CELL制程简介.ppt

2020/5/30,INTRODUCTIONOFCELLPROCESS,2020/5/30,Page-2.,AlignmentSection配向段製程AssemblySection組立段製程LCSection液晶段製程,CellProcessofcolorTFT-LCD,2020/5/30,Page-3.,AlignmentSection,2020/5/30,Page-4.,AssemblySection,2020/5/30,Page-5.,LCSection,2020/5/30,Page-6.,AlignmentSection,2020/5/30,Page-7.,製程目的將Array部份做完的TFT基板，切割成SingleorDoublesize製程參數切入量：0.25mmScribe速度：250mm/secScribe壓力1,2：1.8kg/cm2製程管制BarCode情報切割精度chipping,1stCut,2020/5/30,Page-8.,全板550 x6502up550 x314.91up,基板分割方式,2020/5/30,Page-9.,製程材料或治具刀刃角度：125製程異常與FA分析切割偏移Bezel衝突毛邊Bezel衝突ChippingShock、Vibration、可靠度破裂缺損Shock、Vibration、可靠度,1stCut,2020/5/30,Page-10.,製程目的將基板的長、短邊及轉角部份，加以研磨製程參數磨石旋轉速：5000rpm研磨速度：長邊、短邊部份：4500mm/secCorner部份：2000mm/sec製程管制面取量：0.20.1mmCorner：1.00.5mm基板外觀尺寸：150150mm,EdgeGrind,2020/5/30,Page-11.,製程材料或治具磨石粗糙度製程異常與FA分析ChippingShock、Vibration、可靠度破裂缺損Shock、Vibration、可靠度,EdgeGrind,2020/5/30,Page-12.,製程目的以DIW清洗研磨後的基板製程參數搬送速度：2000mm/minSW1,2流量：30L/minCJ壓力：15kg/cm2AirKnife壓力：第一層上：0.9kg/cm2第一層下：0.8kg/cm2,Cleaning,2020/5/30,Page-13.,AirKnife,2020/5/30,Page-14.,製程目的以UVO3方式清潔CF基板製程參數搬送速度：2600mm/min1stAirknife上、下壓：0.75kg/cm2、0.7kg/cm22ndAirknife上、下壓：0.8kg/cm2、0.75kg/cm2UV電壓：85VUV照度：0.99J/cm2Coolingair流量：1600L/min,CFCleaning,2020/5/30,Page-15.,製程目的配向膜PI塗佈前之清洗製程參數洗劑濃度/溫度：0.5%40C搬送速度：1600mm/minBrush押入量：1mm洗淨Shower流量：15L/minMS流量：36L/minMS輸出Level：100WAirKnife：上/下壓：0.9kg/cm2、0.8kg/cm2IR爐：150170C,Pre-PICleaning,2020/5/30,Page-16.,製程管制ParticlesCount製程異常與FA分析水漬殘留PI水紋狀MuraParticlesCell內異物,Pre-PICleaning,2020/5/30,Page-17.,Pre-PICleaning,Roll/BrushShower(LH-300)HighPressureShower(DIW)UltraSonicClean(DIW)MegaSonicClean(DIW)SilaneShower(DIW)AirKnifeIRCoolingDryAir(CDA),2020/5/30,Page-18.,UltraSonicVibrator,2020/5/30,Page-19.,MegaSonicVibrator,2020/5/30,Page-20.,製程目的利用APR板轉印的方式塗佈配向材料Polyimide製程參數AnyloxRoller和印刷Roller間的nip值印刷Roller和基板間的nip值Stage走行速度，filmthicknessDispenser的PI滴下量，filmthicknessDoctorRoller的押入量，filmthicknessDoctorRoller的速度，filmthickness,PICoating,2020/5/30,Page-21.,製程管制製程時的濕度必須保持在455%Coating初步的厚度約10000Pre-Curing完之厚度約750250製程材料PISE-7492，polyimide+r-butyllacton混合溶液比例：5%solidcontent特性：Pre-tilt角度小，高保持率，低殘留DC,PICoating,2020/5/30,Page-22.,製程治具APR板製程異常與FA分析PI膜厚不均PI斑、PIMuraRoller刮傷PIMuraParticle殘留Cell內異物APR板不潔Cell內異物、Pin-Hole溼度過高殘留DC值高殘像,PICoating,2020/5/30,Page-23