TEA1791AT芯片介绍

TEA1791AT芯片使用简介1、芯片封装以及管脚定义 芯片采用SO-8封装，管脚定义如下图所示：1SRSENSE检测同步时序输入2GND基准地3、5、6、7n.c空置管脚，不接4DRIVER整流MOS管的驱动输出8VCC芯片供电电源芯片的内部结构如下图所示：2、功能描述 2.1 简介l TEA1791AT芯片是一种应用在非连续控制模式以及准谐振反激式电源上的同步整流控制芯片。l 宽范围供电（8.5V到38V）l 集成度高，外部电路简单l 输出高达10V的驱动电压，能将被驱动的MOSFET管的RDSon降到最低2.2 欠压锁定模式的启动和恢复条件TEA1791AT芯片具有欠压保护功能。当芯片电压跌落到8V（典型值）以下，芯片会进入到欠压保护模式中，SR Driver管脚保持低电平状态。当芯片的VCC电压上升到8.5V（典型值）的时候，芯片重新被激活，恢复正常控制模式。2.3 同步整流同步整流波形图如下图所示：当芯片的SRSENSE管脚检测到负电压（典型值为-310mV），芯片的Driver管脚输出高电平，驱动外部MOS管导通。当SRSENSE管脚上的电压上升到-55mV后，芯片会开始调节Driver管脚上的输出，以保持SRSENSE管脚上的电压保持在-55mV上。当SRSENSE管脚上的电压达到-12mV以上的时候，芯片的Driver管脚输出会被下拉到基准地电平。当芯片TEA1791AT芯片的SRSENSE管脚上检测到-310mV（典型值）和-12mV（典型值）两个特征点信号变化，需要改变Driver管脚输出状态时，这时芯片内部会有0.93s（典型值）的信号保持期，这个保持期会持续检测SRSENSE脚上的输入信号，判断信号为真正的特征点。这个保持期消除了在高频环境下由二次冲击引起的错误通断MOS管的情况。只有芯片SRSENSE管脚上的信号保持0.99s（典型值）以上，芯片Driver管脚才重新输出（可以参见芯片内部结构图）。外部整流MOS管在导通后，芯片SRSENSE管脚上的电压会上升，芯片的Driver管脚必须在SRSENSE管脚检测到电压达到-55mV后尽快输出高电平，这样在次级回路上的电流下降到零的时候，整流MOS管才能尽快关断。这种检测零电流-关断回路的控制方法，能让电路在没有备用模式的情况下保持电源系统在无负载情况下的高效率。2.4 驱动芯片的驱动电路能给外部整流MOS管的门极提供250mA的典型驱动电流，同时具备高达2.7A的吸收电流的能力。强劲的电流吸收能力能让MOS管高效的快速通断。驱动即作为驱动源的时候是耦合在了芯片内部的TIMER上的，当TIMER完成滤波判断，进行输出后，驱动源要求能提供一个小电流（典型值为5mA）用来保持Driver的管脚输出。通常情况下，Driver在作为输出源提供250mA驱动电流的时间会比最小同步整流的有效时间（tact(sr)(min)）短上100ns。Driver管脚的输出电压限定在10V（典型值），这样的高电位输出能让几乎所有MOSFET管在打开时的导通电阻做到最小。在启动（(VCC Vstartup）和欠压保护锁定的时候，Driver管脚会被下拉为低电平。3、使用限制 所有电压都是对基准地而言（第2号管脚），正电流表示是流入芯片符号参数条件最小最大单位电压VCC供电电压连续-0.4+38VVSRSENSE检测管脚电压连续-120V电流IDRIVER驱动管脚电流占空比10%-0.8+3AISRSENSE检测管脚电流-3-mA一般情况Ptot总功耗环境温度80-0.45WTstg存储温度-55+150Tj焊接温度-40+150VESD静电放电电压（2级）人体放电-2000V机械-200V带电设备-500VVCC脚上的特性符号参数条件最小典型最大单位Vstartup启动电压8.28.58.8VVhys延迟电压【1】-0.5-VICC(oper)操作电流VCC = 8 V (VCC Vstartup)-0.65-mA正常操作无负载-0.95-mASRSENSE脚上的特性Vact(drv)激活电压-340-310-280mVVreg(drv)调整电压-65-55-45mVVdeact(drv)关闭电压-12-mVtd(act)(drv)延迟-125-nstact(sr)(min)最小同步整流时间短时间0.70.931.16s长时间0.750.991.23sDriver脚上的特性Isource驱动电流VCC = 15 VDRIVER = 2 V-0.3-0.25-0.2AIsink吸收电流VCC = 15 VDRIVER = 2 V11.4-AVC