3528系列贴片发光二级管的封装技术与应用.doc

3528系列贴片发光二级管的封装技术与应用成果序号：001成果类别：电信完成单位：广州市鸿利光电子有限公司研究时间：2006.06 至2007.10课题来源：自选成果体现形式：新工艺成果所处阶段：成熟应用阶段成果属性：原始性创新成果水平：国内领先应用状态：稳定应用转让范围：允许出口联 系 人：裴小明联系人电话系人email：简要技术说明： 任务来源： 项目产品3528系列贴片发光二极管是2006年度国家鼓励和支持的高新技术产品片式超亮发光二极管（编号：01060012）的一个代表性系列品种，有着巨大的市场前景。本项目属计划外自选。 鸿利光公司于2006年6月成立了“片式高亮发光二极管（SMD LED）研发小组”，通过引进先进的生产设备，主要针对SMD LED的封装技术及结构设计展开研究，不断从发光效率、发光强度、光学特性及可靠性完善SMD LED的封装技术，其中以TOP LED中的3528系列产品为项目研究的重点。 应用领域和技术原理： 片式超亮发光二极管(SMD LED)主要应用于LCD背光源、大屏幕显示、手机、汽车仪表盘及灯具、装饰照明等要求小型化和精细化安装的照明产品。片式发光二极管(SMD LED)是当一定电流通过时能发出一定颜色光的一种小型化表面贴装式的半导体发光器件，主要有两种结构：一种为金属塑料支架片式LED（俗称TOP LED），另一种为PCB片式LED（俗称CHIP LED），其技术原理与传统的直插式LED基本相同。SMD LED的核心是芯片，LED的基本光电特性主要取决于芯片；同时，封装对SMD LED的最终性能也起着至关重要的作用。LED封装就是将芯片与电极引线、支架和透镜等组件通过一定的工艺技术结合在一起，使之成为可直接使用的发光器件的过程。 成果的创造性、先进性： 采用金属底座塑料反射腔式的结构设计，通过将芯片的光有效萃取和导出的技术，以及提高萤光粉的激发效率（对白光而言）和降低热阻等方法，提高TOP LED的发光效率。 通过出光通道的设计，优化萤光粉的配方与涂覆的工艺方法，改善TOP LED的光学特性，提高白光的显色性。 通过改良芯片固晶和胶体灌封工艺，采用改性硅胶固晶和高耐候性的光学硅胶灌封，降低LED的光强衰减。 采用等离子清洗技术，改善晶片电极与金线之间的键合及封装胶与反射腔体的结合，提高产品品质及可靠度。 开发TOP LED 球头透镜一体化成型模造技术，提高SMD LED的法向光强和可靠性。 采用全自动化的荧光粉精密涂覆技术，改善白光LED的光色一致性。 本项目研究的TOP LED红光亮度达到470mcd；黄光亮度达到640mcd；绿光亮度达到1070mcd；蓝光亮度达到280mcd；白光亮度达到2100mcd，且白光在IV=19002100mcd、TC=700010000K时，显色指数Ra80。符合背光源、显示屏、手机等产品的照明应用要求光源。 推广应用的范围、条件和前景以及存在的问题和改进意见： LED 产品具有低功耗、长寿命、节能环保等优点，是新一代的绿色环保光源，有非常大的市场潜力。据有关机构调查资料显示，国内目前LED市场大约为50亿60亿元并以每年20%的速度增长，但国内企业市场占有率不足1/3，国际大公司和我国台湾公司仍然在内地的高亮度LED市场中占据主导地位。因此，我国LED企业只有不断扩大规模，提升应用水平，才能在不断加剧的市场竞争中得到更好发展。目前，片式超亮发光二极管(SMD LED)主要应用于LCD背光源、大屏幕显示、手机、汽车仪表盘及灯具、装饰照明等要求小型化和精细化安装的照明产品。 世界光电子产业的发展推动LED的变化发展，相信随着LED产业的发展会有更多的资金投向LED的研究和生产，因此现有超高亮度、蓝色、绿色LED的技术为少数厂商垄断将会突破，预计产品成本会有大幅度的下降，从而促进市场再开发，应用的再拓展。 虽然TOP LED在各项技术有了很大突破，同时也还存在一些尚待解决的问题，如TOP LED在过回流焊过程中，由于塑料支架不耐高温，会出现轻微的胶体变色，影响外观及发光强度。鉴于此问题将通过在塑料里面掺入陶瓷粉以增加其耐温性能，已经取得了明显的效果，还需要通过不断的试验验证持续改善。鉴定意见：2007年11月10日，广州市科技局组织并主持在花都召开了由广州市鸿利光电子有限公司完成的3528系列贴片发光二极管的封装技术与应用科技成果鉴定会。鉴定委员会专家听取了项目的技术研究报告、工作总结报告、查新报告、检验报告、用户使用情况报告等，审阅了相关资料，考察了现场，经质询和答疑，形成鉴定意见如下：1、所提供的技术文档资料齐全，符合科技成果鉴定要求。