.,製程目的LevelingofPIFilm溶媒的蒸發製程參數Pre-Curing的溫度排氣的風壓HotPlate上頂出pin的位置與高低製程管制HotPlate的設定溫度150C基板上的實際溫度80CHotPlate到基板間的距離2.5mm,PIPre-Curing,2020/5/30,Page-24.,製程異常與FA分析溫度過高或過低膜厚不均PIMura排氣的風壓不均勻溶媒揮發不一致PIMuraPin的位置於面內PIMuraPin的位置太高或太低溫度不均PIMura,PIPre-Curing,2020/5/30,Page-25.,製程目的自動檢查及人工檢查PICoating製程之異常檢查項目PI剝落Pin-HoleMuraPriticles,PIInspection,2020/5/30,Page-26.,製程目的為使polyamicacid完全轉化polyimide，並將溶媒完全蒸發，而使配向膜定形，達到硬化目的製程參數Main-Curing的溫度Chamber內以N2氣體Purge製程管制IR溫度220C時間12分鐘N2氣體Purge流量300L/min,PIMain-Curing,2020/5/30,Page-27.,製程異常與FA分析溫度過高ColorFilter變質溫度過低Pre-tiltangle下降、Polyimide轉化率低溼度過高殘留DC值高殘像,PIMain-Curing,2020/5/30,Page-28.,製程目的利用摩擦配向法使液晶分子均一地往相同方向排列製程參數滾輪基板間間隔：1.5mm滾輪旋轉數：480rpmRubbingStageSpeed：60mm/sec滾輪角度設定：45.7AirKnifeStageSpeed：500mm/sec,Rubbing,2020/5/30,Page-29.,製程材料或治具研磨布：棉(8007-090D)YA25-C製程異常與FA分析壓毛量過深PI會剝落壓毛量過淺Rubbing的密度不均勻Rubbing-siju對角線方向等間隔的線狀Mura,Rubbing,2020/5/30,Page-30.,製程目的與原理清除Rubbing製程後所殘留的毛屑或particles製程參數及製程管制洗淨液溫度：40洗淨區US輸出：300WMS輸出Level：100W頻率：1.6MHzSpin旋轉速：2000rpmIR爐：160冷卻Air量：1600L/min,AfterRubbingCleaning,2020/5/30,Page-31.,製程材料或治具LH-300製程異常與FA分析Rubbing毛屑Cell內異物ParticlesCell內異物水漬殘留PI水紋狀Mura,AfterRubbingCleaning,2020/5/30,Page-32.,製程目的與原理塗佈CFandTFT基板組立時的封著劑製程參數及製程管制纖維徑：6mm纖維混合比：（1：100）脫泡：游星式脫泡330sec，真空脫泡900sec噴嘴內徑：0.3mm噴嘴基板間間隔：70mm塗布速度：50mm/s塗布量：6700200mm2,Sealing,2020/5/30,Page-33.,製程材料或治具Sealant(99%)：XN-256A-YGlassFiber(1%)：PF-60S製程異常與FA分析精度偏移2ndCut切割裂片不良Pattern斷線液晶注入不良Seal塗佈量不足基板間接著不密合液晶注入不良,Sealing,2020/5/30,Page-34.,製程目的與原理使用光切斷顯微鏡，檢查Seal的塗佈量製程參數及製程管制塗布量：6700200mm2全周檢查：共檢查12點的寬幅,SealInspection,2020/5/30,Page-35.,製程目的與原理加熱去除Sealant中的水份及溶劑，並使Epoxy進行初步聚合反應製程參數及製程管制暖爐設定：80爐內處理時間：10min,SealCuring,80,2020/5/30,Page-36.,製程異常與FA分析溫度過高Epoxy已產生硬化反應溫度過低Epoxy中的水份或溶劑含量過多Sealant形狀變形,SealCuring,2020/5/30,Page-37.,製程目的與原理在Seal外緣適當位置點膠，做為和TFT基板導通用電氣訊號通路製程參數及製程管制噴嘴內徑：0.15mm押入量：300mm塗布時間：100ms塗布量規格：950019500mm2只檢查最終打點/塗布前有塗布Dummy,Transfer,2020/5/30,Page-38.,製程材料或治具銀膠：XA-220F製程異常與FA分析塗佈高度異常漏光,Transfer,2020/5/30,Page-39.,製程目的與原理噴灑散佈直徑一致的Spacer，用以保持CF與TFT基板間的液晶層的CellGap製程參數及製程管制平均密度：11030ea/mm2散佈時間：10secNozzle距離：1150mmFeeder回轉數：1.65rpmN2壓：3.0kgf/cm2Nozzle往復回數：2回槽內溼度：35%,SpacerSpray,2020/5/30,Page-40.,製程材料或治具Spacer：KXM-520製程異常與FA分析溼度過高Spacer散佈時結塊Spacer聚集平均密度不良GapMura面內均勻度不良GapMura經後製程加壓Spacer破裂點Mura,SpacerSpray