中职电子技术基础期中试卷

1、最新 料推荐2012 年秋学期电子技术基础期中测试2012.11.一、填空题（ 0.5 50）1、半导体中有两种载流子：和。2、晶体二极管具有特性，即加电压时导通，加电压时截止。3、晶体三极管具有作用，是一种控制型器件，通过电流的变化去控制较大的电流变化。4、晶体三极管内部结构有三个区：区、区和区；两个 PN结：和；三个电极：、和，分别用字母、表示。5、晶体三极管工作在的偏置条件( 外部条件 )是：、工艺条件（内部条件）是：、。6、晶体三极管根据内部三个区域半导体类型不同，分为和两种类型，它们的图形符号分别为和，基区为 N型半导体的是型。7、晶体三极管有三种基本联接方式：接法、接法和接法。三极

2、管的三个电极中，极既可以作为输入端，又可以作为输出端。9、硅管的门坎电压约为V ，导通电压约为V；锗管的门坎电压约为V ，导通电压约为V 。10、若测得某晶体三极管的电流为：当 I B=20A时，IC =2mA；当 I B=60A时，IC =5.4mA，则可求出该管 为， ICEO 为， ICBO 为。12、晶体三极管的输出特性曲线是在I B 一定时，测出与对应值的关系，它可以分为三个区域，即区、区和区。当三极管工作在区时，关系式I C= I B 才成立；当三极管工作在区时，I C 0；当三极管工作在区时， VCE 0；三极管在区时，具有恒流特性。1最新 料推荐二、判断题（ 2 10）1、晶体

3、二极管一旦发生击穿，就会被烧毁。（）2、 N 型半导体的多数载流子是电子，因此N 型半导体带负电。（）3、环境温度升高，晶体二极管的反向饱和电流将增大。（）4、在半波整流电路中，二极管极性接反，将无整流作用。（）5、用万用表测量小功率二极管，一般使用R10K 挡。（）6用万指针式万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“”号插孔中的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。（）7、无论哪种晶体三极管，当处于放大状态时，b 极电位总是高于e 极电位， c 极电位也总是高于 b 极电位。（）8、晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体构成，所以e极和 c 极

4、可以互换使用。（）9、对于 NPN型三极管，若 VBE 0， VBEVCE ，则该管工作在饱和状态。（）10、分压式偏置放大电路具有稳定静态工作点的作用。（）三、选择题（ 2 10）1、某硅二极管反向击穿电压为150 伏，则其最高反向工作电压为（）A、约等于 150伏 B、可略大于150 伏 C 、不得大于40 伏 RD 、等于75 伏2、电路如图所示，图中二极管为理想二极管，+2KVR200当输入电压 Vi=0V 时，输出电压Vo=（） V；当输入电压 Vi=20V 时，输出电压Vo=（） V。Vi3VVOA、 3VB、 0VC、10VD 、 20V_3、在一块放大电路板上，测得某三极管对地

5、电位如图所示，则管子的导电类型，管脚自左至右的顺序分别为（）。A、 NPN型， ebcB、 PNP型， ebcC、 NPN型， bceD、 PNP型， bce4在半波整流滤波电路中，如已知V2=10V ，则负载 RL 上的输出电压为（）。A 12VB 9VC 4.5VD 10V5晶体三极管工作在饱和状态时，它的集电极电流IC 将（）。A 随 I B 增加而增加B随 IB 增加而减少2最新 料推荐C与 IB 无关，只决定于 VG 和 RC6、电路如下图所示,设二极管正向电阻为零,反向电阻为无穷大,则电压 V AB 为（）。A -3VB 5V ；C8VD -8V7、三极管各电极对地电位如下图所示,

6、工作于饱和状态的三极管是()。ABCD8、上图中处于截止状态的三极管是（）。9、分压式偏置电路中，如R 增大，电路中其余条件不变，则IC将（）。b1A 增大B减小C不变D无法确定四、分析计算题（ 35）1画出下图放大电路中的交、直流通路。（ 8）-VGR +V G+_+ C3RbRcRb1RcC2C2+C1RLC1+VRL+ V+Rb2ReReCeCe+_（ a）（ b）3最新 料推荐2、试判断下图中的二极管状态，并计算输出电压Vo。（ 4）VVAR2K10VVo3VB3、如图所示放大器中已知VG =15V ，RC=3K ，Rb =500 K ， =60，试估算放大器的静态工作点和输入电阻r i、输出电阻 r o、和电压放大倍数 AV 。（ 12）+V GRbRcC2+C1RL+V_4、如图所示分压式偏置电路中中：VG =12V ， Rb1=200 K ， Rb2=100K ， RC=2K , =60，试估算 I CQ 和 VCEQ。（ 6）+V GRb1RcC2+C1RL