2、该成果采用仿真模拟技术进行光学结构和散热结构的设计，选用高耐候性、高导热性、高粘着力的粘接胶进行固晶，优化荧光粉的配料与涂覆工艺，配以高耐候性、高折射率的封装胶进行灌封，研发和制造出高发光效率、高显色性、低衰减的表面贴装LED。3、通过对金属底座塑料反射腔式的结构、出光通道的优化设计以及自主开发了TOPLED球头透镜一体化成型模造技术，降低了器件的热阻，提高了TOPLED的发光效率和可靠性。4、通过改良芯片固晶、胶体灌封工艺和采用等离子清洗技术，降低了LED的光强衰减，改善晶片电极与金线之间的键合及封装胶与反射腔体的结合，提高了3528系列贴片发光二极管的技术性能。5、该成果申请了5项专利，其中发明专利1项，具有自主知识产权。 鉴定委员会专家一致认为，该成果在封装技术及应用上具有创新性，产品的发光强度、显色指数和光强衰减率等技术指标达到了国内领先水平，同意通过科技成果鉴定。 （418917）3英寸AlGaInP红、橙、黄光超高亮度LED外延片成果序号：002成果类别：电信完成单位：河北汇能电力电子有限公司研究时间：2005.03 至2007.03课题来源：地方计划成果体现形式：新材料成果所处阶段：中期阶段成果属性：国内技术二次开发成果水平：国内领先应用状态：稳定应用转让范围：允许出口联 系 人：刘惠生联系人电话要技术说明： 河北省科技攻关项目“3英寸AlGaInP红、橙、黄光超高亮度LED外延片”是红、橙、黄光超高亮度LED的核心材料，是采用金属有机化合物气相淀积（MOCVD）技术生长的四元系半导体微结构材料，创新点是材料结构采用正负应变补偿式多量子阱（MQW）结构，具有出光效率高的优点。生产工艺采用了三甲基铟(TMIn)蒸汽压平衡补偿技术，GaP电流扩展层两步法生长技术，以及外延片的均匀性、重复性、稳定性控制技术等独创技术，突破3英寸AlGaInP外延片生长关键技术，实现了产业化、商品化生产。同传统的2英寸外延片相比，3英寸外延片具有节约成本，光电性能高，均匀性好等优点，是四元系超高亮度LED外延材料制造技术的一次飞跃。汇能公司研发的3英寸AlGaInP红、橙、黄光超高亮度LED外延片具有创新性和先进型，位于国内领先水平，具体技术指标如下： 发光强度： 红光外延片 波长：630640nm，亮度：50mCd 波长：620630nm，亮度：80mCd 橙光外延片 波长：600610nm，亮度：100mCd 黄光外延片 波长：585590nm，亮度：60mCd 正向电压： VF=2.00.1V 成品率： 大于90% 年产量： 8000片 LED具有寿命长、耗电量低，固体化、冷光源等特点，广泛应用于如状态指示灯、大型显示屏、扫描仪、传真机、手机、汽车用灯、交通信号灯、LCD背光灯甚至传统照明等方面。汇能公司3英寸AlGaInP红、橙、黄光超高亮度LED外延片的研制成功可打破国际垄断，促进国内单晶、MO源等行业的发展，节约能源，带来一系列社会效益。鉴定意见： 2006年12月12日，由河北省科学技术厅组织，委托石家庄市科技局主持，邀请有关专家组成鉴定委员会，对河北汇能电力电子有限公司研制的“3英寸AlGaInP红、橙、黄光超高亮度LED外延材料”进行了新产品鉴定。鉴定委员会听取了课题的工作报告，技术报告、检验报告、查新报告和用户使用报告等，考察了生产现场，审查了产品技术文件资料，进行了产品性能测试，经质疑、答辩和认真讨论，鉴定委员会一致认为： 1、技术资料完整、规范、符合鉴定要求。 2、采用正负应变补偿式多量子阱结构技术、三甲基铟（TMIn）蒸汽压平衡补偿技术、GaP电流扩展层两步法生长技术，成功研制出均匀性和重复性良好的“3英寸ALGaInP红、橙、黄光超高亮度LED外延材料”。 3、经测试各项技术指标满足企业标准Q/HN02-2006，达到了课题任务合同的要求。 4、该产品工艺技术先进，配套设备及测试仪器齐全，质量保证体系健全，具有小批量生产能力。 综上所述，该产品整体技术达到国内领先水平，其中640nm红光LED外延材料到了国际先进水平，鉴定委员会一致同意通过鉴定。 （365416）5.8-GHz CMOS 射频收发器成果序号：003成果类别：电信完成单位：博通集成电路（上海）有限公司研究时间：2005.04 至2008.03课题来源：自选成果体现形式：新技术成果所处阶段：成熟应用阶段成果属性：原始性创新成果水平：国际领先应用状态：稳定应用联 系 人：总经理办公室联系人电话系人email：简要技术说明： 创新点一：采用了创新设计的可变中频和相对应的可调中频滤波器带宽 为了减小耗电和节省集成电路芯片面积，集成接收器采用的是单步变频低中频的结构设计。