,2020/5/30,Page-41.,AssemblySection,2020/5/30,Page-42.,製程目的與原理利用UV假固定劑，在CF與TFT做精確對位後貼合，以UV光照射硬化，以固定基板間位置製程參數及製程管制Alignment目標：06mmMount壓：2kgf/cm2時間：2.5secUV照射量：100mW/cm2Delay時間：初次：4sec(1520mm)第二次以後：1sec(5mm),Assembly,2020/5/30,Page-43.,製程目的與原理利用加壓治具施給固定壓力於貼合後之基板，再將Sealant置於Oven中，加熱加壓使Sealant完全硬化後，可以達到所設計之Gap值製程參數及製程管制加壓力：350kgf150保持約110min,SealingHotPress(MS2)260mm/secScribe速度2：(MS1)255;(MS2)200mm/secChip押入量：0.15mmBreak壓力1：0.17/0.12/0.11Break壓力2：0.16/0.11/0.12BreakBarTimer：0.6sec,2ndCut,2020/5/30,Page-47.,製程材料或治具刀刃角度：125墊子：sun-map0.5(t)mm製程異常與FA分析切割偏移Bezel衝突毛邊Bezel衝突ChippingShock、Vibration、可靠度破裂缺損Shock、Vibration、可靠度製程異常與FA分析,2ndCut,2020/5/30,Page-48.,LCSection,2020/5/30,Page-49.,製程目的與原理加熱加壓將水氣及溶劑分子由Cell中釋出，再利用真空排氣將之抽出製程參數及製程管制加壓力：1.5atm加壓加熱溫度：140加壓加熱時間：130min排氣(真空)時間：35min真空加熱溫度及時間：135、74min冷卻時間：62min,VacuumAnnealing,2020/5/30,Page-50.,製程異常與FA分析加熱真空抽氣不完全Sealant將於Cell內釋出氣體在液晶注入時Cell的角落將有氣泡產生,VacuumAnnealing,2020/5/30,Page-51.,製程目的與原理利用大氣壓力及毛細管原理，將液晶注入到CF及TFT基板間的Gap內製程參數及製程管制真空排氣時間：10min真空保持壓力：0.09torr(12pa)真空保持時間：215minCellDip時間：0min大氣壓注入時間：240min,LCInjection,2020/5/30,Page-52.,製程材料或治具液晶：TM-9808LV(Merck)製程異常與FA分析Cell注入口沒有完全接觸到液晶液晶未灌滿液晶真空抽氣、脫泡不完全在液晶注入時Cell的角落將有氣泡產生液晶注入太快Spacer被沖力移動Spacer刮痕,LCInjection,2020/5/30,Page-53.,LCSection,2020/5/30,Page-54.,製程目的與原理利用接觸式加壓，將多餘液晶由Cell內壓出拭去，再使用UV封止劑將注入口封住製程參數及製程管制Gap值：4.80.4mm吸入量：0.10.6mm封止劑高度：0.5mm以下加壓保持：299KG210min減壓：216KG60secUV照射量：2000mj/sec,EndSealing,2020/5/30,Page-55.,製程材料或治具封止劑：A-704-400製程異常與FA分析加壓不足Gap過高面狀MuraDispenser點膠偏移注入口液晶漏減壓時間過久封止劑吸入量過多注入口處MuraPolyfronSpacer上有異物殘留加壓不均勻GapMura封止劑中雜質污染液晶EndSealMura,EndSealing,2020/5/30,Page-56.,LCSection,2020/5/30,Page-57.,製程目的與原理清洗基板表面及基板在加壓時所被擠出的液晶製程參數及製程管制洗淨濃度：99.25%(25%原液濃度)洗劑溫度：532US輸出：80%溫純水溫度時間：6060秒,液晶取洗,2020/5/30,Page-58.,製程材料或治具Naturesweeper2（烏龍茶）製程異常與FA分析UltraSonic頻率及功率設定不當導致洗劑或水分由注入口封止處滲入注入口處Mura真空氣泡,EndSealCleaning,2020/5/30,Page-59.,製程目的與原理加熱至液晶的Tc點後，恒溫至設定時間結束，再以冷卻方式使液晶再配向製程參數及製程管制昇溫溫度：120恒溫溫度：120製程異常與FA分析Annealing不良影響Pre-tiltangle、Reverse-tiltdomain、Reverse-twistdomain,Isotropicoven,2020/5/30,Page-60.,製程目的與原理在基板上下各放罝一片偏光片，並使用光箱來檢查製程參數及製程管制Gap值：4.80.4mmEndSeal進入Cell的距離：0.10.6mmEndSeal的塗佈高度EndSeal的塗佈寬度,Inspection,2020/5/30,Page-61.,LCSection,2020/5/30,Page-62.,製程目的與原理磨掉ShortingRing部份，研磨Pad邊緣處玻璃銳角，並且磨掉Pad處之轉角製程參數及製程管制磨