相和密封筛选试验可按任一顺序完成。 4.6.3 热响应 大电流（大于等于 5A）二极管、大功率（大于等于 10W）晶体管按 GB/T 45871994、GJB 128A 1997 相关方法进行瞬态热阻测试，并在产品详细规范中规定合格判据。 4.6.4 高温反偏及功率老炼 4.6.4.1 在详细规范中应规定表3第13项100%功率老炼的中间测试和终点测试中要测的电参数及允许 的变化量（）范围。 4.6.4.2 通过对能进行热阻测量的样本实测产品的稳态热阻数值，器件应控制到最高结温进行功率老炼。 4.6.4.3 对于重新提交功率老炼， 若无其它规定， 只有当不合格品率不超过规定 PDA 的两倍或 20% （取 较大者）时，才可将该批再次提交老炼，并且只准提交一次。