为增加产品的可适用范围，我们采用了创新设计的可变中频和相对应的可调中频滤波器带宽，我们正在美国申请该设计思想及实现方法的专利保护。 创新点二：采用的混合信号电路设计手段具有领先世界的创新性 为增强系统性能，增大无线信号传输的动态范围，我们设计了片上集成的1:2扩展器，与传统的全模拟电路的实现方式相比，我们采用的混合信号电路设计手段具有领先世界的创新性，并实现了更高的集成度，更低的造价的功耗。 创新点三：发射器的音频信号处理采用了创新性的混合信号电路方案 集成无线发射器采用压控振荡器直接调频手段实现5.8GHz调频信号的无线发射，它包括一个麦克风放大器，音频信号限幅器，可变增益音频放大器和音频信号滤波器。为提高无线传输信号的动态范围，我们在发射器的音频信号处理中采用了2:1信号压缩器，其设计及电路实现与接收器中的扩展器一样采用了创新性的混合信号电路方案，达到了高性能，低功耗和低成本。 创新点四：收发器的另一个创新功能是一个片上集成的半双工的通话免提功能 传统上，这一功能的实现要借助于一个外接分立集成电路及与之相应的几十个阻容元器件，我们采用混合音频信号处理的手段，首次实现了这一功能的单片集成并消除了对外接阻容器件的要求，用极低的造价实现了一个应用中非常重要的功能，BK5891，BK5892 可提供MLF封装的64脚IC芯片。 创新点五：采用5.8GHz 高频段 无线通讯的频带选择有一个从低频向高频发展的趋势，从早期的48MHz频段到400MHz，900MHz直到现在广泛使用的2.4GHz频段。但由于太多的通讯系统（如：蓝牙，无线局域网等），甚至某些家用电器（如微波炉）拥挤在2.4GHz频段，造成通讯系统之间的干扰，极大影响了通讯可靠性。为解决这一矛盾，人们已开始提高技术采用更高频的波段：5.8GHz，但由于其技术难度很高，直到近35年，国际上几个领先的公司才开始推出基于5.8GHz频段的通讯系统。 创新点六：采用 CMOS 工艺 自二十世纪九十年代初，美国有关研究机关开始了以射频无线通讯应用为目的的CMOS 射频收发器的研究。CMOS集成电路工艺得益于数字大规模集成电路的蓬勃发展，以其巨大的生产规模实现了前所未有的低成本，成功地将这一技术应用于无线通讯领域，并将带来巨大的经济效益，而世界上有能力采用CMOS 工艺实现这一功能的厂家屈指可数。 创新点七：真正的单一芯片集成 国际上同类产品现有的是多元件系统，而单一芯片集成有效地降低了系统复杂程度，节约了系统成本。 该项目的研发成功将填补我国高端射频芯片设计的空白。单片集成的低成本射频收发器技术，不仅广泛应用于各种工业无线智能控制系统，手机，无绳电话，网络电话（VoIP），公路无线电子收费系统(我国的电子收费系统的规定频率正是5.8-GHz)，射频识别器（RFID），家庭RF智能无线控制系统， 无线读表器， 游戏机无线遥控器， 无线安保系统， 无线耳机和无线益智玩具等方面，更在卫星通讯和全球卫星定位系统（GPS）等国家核心信息安全和战略领域具有举足轻重的地位。在人们追求高品质，高性能，快速方便的二十一世纪的今天，高端的5.8-GHz射频收发器有着广泛的应用和高速成长的市场。 （485847）5毫秒19宽TFT-LCD面板产品开发成果序号：004成果类别：电信完成单位：上海广电光电子有限公司研究时间：2006.06 至2006.12课题来源：自选成果体现形式：新产品成果所处阶段：成熟应用阶段成果水平：国际先进应用状态：稳定应用联 系 人：金波联系人电话600联系人email：简要技术说明：随着人们生活水平的提高，电脑已经不再是一个单纯的办公工具，而更多的被作为一个多媒体娱乐工具。为了适应媒体的发展，特别是多媒体显示格式上的变化，最近几年宽屏显示器得到了迅速的发展。目前液晶显示器有以下几点发展趋势： 1）向宽屏方向发展 根据Display Search的调查数据，宽屏出货量所占的比重将由2005年占总体出货量的22%上升到2010年的60%。是整个液晶显示器市场的绝对主流。 2）19宽屏产品是最适合的一个产品 预计19宽屏产品将由2005年占液晶显示器总体出货量的7%上升到2010年的30%。 3）市场的发展、消费者的需求需要不断提高已有19宽屏产品的规格 在对比度上，2007年的主流产品是1000：1； 在响应速度上，2007年的主流产品是5ms根据上述情况，广电光电子决定将19宽屏的响应速度提高到5ms，在该产品的设计开发过程中，我们研究探讨了以下技术，并将其应用在具体的产品中，获得了很大的成功。主要技术内容： 1）致力于液晶的优化选择 为了提高响应速度，我们和业界液晶第一大厂Merck公司进行了广泛的技术交流和合作，调整了液晶的单体配比，降低了液晶的粘度，提高ne和no的差值等技术指标，以满足5ms的技术规格的要求。同时根据前期发现的一些问题，在液晶的螺距上作了相应的修改，以改善配向明点等问题。 2）在低盒厚方面进行了大量的优化选择 为了实现5ms的响应速度，单纯在液晶方面进行改进是很难达到目标，必须配合降低盒厚的设计，因为理论上，液晶显示器件的响应速度和盒厚的平方成反比，降低盒厚可以大幅度提高响应速度。而在低盒厚上面的主要困难点在于对异物的管理。4um的盒厚对异物容忍的程度在4um以内（对于个别柔性异物可以稍大），否则就会带来盒厚异常等Mura。在降低盒厚的过程中，就必须同时考虑彩膜和阵列基板的异物要求规范。通过和彩膜厂家以及SVA-NEC的协商交流，及加强对异物的管理，来最终防范由于低盒厚而产生的对应不良率上升的问题。 3）修复线技术 SVA-NEC生产液晶显示器件在阵列工艺中采用4 Mask技术，作为4Mask技术本身存在一些良率上的问题，其中主要的问题点是D断。我们根据事前分析，发现如果不针对D断在设计上有所改进，产品生产稳定时，其不良率仍然可以到达1.0%。针对这个问题，我们引入了修复线的技术。当原先的 D线发生D断而造成线缺陷时，利用引入的修复线以及相应的激光修复技术，可以尽可能降低由于D断造成的线缺陷。根据我们事后的统计，采用修复线技术后，D断的发生率由原先的1.0%左右降低到0.7%左右。 4）精细切断技术通过我们对行业的调查，其他TFT-LCD厂家在G5生产线上生产19宽屏产品时，都是采用12面取的设计。我们通过研究，发现如果在我们的生产线上也采用12面取，切断上会有一些挑战，原因在于由于面取数较多，屏和屏之间的距离过小，大约只有3mm，如果不做改进，在实际切割时会发生一些费材残余，跳刀等技术问题。为了保证最有利的经济切割，通过和SVA-NEC的交流，通过实验发现通过添加一些Dummy Seal 图形，可以完全解决上述的问题。应用情况： 2006年下半年开始，SVA-O设计的5毫秒响应时间的19宽屏液晶面板已在SVA-NEC面板工厂正式量产，月产量20 KS左右，约占SVA-NEC面板厂产能的22.2%左右。 （485768）8+2高清晰度数字电视移动转播系统成果序号：005成果类别：电信完成单位：江西电视台研究时间：2003.07 至2005.08课题来源：自选成果体现形式：其他应用技术成果所处阶段：成熟应用阶段成果属性：国内技术二次开发成果水平：国际先进应用状态：稳定应用转让范围：限国内转让联 系 人：董艳联系人电话系人email：简要技术说明：“8+2高清晰度数字电视移动转播系统”项目是属于省广电局利用西班牙政府贷款的主要项目之一，得到了省政府、省发展计划委员会、省财政厅的大力支持，省长黄智权在省财政厅上报的关于江西广播电视局利用西班牙贷款的请示上做了亲笔批示，该项目被列为第二类外国政府贷款项目，并同时向国家申报。省广电局和省电视台制定的目标是：国内领先、一流，国际先进。该系统全数字化设计，系统具备高清和标清节目的制作能力。该系统配备8台高清摄像机，另预留两个讯道。车内视频系统以MVS-8000ASF高清数字切换台和高清数字视频矩阵为中心进行信号调度，输入信号包括摄像机输出的HDSDI/SDSDI信号、录像机输出的SDSDI信号、慢动作硬盘录放设备输出的HDSDI/SDSDI信号以及外来的SDSDI和模拟复合信号。音频系统以YAMAHAPM-5D数字调音台为中心调度各路信号，输入信号包括线路输入和话筒输入，可制作立体声及5.1声道。该系统性能指标全部达到设计要求，均符合国家相关技术标准。系统的创造性、先进性主要有：1、该系统是高清转播系统，同时兼容标清系统；2、该系统对S-Bus技术进行了二次开发，使之在采用不同厂家的设备时，也能够实现信号的灵活调动以及信号源名自动跟随的功能；3、该系统扩展性强，能方便的与其它转播系统串、并级联合使用，实现一级切换；4、该系统厢体设计新颖，整体布局合理，在国内率先采用导演区、技术区同时侧拉1.2米，扩充了车内人员流通通道和工作空间；5、该系统在车体上安装了9米的电动液压升降桅杆，可安装摄像机、微波天线等设备，使用非常方便。本系统采用国际国内通用的行业技术标准，选择了目前国际上最先进的数字电视制作设备，根据系统总体设计的要求，在分析比较同档次设备技术特点的基础上，按我们的设计思路选择搭配系统设备。系统具备完成当前最复杂的电视转播的功能，且使用方便，安全可靠。国内不少同行借鉴了该转播系统的设计理念和相关技术。该项目得到了同行和专家的一致好评，并被奥组委(BOB)选入2008年奥运会的转播用车。该移动转播系统是应用于电视现场转播、电视现场制作的大型半拖挂式高清晰度数字电视转播车，适用于国内外大型体育赛事、大型文艺晚会的直播和录播，是一辆综合型多功能媒体转播车。该系统投入使用以后，为宣传省委省政府的方针政策，出色完成省委、省政府交办的重大宣传报道任务，以及大型节目的现场直播、录播任务，发挥了重要作用。今年该高清车还参与直播了五场全国足球甲级联赛南昌赛区的比赛，转播中采用了大量慢动作镜头重放，使比赛的转播更精彩，达到了国际标准。该系统自投入使用以来，参与了我台所有重大活动（节目）的转播，提升了电视节目的影响力和收视率，使电视广告收入大幅增加。 （407726）9065纳米极大规模集成电路大生产的关键技术研究成果序号：006成果类别：电信完成单位：北京大学研究时间：2003.06 至2007.07课题来源：国家科技计划(863计划)成果体现形式：新技术成果所处阶段：成熟应用阶段成果属性：原始性创新成果水平：国际领先应用状态：稳定应用转让范围：允许出口联 系 人：张铭联系人电话系人email：简要技术说明：本成果属信息技术领域。基于国民经济的重大需求，在国家863重大专项支持下，在90nm和65nmCMOS极大规模集成电路大生产关键技术方面开展研究。项目由北京大学、浙江大学、西安电子科技大学、清华大学、中科院微电子所和中芯国际集成电路制造有限公司组成的产学研结合的研发团队承担，取得如下标志性成果：1）成功开发了90nm大生产核心技术，包括微细加工、Co硅化物浅结、Cu互联低K、器件模型、光刻模型和版图的可制造性、可靠性分析和评测等技术，并成功地用于12英寸大生产中，建立了开放式的90nmCMOS大生产关键工艺技术平台，使我国成为掌握当前国际最先进集成电路大生产工艺制造技术的少数国家和地区之一，为我国集成电路设计、制造、专用设备和材料技术的研发，提供了一个产学研相结合的技术平台，对我国集成电路产业的发展具有重要历史意义。2）基于90nmCMOS大生产关键工艺技术平台，成功开发了90nm逻辑电路工艺技术，于2005年底开始量产，开发的产品包括专用DSP和射频数模混合芯片、高清晰电视和平板电视芯片、大容量硬盘控制芯片等不同品种。到2007年7月营业额7.68亿人民币，税前利润约4亿人民币的经济效益。3）在65nm大生产及以下CMOS集成电路关键技术研发方面，取得一批具有自主知识产权的创新成果，主要包括：小于1.2nm的超薄SiON和高K栅介质工艺技术；NiSi自对准硅化物技术、新型应力Si工艺技术、新型体硅CMOS器件结构和制备技术等；上述主要的关键技术被65nm生产技术采用，将于2008年量产，并为45nm关键技术研发奠定基础。4）获得了一批具有自主知识产权的成果，申请发明专利73项，授权专利9项，在核心学术会议和刊物发表论文90余篇。5）在项目组织、实施和成果转化机制方面有创新，根据国家重大需求，成功组织了由高校、研究所和企业组成的产学研研发团队，以企业为集成平台，在关系国民经济发展命脉的关键领域进行自主创新，成果直接应用到大生产，形成生产力，提升了我国集成电路技术领域核心竞争力和可持续发展能力。鉴定意见： 项目编号：2005AA1Z1140 本课题有北京大学、浙江大学、西安电子科技大学、清华大学、中科院微电子所和中芯国际集成电路制造有限公司共同承担，课题实施中充分产学研联合研究的优势，成功开发了90nmCMOS集成电路大生产工艺和相关技术，圆满完成了课题预期的研究任务和目标，在如下方面取得了标志性的成果： 1、成功开发了90nmCMOS集成电路大生产工艺，使我国成为掌握当前国际最先进集成电路大生产工艺制造技术的少数国家和地区之一，并为我国集成电路生产和技术发展提供先进的制造工艺平台； 2、取得一批创新研发研究成果，并在中芯国际大生产工艺中得到应用、验证、其中包括： （1）考虑量子相应的器件结构特征的亚90nm技术器件模型、考虑光学邻近校正（OPC）效应的可制造型设计模型和工具、综合考虑各种实效机理之间的共同敏感因素和可靠性模型已经在中芯国际的大生产工艺技术中得到应用。 （2）Ce源/漏注入诱导应力的新型沟道应力硅技术、新颖的超薄氮氧缮制备技术、90nm标准单元的设计流程和表征工具及重要结构的90nm标准单元和IP库在中芯国际大生产工艺上得到试验，对大生产工艺技术的进一步优化起到了积极的推动和促进作用； （3）高K栅介质集成工艺、新型体硅CMOSFinFET和新型SONMOS器件结构和制备技术等具有自主创新的新一代技术成果，通过发明专利和核心技术储备的方式，成为构建具有我国完全自主知识产权的集成电路制造核心技术的发展和专利库的重要组成部分； 3、一些关键技术和前沿性课题，如应力硅技术建模、金属栅/高K栅介质可靠进行分析、虾泥条边缘粗糙度对器件性能影响等，取得的成果对集成电路大生产工艺和相关技术发展起到积极的作用； 4、在自主研发的基础上，通过集成创新和技术创新，获得了一批具有自主知识产权发明专利和核心技术，共申请发明专利44项，其中10项获授权；在国际一流期刊和国际会议上发表了70余篇高水平的学术论文，提升了我国在该领域的国际地位和综合竞争力，同时也为我国自主知识产权的保护和新一代先进集成电路技术的研发奠定了良好的基础。 验收专家组认为：本课题按照任务合同书的要求，很好的完成了规定的任务，达成了合同书的要求，同意通过验收。 （412804）DU6565功率型金属氧化物半导体效应晶体管成果序号：007成果类别：电信完成单位：大连宇宙电子有限公司研究时间：2006.03 至2007.10课题来源：自选成果体现形式：企业标准成果所处阶段：成熟应用阶段成果属性：原始性创新成果水平：国际先进应用状态：稳定应用联 系 人：郝振杰联系人电话系人email：简要技术说明： （1）芯片的平面工艺MOSFET功率器件采用0.4微米工艺制造，芯片的图形采用四边形设计，芯片的设计密度为80million cell/平方英寸，使芯片尺寸缩小到世界平均水平的1/3-1/4，不但性能更强且体积更小。 （2）芯片利用0.4微米的工艺制造。形成的电流的流动方向与一般MOS器件不同。沟道电流的方向呈现是垂直和水平方向的栅区的制造，在此新的区域内进行栅氧化。此层氧化层有高密度、致密的特点，耐压高、漏电低的特点。在此基础上再又外延生长一层新的区域。再有适当多金属引线的工艺，彻底切断栅区与表面的漏电可能。这种新型的工艺大大减少表面漏电流和提高击穿电压。 （3）特别在栅区采用自适应对准工艺，由于栅区是后续生长、填充而成的，因此这个区域内的电阻率是可以调整的，而且根据用户需要是可以调整的参数。由于很容易形成一个附加的正反馈电阻，大大有利于抗静电击穿。因此大大提高了成品率。 （4）本产品芯片完全自行设计、芯片设计密度达到80million cell/平方英寸，使用先进的0.4微米制造工艺，芯片尺寸缩小到37002230，利用本企业自主研发的专业封装技术以及先进的生产设备自行封装。芯片制造选用特定参数的外延片，并在设计中巧妙地控制扩散区的深度与浓度，沟道氧化层厚度为400A，电容为86-129pF，使产品导通电流达65A以上、逆向阻断电压达65V，并实现了故障保护的功能。 （5）随着器件的功率的增大要求封装使用的树脂型号和配方也要作相应的调整，根据以往的经验和通过数次工程试验确定了封装使用的树脂型号及配方，使封装达到最好的散热性能。 本产品MOSFET DU6565功率器件属半导体器件与技术科学技术领域，是汽车电子系统驱动控制必需的关键器件。应用范围广泛，小到汽车的电动车窗、雨刷器，大到ABS等安全装备及电动汽车的动力驱动控制系统，同时该器件可广泛的应用于高档电动工具以及装备制造业。应用前景广阔。 （493110）EPON光纤传输设备成果序号：008成果类别：电信完成单位：电子科技大学研究时间：1999.01 至2006.10课题来源：自选成果体现形式：新技术成果所处阶段：中期阶段成果属性：国外引进消化吸收创新成果水平：国际先进应用状态：稳定应用转让范围：允许出口联 系 人：葛启函联系人电话系人email：简要技术说明： 1.1.概述 本成果为“EPON光纤传输设备”，是我们自行开发的光纤到户产品，包括局端的OLT设备、用户端的ONU设备和相应的软件设计。 EPON光纤传输设备包含的主要成果有： 利用PASSAVE公司的核心芯片设计出EPON硬件系统； 自行开发嵌入式操作系统，为应用软件提供运行平台； 开发网络管理系统，对EPON实现了监测、维护和管理等功能； 研究动态带宽分配（DBA）算法，将新算法应用到EPON系统，提高了EPON带宽利用率，并实现了高效运行。 在宽带接入网中，我们提出了一种用于CATV网络支持优先级的冲突解决算法，该方法可以很好的解决在EPON网络中传输视频业务。 本项目的理论研究、实验论证、实验研究和试验工作从1999年1月到2006年10月，直接参加本课题的研究人员（含研究生）超过了20人。本项目的实验研究工作从2005年12月至2006年10月，经过近一年的EPON光纤传输设备的研制，从总统方案到各个子系统的制作，主要包括了电路的设计与加工、各元器件的定制与采购、软件平台的搭建、动态带宽分配算法在我们的EPON光纤传输设备中的实现到EPON光纤传输设备的现场试验，现已全部完成了EPON光纤传输设备的设计、实验与试验。本项目成果已经得到了推广应用，如已成功在四川诺尔集团公司和北京依斯康光电技术公司生产，目前产值已超过7000万元。 1.2 课题技术、市场背景 近年来，骨干网和高速局域网随着人们对带宽越来越大的需求而不断升级，但是连接两者之间的接入网成了整个网络的瓶颈，在这样的条件下产生了PON（Passive Optical Network，无源光网络）技术。同时，以太网（Ethernet）技术经过二十年的发展，以其简便实用、价格低廉的特性，几乎已经完全统治了局域网，并在事实上被证明是承载IP数据包的最佳载体。 EPON同时具备了以太网和PON的优点，具有低成本、高带宽、高可靠性、便于管理、支持多种业务等特点，已经成为接入网领域中的热门技术，并正逐步走向完善。其中日本是全球FTTH发展最好的国家，制定的“e-Japan”战略要求国内使用光纤线路的用户或家庭要达到整个宽带市场的三分之一以上，其中在日本EPON技术在接入网中覆盖率高达90%以上，基本上实现了EPON到户。 EPON光纤传输设备的研制成功并趋于实用化，将引起光纤到户(FTTH)的一场革命，成为新一代光纤接入网技术的典范。FTTH是20年来人们不断追求的梦想和探索技术的方向，但由于成本、技术、需求等方面的障碍，至今还没有得到大规模推广与发展。然而，这种局面最近有了很大的改观，由于政策上的扶持和技术本身的发展，在沉寂多年后，FTTH再次成为热点，步入快速发展期。新技术、新设备、新的网络建设计划不断推出，引起了业界的关注。很多有识之士把FTTH视为光通信市场复苏的重要转折点。目前，国内外多数品牌通信公司都对EPON开始了跟踪和研发。预计今后几年，特别是在三网合一的背景下，FTTH即将很快进入市场，得到广泛的应用，带来很大的经济效益与社会效益。 1.3 最终技术指标 工作波长 上行：1310nm，下行：1490nm OLT端口传输速度 1000Mbit/s OLT工作电压 I/O 3.3V， 核心电压 1.8V ONU工作电压 I/O 3.3V， 核心电压 1.8V 最远传输距离 20km 复位门限电压为 2.93V 光接口的串并转换速度 1Gbit/s 用户侧以太网接口速度 100Mbit/s 一个OLT能支持的ONU数目 32 1.4 研究中解决的关键技术 1、EPON系统中OLT和ONU核心芯片外围电路设计与接口设计。 2、系统中OLT和ONU的光突发发射/接收模块、电源和复位模块设计。 3、简单网络管理协议（SNMP）与802.3 OAM（运行、管理和维护）的无缝连接实现对EPON的管理和监视。 4、扩展SNMP代理，组织EPON管理对象使之可以被SNMP访问，数据库交互、EPON事件告警等功能。 5、EPON管理站功能模块结构与实现。 6、动态带宽分配（DBA）算法设计与实现。 7、基于JAVA技术的EPON网络管理界面的设计与开发。 1.5 课题成果内容 课题发表论文共计10余篇，申请专利3项。培养硕士研究生16个，已获硕士学位12人（本项目研究时间为19992006年）。应用前景： EPON结合了PON结构的低成本和成熟以太网技术的优点，能提供吉比特的带宽资源，因此将会被大量用在FTTH中。由于IEEE802.3 ah只对MAC层和物理层制定了标准，其它的规范都在标准的范围之外，比如操作系统接口、动态带宽分配及网络管理等等。因此，本项目所设计的标准之外的各种接口、带宽分配算法及管理体系等将是推广应用的关键及价值所在。成果已成功在四川诺尔集团公司和北京依斯康光电技术公司生产，目前产值已超过7000万元。鉴定意见： 2006年11月1日，受四川省科技厅委托，四川省教育厅在成都主持召开了由电子科技大学完成的“EPON光纤传输设备”项目的技术成果鉴定会。鉴定委员会听取了该项目的工作总结报告、技术总结报告、查新报告和测试报告，对设备进行了现场考察。经认真讨论，形成如下鉴定意见： 1.该项目完成了EPON系统的设计与开发，成功研制了“EPON光纤传输设备”样机，完全实现了EPON功能。其主要性能指标为：上行波长为1310nm，下行波长为1490nm，传输距离最大20km，局端以太网接口速度1000Mbit/s，光接口串并转换速度为1Gbit/s，用户侧以太网接口速度100Mbit/s。 2.该项目在嵌入式ARM-Linux系统的体系结构和相关特征，网络管理软件的开发，高效的动态带宽分配（DBA）算法的实现等方面，具有特色和创新。 3.提供鉴定的技术资料齐全、符合科技成果鉴定要求。 鉴定委员会认为，该项目系统设计合理、硬件兼容性强、软件功能完备、DBA算法高效实用，其主要技术性能指标达到了国际同类产品的技术水平，在国内处于领先地位。鉴定委员会一致同意该项目通过科技成果鉴定。 （415813）H.264解码芯片关键技术研究成果序号：009成果类别：电信完成单位：江西省科学院科技信息中心研究时间：2005.09 至2007.03课题来源：地方计划成果体现形式：新技术成果所处阶段：初期阶段成果属性：国内技术二次开发成果水平：国内领先应用状态：未应用转让范围：限国内转让联 系 人：谭立地联系人电话系人email：简要技术说明： 一、任务来源 江西省科技厅2006年科技计划攻关项目。 二、简要技术说明 本研制项目所要研发的课题是开发具有自主知识产权的高性价比、高可靠性的实时H.264解码Ic关键技术。 H264解码IC项目主要采用了两大技术H.264编码技术和实时、高清VLSI/ASIC/SoC系统的设计技术，H.264编码技术是保证H.264解码能够实时、高效解码的理论基础，而实时高清VLSI/ASIC/SoC系统的设计技术则是实现实时、高效的H.264解码Ic关键技术。 本项目主要对H.264解码Ic的系统设计、总线设计、流水线设计等关键技术进行深入研究，并以H.264数字视频高清实时解码IC的IP关键技术作为最终成果进行提交。 三、主要性能技术指标： 本项目提交H.264数字视频实时解码Ic的全部设计文档和IDCT、帧内预测、帧间预测的FPGA代码。 本项目的攻关目标为开发具有自主知识产权的高性价比、高可靠性的实时H.264解码、Ic关键技术。现阶段完成的研究设计文档已达到H.264编码标准的以下五项技术指标： 1)完全遵循H.264/MPEG-4AVC标准； 2)支持High 4:4:4profilc，最高至Level 4.0； 3)实时解码； 4)支持多种格式和帧率：SQCIF(最大172帧/秒)、QCIF(最大172帧/秒)、CIF(最大102帧/秒)、4CIF(最大25帧/秒)等； 5)具备流错误检测和恢复功能。 本项目经委托江西省专利事务所于2007年3月中旬进行了科技查新，查新报告(编号为：0771)的结论为；“未检索到与本课题内容相同的文献报道”。 本项目经委托江西省软件评测中心于2007年4月上旬进行了测试，评测报告(编号为：R07004)的评测结果表明：“本项目已达到科技合同书中列出的五项技术指标”。 鉴定意见： 该项目采用的多级流水线处理结构以提高系统的处理能力，采用双总线的系统设计以分散数据吞吐量，采用独特的外置随机存储器的存储组织和对外置随机存储器的快速访问技术，满足了系统对数据吞吐量的要求等方面，具有一定的创新性。 该项目完全遵循H.264/MPEG-4AVC标准并实时解码；支持High 4:4:4profile最高至Ievel 4.0；支持多种格式和帧率；在matlab中对测试数据进行播放，图像清晰、流畅；具备流错误检测和恢复功能，达到了H.264编码标准的目的。鉴定专家组一致认为研究成果的整体技术水平达到国内先进水平。 （407814）HART调制解调专用集成电路开发与应用成果序号：010成果类别：电信完成单位：中国科学院沈阳自动化研究所研究时间：2005.08 至2007.03课题来源：国家科技计划(国家科技攻关计划)成果体现形式：新技术成果所处阶段：成熟应用阶段成果属性：原始性创新成果水平：国际先进应用状态：稳定应用转让范围：允许出口联 系 人：孙海涛;谢闯联系人电话系人email：简要技术说明： 现场总线技术融合了计算机、通信与控制等技术，代表了工业自动化领域发展的方向。HART现场总线技术标准是一种由HART基金会制定的开放通信协议，是流程工业自动化应用最为广泛和重要的总线标准之一。HART调制解调专用集成电路芯片是体现HART技术的核心物化载体。几年来，我们围绕HART标准开展了大量的科研工作，成功地开发出符合标准的HART调制解调专用集成电路HT1200M芯片，并将该芯片广泛地应用于HART现场总线通信模块、智能仪表和智能控制器中。HART调制解调专用集成电路的设计方案是在研究国外同类芯片的基础上提出的，采用了外部引脚完全兼容现在常用的两款HART芯片A5191HRT和HT2015，对芯片内部分模块的设计思路加以改进，采用更好的体系结构和设计技术，实现了低功耗、低成本和高可靠性。采用HT1200M芯片，开发了符合HART现场总线标准的系列化模块，这些模块满足工业现场的应用需求，其中包括：HT1200M芯片开发板、HART应用协议软件、HART应用工具软件、HART应用接口通信模块、HART应用智能通信模块、及与智能通信模块配套的压力传感卡和温度传感卡。HT1200M芯片具有如下技术特征：单片、半双工1200b/s速率的频移键控调制解调器；Bell202标准的频移键控信号，载波为1200Hz和2200Hz；内部集成了接收带通滤波器电路和发送信号波形整形电路；内置时钟振荡器